Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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BUK9M5R2-30EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 10V; 9,8 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK9M5R2-30EX RoHS || BUK9M5R2-30EX || BUK9M5R2-30EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0176 1,5436 1,3684 1,3100 1,2610
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5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 30V 10V 9,8mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2610
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1500
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N-MOSFET 30V 30V 10V 9,8mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
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3000 Stk.
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1500
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N-MOSFET 30V 30V 10V 9,8mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9V13-40HX 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
BUK9V13-40HX RoHS || BUK9V13-40HX LFPAK56D
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK9V13-40HX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK56D
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,9242 1,4618 1,3591 1,2610 1,2026
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5/10
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 40V 10V 13mOhm 42A 46W Surface Mount -55°C ~ 175°C LFPAK56D NXP
BUK9Y21-40E NEXPERIA N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 42,2 mOhm; 33A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK9Y21-40E,115;
BUK9Y21-40E,115 RoHS || BUK9Y21-40E   NEXPERIA LFPAK
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK9Y21-40E,115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1279 0,7496 0,6212 0,5604 0,5371
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20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 40V 10V 42,2mOhm 33A 45W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
BUZ11-NR4941 N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
BUZ11-NR4941 RoHS || BUZ11-NR4941 || BUZ11-NR4941 TO220
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
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1158 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0882 0,7986 0,6398 0,5488 0,5184
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50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 50V 50V 20V 40mOhm 30A 75W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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600 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5184
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50
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N-MOSFET 50V 50V 20V 40mOhm 30A 75W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
10230 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5305
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Standard-Verpackung:
1
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N-MOSFET 50V 50V 20V 40mOhm 30A 75W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
C2M0160120D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 25V; 400 mOhm; 17,7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
C2M0160120D RoHS || C2M0160120D || C2M0160120D Cree/Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE
Hersteller-Teilenummer:
C2M0160120D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
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Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 12,4653 11,1272 10,1651 9,2917 8,8410
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 1200V 25V 400mOhm 17,7A 125W THT -55°C ~ 150°C TO247 Cree
 
Hersteller:
WOLFSPEED
Hersteller-Teilenummer:
C2M0160120D
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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990 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 8,8410
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30
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N-MOSFET 1200V 25V 400mOhm 17,7A 125W THT -55°C ~ 150°C TO247 Cree
C2M0280120D Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 20V; 530 mOhm; 10A; 62,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
C2M0280120D RoHS || C2M0280120D || C2M0280120D Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE
Hersteller-Teilenummer:
C2M0280120D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 40+
Preis netto (EUR) 8,4160 7,4750 6,8118 6,2256 5,7259
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 1200V 20V 530mOhm 10A 62,5W THT -55°C ~ 150°C TO247 Cree
 
Hersteller:
WOLFSPEED
Hersteller-Teilenummer:
C2M0280120D
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
978 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 5,7259
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30
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N-MOSFET 1200V 20V 530mOhm 10A 62,5W THT -55°C ~ 150°C TO247 Cree
C2M1000170J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1700 V; 20V; 2Ohm; 5,3A; 78W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C2M1000170J-TR;
C2M1000170J RoHS || C2M1000170J || C2M1000170J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE
Hersteller-Teilenummer:
C2M1000170J RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 8,4954 7,5894 6,9425 6,3657 5,9407
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 1700V 20V 2Ohm 5,3A 78W THT -55°C ~ 150°C D2PAK/7 Cree
 
Hersteller:
WOLFSPEED
Hersteller-Teilenummer:
C2M1000170J
Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
 
Externes Lager:
235 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 5,9407
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 1700V 20V 2Ohm 5,3A 78W THT -55°C ~ 150°C D2PAK/7 Cree
C3M0065090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 90mOhm; 35A; 113W; -55 °C ~ 150 °C;
C3M0065090J RoHS || C3M0065090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE
Hersteller-Teilenummer:
C3M0065090J RoHS
Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 17,7568 16,0101 14,7397 13,5698 12,9603
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 15V 90mOhm 35A 113W THT -55°C ~ 150°C D2PAK/7 Cree
C3M0120090D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 23A; 97W; -55 °C ~ 150 °C;
C3M0120090D RoHS || C3M0120090D Cree/Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE
Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 9,7518 8,7103 7,9677 7,3068 6,8188
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 15V 170mOhm 23A 97W THT -55°C ~ 150°C TO247 Cree
C3M0120090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 22A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C3M0120090J-TR;
C3M0120090J RoHS || C3M0120090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE
Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090J RoHS
Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 10,0390 8,9671 8,2035 7,5217 7,0196
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 15V 170mOhm 22A 83W THT -55°C ~ 150°C D2PAK/7 Cree
C3M0280090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 385 mOhm; 22A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
C3M0280090J RoHS || C3M0280090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE
Hersteller-Teilenummer:
C3M0280090J RoHS
Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
1 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 5,7749 4,7311 4,1707 3,9325 3,8764
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 15V 385mOhm 22A 50W THT -55°C ~ 150°C D2PAK/7 Cree
CPH-6445-TL-W N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185 mOhm; 3,5A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: CPH6445-TL-W;
CPH6445-TL-E RoHS || CPH-6445-TL-W CPH6
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
CPH6445-TL-E RoHS
Präzisionsgehäuse:
CPH6
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,4245 0,9948 0,8197 0,7613 0,7496
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 185mOhm 3,5A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C CPH6 ON SEMICONDUCTOR
CSD16406Q3 Texas Instruments N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 16V; 7,4 mOhm; 79A; 46W; -55 °C ~ 150 °C;
CSD16406Q3 RoHS || CSD16406Q3 Texas Instruments SON08
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD16406Q3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SON08
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 40+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3311 0,9317 0,7543 0,7099 0,7006
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Standard-Verpackung:
40
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 16V 7,4mOhm 79A 46W SMD -55°C ~ 150°C SON08 Texas Instruments
CSD17308Q3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 16,5 mOhm; 44A; 28W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17308Q3T
CSD17308Q3 RoHS || CSD17308Q3 VSON-CLIP08(3.3x3.3)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD17308Q3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSON-CLIP08(3.3x3.3)
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8337 0,5278 0,4157 0,3783 0,3620
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Standard-Verpackung:
1050
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 10V 16,5mOhm 44A 28W SMD -55°C ~ 150°C VSON-CLIP08(3.3x3.3) Texas Instruments
CSD17313Q2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17313Q2T
CSD17313Q2 RoHS || CSD17313Q2 WSON06(2x2)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD17313Q2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
WSON06(2x2)
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6772 0,4297 0,3386 0,3082 0,2942
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 10V 42mOhm 19A 17W SMD -55°C ~ 150°C WSON06(2x2) Texas Instruments
CSD17576Q5B N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2,9 mOhm; 184A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17576Q5BT
CSD17576Q5B RoHS || CSD17576Q5B VSON-CLIP08B(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD17576Q5B RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSON-CLIP08B(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,3311 0,9294 0,7659 0,7122 0,7006
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,9mOhm 184A 125W SMD -55°C ~ 150°C VSON-CLIP08B(6x5) Texas Instruments
CSD17581Q3A N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,7 mOhm; 101A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17581Q3AT
CSD17581Q3A RoHS || CSD17581Q3A VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD17581Q3A RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSONP08(3.3x3.3)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3054 0,9131 0,7753 0,7099 0,6865
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 4,7mOhm 101A 63W SMD -55°C ~ 150°C VSONP08(3.3x3.3) Texas Instruments
CSD17581Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,2 mOhm; 123A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17581Q5AT
CSD17581Q5A RoHS || CSD17581Q5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD17581Q5A RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSONP08(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,8734 0,6398 0,5137 0,4414 0,4157
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 4,2mOhm 123A 83W SMD -55°C ~ 150°C VSONP08(6x5) Texas Instruments
CSD18503Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 6,2 mOhm; 121A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18503Q5AT
CSD18503Q5A RoHS || CSD18503Q5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD18503Q5A RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSONP08(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3941 0,9761 0,8290 0,7589 0,7333
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 6,2mOhm 121A 120W SMD -55°C ~ 150°C VSONP08(6x5) Texas Instruments
CSD18504Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 9,8 mOhm; 75A; 77W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18504Q5AT
CSD18504Q5A RoHS || CSD18504Q5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD18504Q5A RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSONP08(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3124 0,9201 0,7823 0,7146 0,6912
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 9,8mOhm 75A 77W SMD -55°C ~ 150°C VSONP08(6x5) Texas Instruments
CSD18531Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,8 mOhm; 134A; 156 W; -55 °C ~ 175 °C; CSD18531Q5AT
CSD18531Q5A RoHS || CSD18531Q5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD18531Q5A RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSONP08(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5342 1,0742 0,9131 0,8360 0,8080
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Standard-Verpackung:
20
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N-MOSFET 60V 20V 5,8mOhm 134A 156W SMD -55°C ~ 175°C VSONP08(6x5) Texas Instruments
CSD18532KCS N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,3 mOhm; 169A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP16NB25 STP20NE06L;
CSD18532KCS RoHS || CSD18532KCS TO220
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Texas Instruments
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CSD18532KCS RoHS
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TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9452 1,5506 1,3287 1,1933 1,1442
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 5,3mOhm 169A 250W THT -55°C ~ 175°C TO220 Texas Instruments
CSD18533KCS N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55 °C ~ 175 °C;
CSD18533KCS RoHS || CSD18533KCS TO220
Hersteller:
Texas Instruments
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CSD18533KCS RoHS
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TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,8868 1,5039 1,2867 1,1559 1,1092
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 9mOhm 118A 192W THT -55°C ~ 175°C TO220 Texas Instruments
CSD18533Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 103A; 116W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18533Q5AT
CSD18533Q5A RoHS || CSD18533Q5A VSONP08(6x5)
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Texas Instruments
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CSD18533Q5A RoHS
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VSONP08(6x5)
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6557 1,2633 1,0462 0,9154 0,8710
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 8,5mOhm 103A 116W SMD -55°C ~ 150°C VSONP08(6x5) Texas Instruments
CSD18534Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12,4 mOhm; 69A; 77W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18534Q5AT
CSD18534Q5A RoHS || CSD18534Q5A VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller:
Texas Instruments
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CSD18534Q5A RoHS
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VSONP08(6x5)
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40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0065 0,7379 0,5908 0,5067 0,4787
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 12,4mOhm 69A 77W SMD -55°C ~ 150°C VSONP08(3.3x3.3) Texas Instruments
CSD18537NQ5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18537NQ5AT
CSD18537NQ5AT RoHS || CSD18537NQ5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD18537NQ5AT RoHS
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VSONP08(6x5)
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20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2377 0,8664 0,7356 0,6725 0,6515
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 17mOhm 54A 75W SMD -55°C ~ 150°C VSONP08(6x5) Texas Instruments
CSD18540Q5B N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,3 mOhm; 100A; 188W; -55 °C ~ 175 °C; CSD18540Q5BT
CSD18540Q5B RoHS || CSD18540Q5B VSON-CLIP08B(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments
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CSD18540Q5B RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSON-CLIP08B(6x5)
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,7765 2,3982 2,1764 2,0363 1,9826
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 3,3mOhm 100A 188W SMD -55°C ~ 175°C VSON-CLIP08B(6x5) Texas Instruments
CSD18542KCS N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,1 mOhm; 200A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;
CSD18542KCS RoHS || CSD18542KCS TO220
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD18542KCS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9335 1,5412 1,3194 1,1863 1,1372
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 5,1mOhm 200A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Texas Instruments
CSD18543Q3A N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,6 mOhm; 60A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18543Q3AT
CSD18543Q3A RoHS || CSD18543Q3A VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD18543Q3A RoHS
Präzisionsgehäuse:
VSONP08(3.3x3.3)
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Auf Lager:
35 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2213 0,8967 0,7192 0,6165 0,5815
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 15,6mOhm 60A 66W SMD -55°C ~ 150°C VSONP08(3.3x3.3) Texas Instruments
CSD19501KCS N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 7,9 mOhm; 129A; 217W; -55 °C ~ 175 °C;
CSD19501KCS RoHS || CSD19501KCS TO220
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD19501KCS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
7 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 2,5757 2,1484 1,9032 1,7841 1,7164
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Standard-Verpackung:
10
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N-MOSFET 80V 20V 7,9mOhm 129A 217W THT -55°C ~ 175°C TO220 Texas Instruments
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.