Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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BUK9M5R2-30EX
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 10V; 9,8 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 30V | 10V | 9,8mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK9M5R2-30EX Präzisionsgehäuse: LFPAK33 (SOT1210) |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 30V | 10V | 9,8mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK9M5R2-30EX Präzisionsgehäuse: LFPAK33 (SOT1210) |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 30V | 10V | 9,8mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK9V13-40HX
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5/10 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 10V | 13mOhm | 42A | 46W | Surface Mount | -55°C ~ 175°C | LFPAK56D | NXP | |||||||||||||
BUK9Y21-40E NEXPERIA
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 42,2 mOhm; 33A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK9Y21-40E,115;
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Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 40V | 10V | 42,2mOhm | 33A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
BUZ11-NR4941
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
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Auf Lager:
1158 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 40mOhm | 30A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 40mOhm | 30A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
10230 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 40mOhm | 30A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
C2M0160120D Cree/Wolfspeed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 25V; 400 mOhm; 17,7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 1200V | 25V | 400mOhm | 17,7A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Cree | |||||||||||||
Hersteller:
WOLFSPEED Hersteller-Teilenummer: C2M0160120D Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 1200V | 25V | 400mOhm | 17,7A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Cree | |||||||||||||
C2M0280120D Wolfspeed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 20V; 530 mOhm; 10A; 62,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 1200V | 20V | 530mOhm | 10A | 62,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Cree | |||||||||||||
Hersteller:
WOLFSPEED Hersteller-Teilenummer: C2M0280120D Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
978 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 1200V | 20V | 530mOhm | 10A | 62,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Cree | |||||||||||||
C2M1000170J Cree/Wolfspeed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1700 V; 20V; 2Ohm; 5,3A; 78W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C2M1000170J-TR;
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Auf Lager:
2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 1700V | 20V | 2Ohm | 5,3A | 78W | THT | -55°C ~ 150°C | D2PAK/7 | Cree | |||||||||||||
Hersteller:
WOLFSPEED Hersteller-Teilenummer: C2M1000170J Präzisionsgehäuse: D2PAK/7 |
Externes Lager:
235 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 1700V | 20V | 2Ohm | 5,3A | 78W | THT | -55°C ~ 150°C | D2PAK/7 | Cree | |||||||||||||
C3M0065090J Cree/Wolfspeed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 90mOhm; 35A; 113W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 15V | 90mOhm | 35A | 113W | THT | -55°C ~ 150°C | D2PAK/7 | Cree | |||||||||||||
C3M0120090D Cree/Wolfspeed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 23A; 97W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 15V | 170mOhm | 23A | 97W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Cree | |||||||||||||
C3M0120090J Cree/Wolfspeed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 22A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C3M0120090J-TR;
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Auf Lager:
2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 15V | 170mOhm | 22A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | D2PAK/7 | Cree | |||||||||||||
C3M0280090J Cree/Wolfspeed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 385 mOhm; 22A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
1 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 15V | 385mOhm | 22A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | D2PAK/7 | Cree | |||||||||||||
CPH-6445-TL-W
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185 mOhm; 3,5A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: CPH6445-TL-W;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 185mOhm | 3,5A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | CPH6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
CSD16406Q3 Texas Instruments
N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 16V; 7,4 mOhm; 79A; 46W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 40 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 25V | 16V | 7,4mOhm | 79A | 46W | SMD | -55°C ~ 150°C | SON08 | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD17308Q3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 16,5 mOhm; 44A; 28W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17308Q3T
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1050 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 16,5mOhm | 44A | 28W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSON-CLIP08(3.3x3.3) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD17313Q2
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17313Q2T
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 42mOhm | 19A | 17W | SMD | -55°C ~ 150°C | WSON06(2x2) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD17576Q5B
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2,9 mOhm; 184A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17576Q5BT
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,9mOhm | 184A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSON-CLIP08B(6x5) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD17581Q3A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,7 mOhm; 101A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17581Q3AT
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 4,7mOhm | 101A | 63W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSONP08(3.3x3.3) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD17581Q5A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,2 mOhm; 123A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17581Q5AT
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 4,2mOhm | 123A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18503Q5A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 6,2 mOhm; 121A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18503Q5AT
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 6,2mOhm | 121A | 120W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18504Q5A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 9,8 mOhm; 75A; 77W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18504Q5AT
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 9,8mOhm | 75A | 77W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18531Q5A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,8 mOhm; 134A; 156 W; -55 °C ~ 175 °C; CSD18531Q5AT
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,8mOhm | 134A | 156W | SMD | -55°C ~ 175°C | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18532KCS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,3 mOhm; 169A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP16NB25 STP20NE06L;
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,3mOhm | 169A | 250W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18533KCS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
18 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9mOhm | 118A | 192W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18533Q5A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 103A; 116W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18533Q5AT
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Auf Lager:
32 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,5mOhm | 103A | 116W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18534Q5A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12,4 mOhm; 69A; 77W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18534Q5AT
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Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12,4mOhm | 69A | 77W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSONP08(3.3x3.3) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18537NQ5A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18537NQ5AT
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 17mOhm | 54A | 75W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18540Q5B
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,3 mOhm; 100A; 188W; -55 °C ~ 175 °C; CSD18540Q5BT
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,3mOhm | 100A | 188W | SMD | -55°C ~ 175°C | VSON-CLIP08B(6x5) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18542KCS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,1 mOhm; 200A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,1mOhm | 200A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD18543Q3A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,6 mOhm; 60A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18543Q3AT
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Auf Lager:
35 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,6mOhm | 60A | 66W | SMD | -55°C ~ 150°C | VSONP08(3.3x3.3) | Texas Instruments | |||||||||||||
CSD19501KCS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 7,9 mOhm; 129A; 217W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
7 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 7,9mOhm | 129A | 217W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Texas Instruments |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.