Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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DMP2165UW-7
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-12V; 90mOhm; 2,5A; 500 mW; -55°C~150°C; DMP2165UW-13;
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Auf Lager:
1800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 4,5V | 12V | 90mOhm | 2,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP2165UW-7 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
141000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 4,5V | 12V | 90mOhm | 2,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP2165UW-13 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 4,5V | 12V | 90mOhm | 2,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP2165UW-7 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
618000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 4,5V | 12V | 90mOhm | 2,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
DMP21D0UT-7
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 495 mOhm; 590mA; 240 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/15000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 495mOhm | 590mA | 240mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | |||||||||||||
DMP2305U-7 Diodes
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 113mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 113mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Auf Lager:
70 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 113mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP2305U-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
867000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 113mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP2305U-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
90000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 113mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP2305U-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
924000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 113mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
DMP3036SSS-13
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 29mOhm; 19,5A; 1,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
180 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 29mOhm | 19,5A | 1,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3036SSS-13 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 29mOhm | 19,5A | 1,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||||||||||
DMP3056L-7 Diodes
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 70mOhm; 4,3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
350 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 70mOhm | 4,3A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3056L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
381000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 70mOhm | 4,3A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3056L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
63000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 70mOhm | 4,3A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3056L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
2800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 70mOhm | 4,3A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
DMP3068L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R DMP3068L-13
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Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3068L-13 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | -30V | 12V | 72mOhm | -3,9A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES/ZETEX | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3068L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | -30V | 12V | 72mOhm | -3,9A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES/ZETEX | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3068L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
33000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | -30V | 12V | 72mOhm | -3,9A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES/ZETEX | |||||||||||||
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | -30V | 12V | 72mOhm | -3,9A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES/ZETEX | |||||||||||||
DMP3098L-7
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 120mOhm; 3,8A; 1,08W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1015 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 120mOhm | 3,8A | 1,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3098L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
717000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 120mOhm | 3,8A | 1,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3098L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
27000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 120mOhm | 3,8A | 1,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3098L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
33000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 120mOhm | 3,8A | 1,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
DMP3099L-7
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 99mOhm; 3,8A; 1,08 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMP3099L-13; DMP3099L-7;
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Auf Lager:
18000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/24000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 99mOhm | 3,8A | 1,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3099L-13 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 99mOhm | 3,8A | 1,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3099L-13 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
80000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 99mOhm | 3,8A | 1,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3099L-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1803000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 99mOhm | 3,8A | 1,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
DMP4015SSS-13
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 15mOhm; 10,1A; 1,82 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
1029 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 25V | 15mOhm | 10,1A | 1,82W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP4015SSS-13 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
12500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 25V | 15mOhm | 10,1A | 1,82W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP4015SSS-13 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
25000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 25V | 15mOhm | 10,1A | 1,82W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||||||||||
DMP4051LK3-13
P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP4051LK3-13 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP4051LK3-13 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
80000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP4051LK3-13 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
7500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
DMP4065S-7
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 100 mOhm; 3,4A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
4184 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 100mOhm | 3,4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
JMTG3002B JIEJIE
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 5mOhm; 120A; 48W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
Jiejie Microelectronics Hersteller-Teilenummer: JMTG3002B RoHS Präzisionsgehäuse: POWERDI5060-8 |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5mOhm | 120A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | POWERDI5060-8 | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
EPC2059
GANFET-Transistor; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
EPC Hersteller-Teilenummer: EPC2059 RoHS Präzisionsgehäuse: DIE(2.8x1.4) |
Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5 Menge (mehrere 1) |
GANFET | 170V | 6V | 9mOhm | 24A | SMD | -40°C ~ 150°C | EPC | |||||||||||||||
FCD5N60TM
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 4,6A; 54W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FCD5N60TM RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 950mOhm | 4,6A | 54W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Fairchild | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCD5N60TM Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 950mOhm | 4,6A | 54W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Fairchild | |||||||||||||
FCPF11N60
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 380 mOhm; 11A; 36W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220FP |
Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 380mOhm | 11A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60 Präzisionsgehäuse: TO220FP |
Externes Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 380mOhm | 11A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60 Präzisionsgehäuse: TO220FP |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 380mOhm | 11A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FCPF1300N80Z Fairchild
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,3 Ohm; 4A; 24W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 800V | 30V | 1,3Ohm | 4A | 24W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
FCPF400N80Z Fairchild
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 400 mOhm; 11A; 35,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 800V | 30V | 400mOhm | 11A | 35,7W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
FDB13AN06A0
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 13,5 mOhm; 62A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
194 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 10V | 13,5mOhm | 62A | 15W | SMA | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB13AN06A0 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
22400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 10V | 13,5mOhm | 62A | 15W | SMA | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDB28N30TM
Transistor-N-Channel-MOSFET; 300V; 10V; 129 mOhm; 28A; 250 W; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
8 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 300V | 10V | 129mOhm | 28A | 250W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB28N30TM Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
MOSFET | 300V | 10V | 129mOhm | 28A | 250W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDB33N25TM
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 94mOhm; 33A; 235 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB33N25TM RoHS Präzisionsgehäuse: D2PAK t/r |
Auf Lager:
45 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 250V | 30V | 94mOhm | 33A | 235W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB33N25TM Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
33600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 94mOhm | 33A | 235W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB33N25TM Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 94mOhm | 33A | 235W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDB33N25TM Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 94mOhm | 33A | 235W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDB52N20TM
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
102 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM Präzisionsgehäuse: TO263 (D2PAK) |
Externes Lager:
1600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM Präzisionsgehäuse: TO263 (D2PAK) |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDC2512
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 875 mOhm; 1,4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
111 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 875mOhm | 1,4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT6L | Fairchild | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC2512 Präzisionsgehäuse: SSOT6L |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 875mOhm | 1,4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT6L | Fairchild | |||||||||||||
FDC608PZ
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 43mOhm; 5,8A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC608PZ RoHS .608Z Präzisionsgehäuse: TSOT23-6 t/r |
Auf Lager:
230 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10/250 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 43mOhm | 5,8A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC608PZ Präzisionsgehäuse: TSOT23-6 |
Externes Lager:
36000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 43mOhm | 5,8A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDC608PZ Präzisionsgehäuse: TSOT23-6 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 43mOhm | 5,8A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDC6420C SSOT-6
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: FDC6420C-VB;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6420C RoHS Präzisionsgehäuse: SSOT6L |
Auf Lager:
2975 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 184mOhm | 3A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT6L | Fairchild | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6420C Präzisionsgehäuse: SSOT6L |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 184mOhm | 3A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT6L | Fairchild | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6420C Präzisionsgehäuse: SSOT6L |
Externes Lager:
15000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 184mOhm | 3A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT6L | Fairchild | |||||||||||||
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDC6420C Präzisionsgehäuse: SSOT6L |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 184mOhm | 3A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT6L | Fairchild | |||||||||||||
FDC6506P
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 280 mOhm; 1,8A; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,8A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||||||||||
FDC658AP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 75 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
4 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC658AP Präzisionsgehäuse: TSOT23-6 |
Externes Lager:
21000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDC658AP Präzisionsgehäuse: TSOT23-6 |
Externes Lager:
96000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD120AN15A0 ON Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 302 mOhm; 14A; 65W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD120AN15A0 RoHS Präzisionsgehäuse: DPAK t/r |
Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5/10 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 302mOhm | 14A | 65W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD120AN15A0 Präzisionsgehäuse: DPAK |
Externes Lager:
7500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 302mOhm | 14A | 65W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD13AN06A0 ON Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 34 mOhm; 50A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD13AN06A0 RoHS Präzisionsgehäuse: DPAK t/r |
Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 34mOhm | 50A | 115W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD306P ON Semiconductor
P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 90mOhm; 6,7A; 52W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 90mOhm | 6,7A | 52W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD3706 ON Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 19mOhm; 50A; 44W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD3706 RoHS Präzisionsgehäuse: DPAK |
Auf Lager:
8 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5/10 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 19mOhm | 50A | 44W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.