Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Hersteller
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
AP72T03GH-HF-3 RoHS || AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP72T03GH-HF-3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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90 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5371 0,2989 0,2359 0,2214 0,2144
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Standard-Verpackung:
100
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N-MOSFET 30V 20V 15mOhm 62A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP80N03GP RoHS || AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO220
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP80N03GP RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
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75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6188 0,3876 0,3036 0,2872 0,2685
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 12mOhm 80A 83,3W THT -55°C ~ 150°C TO220 Advanced Power Electronics Corp.
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55 °C ~ 175 °C;
AP85T03GH-HF-3 RoHS || AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP85T03GH-HF-3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
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72 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6445 0,4040 0,3363 0,2989 0,2802
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 10mOhm 75A 107W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9435GG P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; AP9435GG-VB;
AP9435GG-HF RoHS || AP9435GG SOT-89
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9435GG-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT-89
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,4367 0,2849 0,2099 0,1807 0,1681
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Advanced Power Electronics Corp.
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9435GJ ROHS || AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9435GJ ROHS
Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
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Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4437 0,2685 0,2064 0,1863 0,1772
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 20A 12,5W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp.
AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 6A; 2,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9435GK RoHS || AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9435GK RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6282 0,3946 0,3269 0,2919 0,2732
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 100mOhm 6A 2,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9435GM-HF-3TR;
AP9435GM-HF RoHS || AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9435GM-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2499 0,1329 0,1030 0,0950 0,0911
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 5,3A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9474GM-HF RoHS || AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO-8
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9474GM-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SO-8
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Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5628 0,3409 0,2615 0,2359 0,2249
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 13mOhm 12,8A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SO-8 Advanced Power Electronics Corp.
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9563GH RoHS || AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9563GH RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3993 0,2615 0,1878 0,1642 0,1539
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 40V 25V 60mOhm 26A 39W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9563GJ RoHS || AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9563GJ RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
120 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 80+ 160+ 800+
Preis netto (EUR) 0,4437 0,2685 0,1966 0,1875 0,1770
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Standard-Verpackung:
80/160
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 40V 25V 60mOhm 26A 39W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp.
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9563GK RoHS || AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9563GK RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4554 0,2522 0,1992 0,1880 0,1819
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 40V 20V 60mOhm 6,8A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9563GM RoHS || AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9563GM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4694 0,2826 0,2181 0,1969 0,1873
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 40V 25V 60mOhm 6A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9567GH RoHS || AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9567GH RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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Auf Lager:
380 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4460 0,2475 0,1948 0,1768 0,1712
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 40V 20V 70mOhm 22A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9926GEO RoHS || AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TSSOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9926GEO RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3316 0,2167 0,1553 0,1357 0,1273
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 40mOhm 4,6A 1W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9962GH-HF-3TR;
AP9962GH RoHS || AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9962GH RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9131 0,5745 0,4507 0,4110 0,3970
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 30mOhm 32A 27,8W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9971GH-HF-3 RoHS || AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9971GH-HF-3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4437 0,2662 0,2041 0,1838 0,1775
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 50mOhm 25A 39W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 125 mOhm; 11A; 21W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9977GH-HF-3 RoHS || AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9977GH-HF-3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4717 0,2826 0,2165 0,1950 0,1882
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 25V 125mOhm 11A 21W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 3,2A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9997GK-HF-3 RoHS || AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP9997GK-HF-3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
285 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,6118 0,3853 0,3036 0,2756 0,2662
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 200mOhm 3,2A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
AUIRF1010EZS International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 84A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRF1010EZSTRL;
AUIRF1010EZS RoHS || AUIRF1010EZS International Rectifier D2PAK
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRF1010EZS RoHS
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Auf Lager:
6 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,9756 1,6089 1,3964 1,2937 1,2353
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 8,5mOhm 84A 140W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK International Rectifier
AUIRF1404 International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRF1404 RoHS || AUIRF1404 International Rectifier TO220AB
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRF1404 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220AB
 
Auf Lager:
18 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,7275 2,2324 1,9476 1,7701 1,7047
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 4mOhm 202A 333W THT -55°C ~ 175°C TO220AB International Rectifier
AUIRF3710ZSTRL N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRF3710ZSTRL; AUIRF3710ZS;
AUIRF3710ZS RoHS || AUIRF3710ZSTRL D2PAK
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRF3710ZS RoHS
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,9979 3,3837 3,0147 2,7765 2,6831
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 59A 160W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK International Rectifier
AUIRF4905S International Rectifier P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
AUIRF4905S RoHS || AUIRF4905S International Rectifier D2PAK
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRF4905S RoHS
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
Preis netto (EUR) 5,3709 4,9483 4,6891 4,5163 4,4766
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 55V 20V 20mOhm 70A 170W SMD -55°C ~ 150°C D2PAK International Rectifier
AUIRF7416QTR International Rectifier P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AUIRF7416QTR RoHS || AUIRF7416QTR International Rectifier SOIC08
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRF7416QTR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,5132 1,0578 0,8710 0,8103 0,7963
Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 International Rectifier
AUIRF9540N P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 117 mOhm; 23A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRF9540N RoHS || AUIRF9540N TO220
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRF9540N RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
46 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7794 1,4175 1,2143 1,0905 1,0462
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 100V 20V 117mOhm 23A 140W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
AUIRF9Z34N International Rectifier P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRF9Z34N RoHS || AUIRF9Z34N International Rectifier TO220AB
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRF9Z34N RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220AB
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,4595 1,0205 0,8383 0,7800 0,7683
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 55V 20V 100mOhm 19A 68W THT -55°C ~ 175°C TO-220AB International Rectifier
AUIRFR4104 International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,5 mOhm; 119A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRFR4104 ROHS || AUIRFR4104 International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRFR4104 ROHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Preis netto (EUR) 1,1723 0,8173 0,6936 0,6422 0,6165
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 5,5mOhm 119A 140W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRFR5305 International Rectifier P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
AUIRFR5305 RoHS || AUIRFR5305 International Rectifier DPAK
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
AUIRFR5305 RoHS
Präzisionsgehäuse:
DPAK
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 150+
Preis netto (EUR) 2,1998 1,7374 1,5646 1,4899 1,4665
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Standard-Verpackung:
75/150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 55V 20V 65mOhm 31A 110W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFR8401 International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,25 mOhm; 100A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
AUIRFR8401 RoHS || AUIRFR8401 International Rectifier DPAK
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRFR8401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3264 0,9294 0,7893 0,7216 0,6982
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Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
 
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRFR8401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
 
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3661 0,9574 0,8126 0,7426 0,7192
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFS8405 International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 193A; 163W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFS8405TRL;
AUIRFS8405TRL RoHS || AUIRFS8405 International Rectifier TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRFS8405TRL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4969 1,1933 1,0228 0,9177 0,8804
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 193A 163W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
AUIRFZ44N International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRFZ44N RoHS || AUIRFZ44N International Rectifier TO220AB
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRFZ44N RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220AB
Datenblatt
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5039 1,2003 1,0275 0,9224 0,8850
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 20V 17,5mOhm 49A 94W THT -55°C ~ 175°C TO220AB International Rectifier
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.