Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Montage
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
90 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 15mOhm | 62A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
75 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 80A | 83,3W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
72 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 10mOhm | 75A | 107W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9435GG
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; AP9435GG-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
150 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
180 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 20A | 12,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 6A; 2,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
70 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 100mOhm | 6A | 2,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9435GM-HF-3TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
1000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 5,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
180 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13mOhm | 12,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SO-8 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
90 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 25V | 60mOhm | 26A | 39W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
120 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 80/160 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 25V | 60mOhm | 26A | 39W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
20 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 60mOhm | 6,8A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
200 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 25V | 60mOhm | 6A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
380 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 70mOhm | 22A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
180 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 4,6A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9962GH-HF-3TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
150 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 30mOhm | 32A | 27,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9971GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
240 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 25A | 39W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 125 mOhm; 11A; 21W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
240 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 125mOhm | 11A | 21W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 3,2A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
285 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 3,2A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AUIRF1010EZS International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 84A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRF1010EZSTRL;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer: AUIRF1010EZS RoHS Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Auf Lager:
6 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,5mOhm | 84A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF1404 International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer: AUIRF1404 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220AB |
Auf Lager:
18 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4mOhm | 202A | 333W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF3710ZSTRL
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRF3710ZSTRL; AUIRF3710ZS;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
20 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF4905S International Rectifier
P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
40 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF7416QTR International Rectifier
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
45 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF9540N
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 117 mOhm; 23A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
46 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF9Z34N International Rectifier
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
20 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO-220AB | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFR4104 International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,5 mOhm; 119A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
50 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 75 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 119A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFR5305 International Rectifier
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
150 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 75/150 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFR8401 International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,25 mOhm; 100A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer: AUIRFR8401 RoHS Präzisionsgehäuse: DPAK |
Auf Lager:
20 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 75 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,25mOhm | 100A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | International Rectifier | |||||||||||||
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer: AUIRFR8401 RoHS Präzisionsgehäuse: DPAK t/r |
Auf Lager:
100 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,25mOhm | 100A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFS8405 International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 193A; 163W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFS8405TRL;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
25 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,3mOhm | 193A | 163W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFZ44N International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
16 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 17,5mOhm | 49A | 94W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | International Rectifier |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.