Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
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Max. Drainstrom
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Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
AUIRLR014N International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRLR014N RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
222 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
Preis netto (EUR) 0,6072 0,3853 0,2919 0,2756 0,2639
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Standard-Verpackung:
75/225
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 16V 210mOhm 10A 28W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRLR3705Z International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; VERALTET; Äquivalent: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
AUIRLR3705Z RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0783 1,5949 1,4175 1,3381 1,2984
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Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 16V 12mOhm 89A 130W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
BF1202WR 2xN-MOSFET-Transistor; 10V; 6V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C;
BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Hersteller:
Philips
Hersteller-Teilenummer:
BR1202WR 115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT343R
 
Auf Lager:
69 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
Preis netto (EUR) 0,3199 0,1887 0,1450 0,1284 0,1228
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Standard-Verpackung:
69
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 10V 6V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT343R NXP
BM3415E SOT23 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;
BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN
Hersteller-Teilenummer:
BM3415E RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
280 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1934 0,0969 0,0577 0,0479 0,0430
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 4,8A 1,5W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
BS107P DIODES N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
BS107P RoHS || BS107P || BS107P DIODES TO92
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8267 0,5231 0,4133 0,3760 0,3596
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8267 0,5231 0,4133 0,3760 0,3596
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS107P
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
7891 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3596
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
BS170 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170 (Masse); BS170G (Röhre); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
BS170 RoHS || BS170 || BS170-D27Z || BS170 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
 
Auf Lager:
2003 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2709 0,1305 0,0892 0,0789 0,0771
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
17000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0771
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
89378 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0771
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170-D27Z
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0771
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
BS170-D26Z (krępowane=forming) N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170_D26Z (Rolle); BS170_D27Z(Rolle); BS170_D74Z/BS170_D75Z(Munition); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170-BAND; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
BS170-D26Z RoHS || BS170FTA || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170-D26Z RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92formed t/r
 
Auf Lager:
3720 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3293 0,1824 0,1441 0,1308 0,1266
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Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA
Präzisionsgehäuse:
TO92formed
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2053
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA
Präzisionsgehäuse:
TO92formed
 
Externes Lager:
69000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1349
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
BS170FTA smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15 mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;
BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
565 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4951 0,2989 0,2307 0,2081 0,1980
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Standard-Verpackung:
2403
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 0,15mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS250P P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
BS250P RoHS || BS250P || BS250P TO92formed
Hersteller:
Zetex
Hersteller-Teilenummer:
BS250P RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
 
Auf Lager:
435 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8010 0,5044 0,3946 0,3596 0,3479
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS250P
Präzisionsgehäuse:
TO92formed
 
Externes Lager:
42029 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3479
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-01
Anzahl der Stücke: 500
                     
BS250FTA P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330 mW; -55°C~150°C;
BS250FTA RoHS || BS250FTA || BS250FTA SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5418 0,3293 0,2522 0,2279 0,2169
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2169
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625 W | TO92
BS270 RoHS || BS270 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS270 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
494 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
Preis netto (EUR) 0,3713 0,2405 0,1859 0,1576 0,1424
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Standard-Verpackung:
494
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
BSC010NE2LSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010NE2LSATMA1;
BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2330 0,9411 0,7800 0,6819 0,6492
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC010NE2LSATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6492
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N04LS G N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC016N04LSGATMA1;
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
38 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5926 1,2166 1,0065 0,8827 0,8383
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N06NS N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
64 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,5757 2,0433 1,8471 1,7467 1,7164
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NSATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,7164
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC018NE2LS Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 69W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7846 0,4927 0,4087 0,3643 0,3409
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LSATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3409
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N02KSG Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC019N02KSGAUMA1;
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC019N02KSG RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5225 1,0648 0,9061 0,8290 0,8010
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 3mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,6785 2,0573 1,8285 1,7117 1,6743
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC019N04NSGATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6743
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC022N04LS6 N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,2 mOhm; 139A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC022N04LS6ATMA1;
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 2,9867 2,4683 2,1624 2,0153 1,9265
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,2mOhm 139A 79W SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC024NE2LS INFINEON N-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 3,4 mOhm; 100A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC024NE2LSATMA1;
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1279 0,7496 0,6212 0,5604 0,5371
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Standard-Verpackung:
510
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC024NE2LSATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5371
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC027N04LSG N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSG TDSON-8
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC027N04LSG RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
81 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0648 0,7076 0,5861 0,5278 0,5067
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3264 0,9294 0,7893 0,7216 0,6982
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Standard-Verpackung:
2300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC042N03LSGATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 93A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSG RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
67 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7356 0,4624 0,3830 0,3409 0,3199
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSGATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3199
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,2 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC042NE7NS3G RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8308 1,4502 1,2353 1,1349 1,0765
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 75V 20V 4,2mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC070N10NS3 G N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC070N10NS3GATMA1;
BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3GATMA1 || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3G RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9195 1,6113 1,4315 1,3217 1,2797
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3GATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
 
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2797
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 34V; 20V; 11,8 mOhm; 44A; 27W; -55 °C ~ 150 °C;
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5091 0,2826 0,2225 0,2099 0,2032
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NSATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2032
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC190N15NS3G Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC190N15NS3GATMA1;
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3GATMA1 || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8705 1,4852 1,3427 1,2703 1,2470
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC190N15NS3GATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2470
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC190N15NS3GATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2470
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC440N10NS3G RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5482 1,0835 0,8944 0,8267 0,8150
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
MOSFET 100V 20V 44mOhm 5,3A 29W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 INFINEON
BSD214SN Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SNH6327XTSA1 || BSD214SN Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
17 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
Preis netto (EUR) 0,3456 0,2249 0,1656 0,1427 0,1326
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Standard-Verpackung:
147
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD214SNH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1326
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235CH6327XTSA1 N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 600 mOhm/2,1 Ohm; 950mA/530mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3635 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2756 0,1462 0,1133 0,1046 0,1002
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
321000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1002
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
60000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1002
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1002
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235NH6327XTSA1 Transistor-N-Channel-MOSFET; 20V; -/+12V; 226 mOhm; 950mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1700 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2615 0,1443 0,0957 0,0801 0,0745
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
75000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0745
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.