Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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AUIRLR014N International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
222 Stk. |
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Standard-Verpackung: 75/225 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 210mOhm | 10A | 28W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRLR3705Z International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; VERALTET; Äquivalent: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
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Auf Lager:
75 Stk. |
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Standard-Verpackung: 75 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 12mOhm | 89A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
BF1202WR
2xN-MOSFET-Transistor; 10V; 6V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
Philips Hersteller-Teilenummer: BR1202WR 115 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT343R |
Auf Lager:
69 Stk. |
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Standard-Verpackung: 69 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 10V | 6V | 30mA | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT343R | NXP | ||||||||||||||
BM3415E SOT23 BORN
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
280 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 4,8A | 1,5W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | BORN | |||||||||||||
BS107P DIODES
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
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Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS107P Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
7891 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
BS170
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170 (Masse); BS170G (Röhre); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170 RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
2003 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
17000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
89378 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170-D27Z Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
BS170-D26Z (krępowane=forming)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170_D26Z (Rolle); BS170_D27Z(Rolle); BS170_D74Z/BS170_D75Z(Munition); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170-BAND; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170-D26Z RoHS Präzisionsgehäuse: TO92formed t/r |
Auf Lager:
3720 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS170FTA Präzisionsgehäuse: TO92formed |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS170FTA Präzisionsgehäuse: TO92formed |
Externes Lager:
69000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
BS170FTA smd
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15 mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS170FTA RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
565 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2403 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5Ohm | 0,15mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
BS250P
P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
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Hersteller:
Zetex Hersteller-Teilenummer: BS250P RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
435 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250P Präzisionsgehäuse: TO92formed |
Externes Lager:
42029 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-01
Anzahl der Stücke: 500
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BS250FTA
P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330 mW; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 90mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250FTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 90mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
BS270
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625 W | TO92
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Auf Lager:
494 Stk. |
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Standard-Verpackung: 494 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 400mA | 625mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ONSEMI | |||||||||||||
BSC010NE2LSATMA1 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010NE2LSATMA1;
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 1,3mOhm | 100A | 96W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC010NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 1,3mOhm | 100A | 96W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC016N04LS G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC016N04LSGATMA1;
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Auf Lager:
38 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC016N06NS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
64 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,9mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
20000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,9mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC018NE2LS Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 69W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC018NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC019N02KSG Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC019N02KSGAUMA1;
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 3mOhm | 100A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC019N04NSGATMA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,9mOhm | 100A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC019N04NSGATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,9mOhm | 100A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC022N04LS6
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,2 mOhm; 139A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC022N04LS6ATMA1;
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,2mOhm | 139A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC024NE2LS INFINEON
N-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 3,4 mOhm; 100A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC024NE2LSATMA1;
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 510 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 3,4mOhm | 100A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC024NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 3,4mOhm | 100A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC027N04LSG
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
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Auf Lager:
81 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,1mOhm | 100A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 5,7mOhm | 100A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC042N03LSGATMA1 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 93A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
67 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,5mOhm | 93A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC042N03LSGATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,5mOhm | 93A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,2 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
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Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,2mOhm | 100A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC070N10NS3 G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC070N10NS3GATMA1;
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 14mOhm | 90A | 114W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC070N10NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON-8 |
Externes Lager:
15000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 14mOhm | 90A | 114W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC0909NSATMA1 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 34V; 20V; 11,8 mOhm; 44A; 27W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 34V | 20V | 11,8mOhm | 44A | 27W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC0909NSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 34V | 20V | 11,8mOhm | 44A | 27W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC190N15NS3G Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC190N15NS3GATMA1;
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 20mOhm | 50A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 20mOhm | 50A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 20mOhm | 50A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC440N10NS3GATMA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 5,3A | 29W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | INFINEON | |||||||||||||
BSD214SN Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
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Auf Lager:
17 Stk. |
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Standard-Verpackung: 147 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD214SNH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 600 mOhm/2,1 Ohm; 950mA/530mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
3635 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,1Ohm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
321000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,1Ohm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
60000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,1Ohm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,1Ohm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1
Transistor-N-Channel-MOSFET; 20V; -/+12V; 226 mOhm; 950mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
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Auf Lager:
1700 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 20V | 12V | 225mOhm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | INFINEON | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
75000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
MOSFET | 20V | 12V | 225mOhm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | INFINEON |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.