BSS138-7-F Diodes

Symbol Micros: TBSS138 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-7-F RoHS .K38 Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1735 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5630 0,2580 0,1410 0,1050 0,0938
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
630000 szt.
ilość szt. 10000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0938
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
16920000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0938
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
54000 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0938
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD