BSS138P NXP

Symbol Micros: TBSS138p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 360mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: BSS138P RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
62790 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6440 0,3060 0,1720 0,1310 0,1170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/111000
Producent: NXP Symbol producenta: BSS138P,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
110717 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6440 0,3060 0,1720 0,1310 0,1170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS138P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
129175 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS138P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
897000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS138P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
2448000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 360mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD