BSS138 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBSS138 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138LT1G-HXY; BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1300 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3520 0,1390 0,0811 0,0593 0,0542
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD