BSS138NH6327XTSA2 Infineon

Symbol Micros: TBSS138n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138NH6433XTMA1; BSS138NL6327HTSA1; SP000919330;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 230mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS138NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
21885000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1073
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS138NH6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3025000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1206
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS138NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
380000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1225
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 230mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD