BSS138 Fairchild ONS

Symbol Micros: TBSS138 FAI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-FAI; BSS138LT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
340 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9020 0,4290 0,2410 0,1830 0,1640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSS138 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
80000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD