BSS138-TP
Symbol Micros:
TBSS138-TP
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | Micro Comercial Components Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: BSS138-TP RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
31600 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4280 | 0,1690 | 0,0984 | 0,0720 | 0,0658 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: BSS138-TP
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
2683000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0658 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | Micro Comercial Components Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS138LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
77392 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9630 | 0,4570 | 0,2570 | 0,1950 | 0,1750 |
Sposób pakowania: 3000/30000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS138LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1750 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS138LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
330000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1750 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS138LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
30000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1750 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138-7-F Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F;
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS138-7-F RoHS .K38
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
14635 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4850 | 0,2230 | 0,1210 | 0,0906 | 0,0809 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS138-7-F RoHS .K38
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
610000 szt.
| Ilość szt. | 10000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0809 |
Sposób pakowania: 10000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS138-7-F RoHS .K38
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
22602000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0809 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS138-7-F RoHS .K38
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
54000 szt.
| Ilość szt. | 1+ |
| cena netto (PLN) | 0,0824 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138P NXP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BSS138P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
62790 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,6440 | 0,3060 | 0,1720 | 0,1310 | 0,1170 |
Sposób pakowania: 3000/111000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BSS138P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
110717 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,6440 | 0,3060 | 0,1720 | 0,1310 | 0,1170 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS138P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
129175 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1170 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS138P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
897000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1170 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS138P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
2448000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1170 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138NH6327XTSA2 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138NH6433XTMA1; BSS138NL6327HTSA1; SP000919330;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS138NH6327XTSA2
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
21885000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1073 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS138NH6327XTSA2
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
3025000 szt.
| Ilość szt. | 10000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1206 |
Sposób pakowania: 10000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS138NH6327XTSA2
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
380000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1225 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 Fairchild ONS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-FAI; BSS138LT3G;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
340 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9020 | 0,4290 | 0,2410 | 0,1830 | 0,1640 |
Sposób pakowania: 3000/15000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
80000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1640 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BSS138 SS RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3840 | 0,1510 | 0,0883 | 0,0646 | 0,0590 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
20600 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3280 | 0,1260 | 0,0617 | 0,0491 | 0,0469 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2970 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3350 | 0,1290 | 0,0630 | 0,0501 | 0,0479 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4820 | 0,2210 | 0,1200 | 0,0900 | 0,0803 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2600 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4170 | 0,1640 | 0,0959 | 0,0702 | 0,0641 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138LT1G-HXY; BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1300 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3520 | 0,1390 | 0,0811 | 0,0593 | 0,0542 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Producent:
JUXING
Symbol producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
800 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3490 | 0,1350 | 0,0657 | 0,0522 | 0,0499 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)