Tranzystory polowe (wyszukane: 5431)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK7S0R5-40HJ Nexperia USA Inc.
BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88 transistors - fets, mosfets - single
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7S0R5-40HJ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUK9M15-40H
N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 15mOhm 30A 3.44K/W
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M15-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M15-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M15-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUK9M20-40H
N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 20mOhm 25A 3.96K/W
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M20-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M20-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M20-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUK9M6R7-40H
N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 6.7mOhm 50A 2.32K/W
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M6R7-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUL1102EFP STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 450V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP BUL1102EFP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL1102EFP Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2750 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL1102EFP Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUL138 STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 BUL138
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL138 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUL381D
Trans GP BJT NPN 400V 5A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL381D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUL58D STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 450V 8A 85000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 BUL58D
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL58D Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
7100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL58D Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BULD118D-1 STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 400V 2A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK BULD118D-1
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BULD118D-1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BULD118D-1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
58725 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BULD118D-1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4305 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUT11AFTU ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F BUT11AFTU
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BUT11AFTU Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUTW92 STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 250V 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 BUTW92
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUTW92 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
630 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUTW92 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
45 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BUXD87T4 STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 450V 0.5A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK BUXD87T4
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUXD87T4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
C2M0025120D Cree/Wolfspeed
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 20V; 34mOhm; 90A; 463W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
WOLFSPEED Symbol Producenta: C2M0025120D Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
222 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1200V | 20V | 34mOhm | 90A | 463W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Cree | |||||
C2M0040120D Cree/Wolfspeed
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 20V; 84mOhm; 60A; 330W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
WOLFSPEED Symbol Producenta: C2M0040120D Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1200V | 20V | 84mOhm | 60A | 330W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Cree | |||||
DI006P02PW DComponents
MOSFET, -20V, -6A, P, 2W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: DI006P02PW Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3980 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DI010N03PW DComponents
MOSFET, 30V, 10A, N, 1.4W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: DI010N03PW Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3980 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DI035N10PT DComponents
MOSFET, 100V, 35A, N, 25W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: DI035N10PT Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3256 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DI035N10PT-AQ DComponents
MOSFET, 100V, 35A, 25W transistors - fets, mosfets - single
|
||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DI035N10PT-AQ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DI045N10PQ-AQ Diotec Semiconductor
MOSFET, POWERQFN 5X6, 100V, 45A, Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DI045N10PQ-AQ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DI050N04PT-AQ DComponents
MOSFET, 40V, 50A, 37W transistors - fets, mosfets - single
|
||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DI050N04PT-AQ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
100000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMC3021LK4-13
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A Automotive Odpowiednik: DMC3021LK4-13;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3021LK4-13 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3021LK4-13 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3021LK4-13 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMC3400SDW-7
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 700mOhm/1,7Ohm; 650mA/450mA; 390mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMC3400SDW-13;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3400SDW-7 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 1,7Ohm | 650mA | 390mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3400SDW-7 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 1,7Ohm | 650mA | 390mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3400SDW-7 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
663000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 1,7Ohm | 650mA | 390mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | |||||
DMC4015SSD-13
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A Automotive 8-Pin SO T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC4015SSD-13 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 40V | 10V | 15mOhm | 8,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC4015SSD-13 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 40V | 10V | 15mOhm | 8,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-01
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||
DMC4029SSDQ-13
Trans MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A Automotive 8-Pin SO T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC4029SSDQ-13 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG1012TQ-7
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1012TQ-7 Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1012UWQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG1013UWQ-7
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R DMG1013UWQ-13;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1013UWQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1013UWQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1023UVQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1023UVQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG1024UV-7
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 6V; 10Ohm; 1,38A; 530mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1024UV-7 Obudowa dokładna: SOT563 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 6V | 10Ohm | 1,38A | 530mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT563 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1024UV-7 Obudowa dokładna: SOT563 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 6V | 10Ohm | 1,38A | 530mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT563 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1024UV-7 Obudowa dokładna: SOT563 |
Magazyn zewnetrzny:
363000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 6V | 10Ohm | 1,38A | 530mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT563 | DIODES | |||||
DMG2302U-7 DIODES INCORPORATED
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG2302U-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG2302U-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.