Tranzystory polowe (wyszukane: 5431)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR2908
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 24mOhm | 31A | 53,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
GAN063-650WSAQ
Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
260 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
BSS138 SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 22V | 2,5Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
BSS84 SOT23 HT SEMI
Tranzystor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | -60V | 20V | 10Ohm | -130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | HT | |||||||||||||
YFW9926S SOP-8 YFW
20V 5.2A 2W 50m?@4.5V,2.6A 700mV 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS Odpowiednik: IRF7301; IRF7301TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW9926S RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 19mOhm | 7,1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ||||||||||||||
2N7002K SOT23 MDD
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
85370 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7000 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
AO3400A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3400A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,7A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3400A UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
AO3420
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
988 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-12-30
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
AO4629
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4629 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 74mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4805
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 25V; 29mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4805 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 25V | 29mOhm | 9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4805 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 30V | 25V | 29mOhm | 9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
2N7002
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9885 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
789000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4960 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
AO4842
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 30mOhm | 7,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
RTR040N03TL
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS RTR040N03TL-VB; RTR040N03TL-JSM; CJ3400S3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 350 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBsemi | |||||||||||||
AOD409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD409 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 26A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD417
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD417 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
125 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 55mOhm | 25A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-09
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 VISHAY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 40V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
IRLR2908TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRLPBF-VG; IRLR2908TRPBF; IRLR2908TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 35mOhm | 40A | 3,75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBsemi | |||||||||||||
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Stan magazynowy:
11545 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/78000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Stan magazynowy:
360 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-01
Ilość szt.: 30000
|
|||||||||||||||||||||||
AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 40A | 44,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 40A | 44,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AO3407 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,1A | 1,32W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
AO3407 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 87mOhm | 4,1A | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
BS170
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
17000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
89378 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170-D27Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
BS250P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Zetex Symbol Producenta: BS250P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
435 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
42029 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
BSP318SH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW);
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP318SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
687620 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP318SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||||||||||||||
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5,5Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
BSS123,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS123,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
600000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
708000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3117000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
BSS138 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6020 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/21000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.