Tranzystory polowe (wyszukane: 5431)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC256N10LSFGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC265N10LSFGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 66mOhm; 23A; 32W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC340N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
3110000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 66mOhm | 23A | 32W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC340N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 66mOhm | 23A | 32W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC900N20NS3G
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TDSON EP BSC900N20NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC900N20NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSL202SNH6327XTSA1
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive 6-Pin TSOP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL202SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSL308CH6327XTSA1
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm/130mOhm; 2,3A/2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSL308CL6327HTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL308CH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 130mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL308CH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 130mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon Technologies | |||||
BSL308PEH6327 Infineon
2P-MOSFET 30V 2A 80mΩ 500mW BSL308PEH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL308PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSL606SNH6327 Infineon
N-MOSFET 60V 4.5A 60mΩ 2W BSL606SNH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL606SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL606SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSN20BKR
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin TO-236AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSN20BKR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSN20BKR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
78000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSN20BKR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1212000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSN20Q-7
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSN20Q-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
87653 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO040N03MSG INFINEON
N-MOSFET 30V 16A 1.56W 4mΩ BSO040N03MSGXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO040N03MSGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO110N03MSG Infineon
N-MOSFET 30V 10A 1.56W 11mΩ BSO110N03MSGXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO110N03MSGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO110N03MSGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO150N03MDG INFINEON
2N-MOSFET 30V 8A 15mΩ 1.4W BSO150N03MDGXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO150N03MDGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO200P03SH INFINEON
P-MOSFET 30V 7.4A 1.56W 20mΩ BSO200P03SHXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO200P03SHXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO201SPH Infineon
P-MOSFET 20V 12A 1.6W 8mΩ BSO201SPHXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO201SPHXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO604NS2 Infineon
2N-MOSFET 55V 5A 35mΩ 2W BSO604NS2XUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO604NS2XUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO615N Infineon
2N-MOSFET 60V 2.6A 150mΩ 2W BSO615NGHUMA1 BSO615NGXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO615NGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
57500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSP122
BSP122,115
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP122,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP122,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP122,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSP126
N-MOSFET 0.375A 250V 1.5W 5Ω BSP126,135 BSP126,115
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP126,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
7000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP126,135 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP126,135 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
BSP16T1G
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSP16T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSP16T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSP16T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSP220
P-MOSFET 0.225A 200V 1.5W 12Ω BSP220.115
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP220,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP220,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP220,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
BSP225
P-MOSFET 0.225A 250V 1.5W 15Ω BSP225,115
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP225,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP225,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP225,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
BSP295
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
446000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
16275 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||
BSP31
BSP31.115
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP31,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP31,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSP316P
P-MOSFET 0.68A 100V 1.8W 1.8Ω BSP316PH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP316PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
BSP317P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 250V; 20V; 5Ohm; 430mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP317PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP317PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
34000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 250V | 20V | 5Ohm | 430mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP317PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 250V | 20V | 5Ohm | 430mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||
BSP320SH6433XTMA1
N-Channel 60V 2.9A (Tj) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP320SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSP373
N-MOSFET 1.7A 100V 1.8W 0.3Ω BSP373NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP373NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 1,7A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP373NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 1,7A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP373NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 1,7A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||
BSP41
BSP41.115
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP41,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP41,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP41,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSP75GQTA
Low Side IntelliFET SOT223 T&R 1K
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSP75GQTA Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSP75NQTA
Low Side IntelliFET SOT223 T&R 1K
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSP75NQTA Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
43000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSP75NQTA Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSP75NQTA Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.