Tranzystory polowe (wyszukane: 5431)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG2302UKQ-7
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 DMG2302UKQ-13;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG2302UKQ-13 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG2302UKQ-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG2302UKQ-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG2305UXQ-7
P-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23 DMG2305UXQ-13
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG2305UXQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG2305UXQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG2305UXQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
162000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3402LQ-13
Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 DMG3402LQ-7
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3402LQ-13 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3402LQ-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
195000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3402LQ-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3404L-7
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R DMG3404L-13
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3404L-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3406L-13
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3406L-13 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3406L-7
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3406L-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3406L-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
285000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3413L-7
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3413L-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3414UQ-7
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3414UQ-13
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3414UQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3415UFY4Q-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3415UFY4Q-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3415UQ-7
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R AEC-Q101
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3415UQ-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
78000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3415UQ-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3415UQ-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3418L-13
Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3418L-7
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3418L-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3418L-7
Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3418L-13
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3418L-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG3420UQ-7
Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG3420UQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG4466SSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG4466SSS-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG4800LFG-7
Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A Automotive 8-Pin DFN EP
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG4800LFG-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG4800LSD-13
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG4800LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG4800LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
37500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG4800LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
115000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG4800LSDQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG4800LSDQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG5802LFX-7
Trans MOSFET N-CH 24V 6.5A Automotive 6-Pin DFN EP T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG5802LFX-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG6301UDW-7
Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A Automotive SOT363-6 DMG6301UDW-13
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG6301UDW-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG6301UDW-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG6602SVT-7
N/P-MOSFET 3.4/2.8A 30V 840mW 0.06/0.095Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG6602SVT-7 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG6602SVT-7 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG6602SVT-7 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
156000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | ||||||||||||||
DMG6602SVTQ-7
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100/140mOhm; 3,4/2,8A; 840mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG6602SVTQ-7 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 140mOhm | 3,4A | 840mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG6602SVTQ-7 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 140mOhm | 3,4A | 840mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG6602SVTQ-7 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 140mOhm | 3,4A | 840mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | DIODES | |||||
DMG7430LFGQ-13
DMG7430LFGQ-7
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG7430LFGQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG7430LFGQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG7430LFGQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMG9933USD-13
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive 8-Pin SO T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG9933USD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-TSN1820- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1001UCA10-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMN1004UFV-7
Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R DMN1004UFV-13
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1004UFV-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMN1008UFDF-13
Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R DMN1008UFDF-7
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1008UFDF-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1008UFDF-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 Diodes
N-MOSFET 12V 11A 10mΩ 690mW
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1019UFDE-7 Obudowa dokładna: uDFN06 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMN1019USN-7
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R DMN1019USN-13
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1019USN-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1019USN-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMN1019UVT-13
Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A Automotive TSOT26-6 DMN1019UVT-7;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1019UVT-13 Obudowa dokładna: TSOT26-6 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMN1029UFDB-7
Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R DMN1029UFDB-13;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1025UFDB-7 Obudowa dokładna: UDFN6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1029UFDB-7 Obudowa dokładna: UDFN6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1029UFDB-7 Obudowa dokładna: UDFN6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.