Tranzystory polowe (wyszukane: 5431)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP75NTA
60V self-protected low-side MOSFET switch
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSP75NTA Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
198000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSP75NTA Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
91000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSP92P / BSP92PH6327XTSA1
P-MOSFET 0.26A 250V 1.8W 12Ω Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP92PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP92PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
BSR316PH6327XTSA1
P-MOSFET 0.36A 100V 0.500W 1.8Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSR316PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,18Ohm | 360mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-59 | INFINEON | |||||
BSR58
JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSR58 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSR58 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
168000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSR92PH6327XTSA1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 250V; 20V; 20Ohm; 140mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR92P; BSR92PL6327; BSR92PL6327HTSA1; SP001101038; BSR92PL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSR92PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 250V | 20V | 20Ohm | 140mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSR92PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
141000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 250V | 20V | 20Ohm | 140mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Infineon Technologies | |||||
BSS123L
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 BSS123L6327XT BSS123L6433XT BSS123LT7G
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123L Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123L Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123L Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
78000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123NH6433XTMA1; BSS123NH6327; BSS123NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS123NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
7251000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS123NH6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1183999 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS123NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
BSS123Q DIODES INCORPORATED
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS123Q-7 BSS123Q-13 BSS123Q-7-F
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123Q-13 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
980000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123Q-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123Q-13 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS123TA DIODES INCORPORATED
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123TA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123TA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123TA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS123WQ-7-F DIODES INCORPORATED
Trans MOSFET N-CH 100V 170A Automotive 3-Pin SOT-323
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123WQ-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123WQ-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
279000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS127S-7
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS127S-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
534000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS127S-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS127S-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS127SSN-7
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A Automotive 3-Pin SC-59
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS127SSN-7 Obudowa dokładna: SC59 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS138BKS NXP
2N-MOSFET 60V 320mA 1.6Ω 445mW BSS138BKS,115
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138BKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
12580 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138BKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138BKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS138DWQ DIODES INCORPORATED
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 BSS138DWQ-7 BSS138DWQ-13
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DWQ-13 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
330000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DWQ-7 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DWQ-13 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138NH6433XTMA1; BSS138NL6327HTSA1; SP000919330;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS138NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
19665000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS138NH6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1700000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS138NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
713000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
BSS138Q-7-F
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138Q-7-F Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
363000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS138W Fairchild ONS
N-MOSFET 50V 0.21A 3.5mΩ 340mW
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138W Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3,5Ohm | 210mA | 340mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138W Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
543000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3,5Ohm | 210mA | 340mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138W Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3,5Ohm | 210mA | 340mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Fairchild | |||||
BSS169H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS169H6327; BSS169H6327XTSA1; BSS169I; SP005558635; BSS169; BSS169H6906XTSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS169H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
387000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS169H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
14700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS169H6906XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
BSS192 smd
P-MOSFET 200mA 240V 1W 12Ω BSS192,115
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS192,135 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 240V | 20V | 12Ohm | 200mA | 1W | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT89 | Philips | |||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS192,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 240V | 20V | 12Ohm | 200mA | 1W | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT89 | Philips | |||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS192,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 240V | 20V | 12Ohm | 200mA | 1W | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT89 | Philips | |||||
BSS214NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS214NH6327XTSA1; BSS214NH6327;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS214NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
BSS215PH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS215PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS215PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
561000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 280mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS215PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 280mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
BSS315PH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 270mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 270mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
186000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 270mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||
BSS670S2LH6327 Infineon
N-MOSFET 55V 540mA 650mΩ 360mW BSS670S2LH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS670S2LH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
141000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS670S2LH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
234000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS670S2LH6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS84-TP
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS84-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1587000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS8402DWQ-13
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 BSS8402DWQ-7
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DWQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DWQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DWQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS84DWQ-13
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 BSS84DWQ-7
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DWQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DWQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS84Q-13-F
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS84Q-7-F
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84Q-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
290000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84Q-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
300000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84Q-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS84WQ-7-F
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-323
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84WQ-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84WQ-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84WQ-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
315000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ018NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ018NE2LSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.