Transistoren IGBT (Ergebnisse: 333)
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Maximale Verlustleistung
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Gate-Ladung
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Gehäuse
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Montage
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Hersteller
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Betriebstemperatur (Bereich)
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IKW50N65SS5XKSA1
INDUSTRY 14
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N65SS5XKSA1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
240 Stk. |
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Standard-Verpackung: 240 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IKW75N65SS5XKSA1
INDUSTRY 14
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW75N65SS5XKSA1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
480 Stk. |
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Standard-Verpackung: 240 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IKWH30N65WR6
IGBT TRENCH IKWH30N65WR6XKSA1
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IKWH30N65WR6XKSA1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
236 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGWA25M120DF3 STMicroelectronics
Tranzystor IGBT Chip N-CH 1,2kV; 25A; 375W; TO247-3;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGWA25M120DF3 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
2400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGWA25M120DF3 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
550 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGWA25M120DF3 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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DGTD120T25S1PT
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DGTD120T25S1PT Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 450 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IXXH110N65C4
Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Hersteller:
LITTELFUSE Hersteller-Teilenummer: IXXH110N65C4 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
23 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IXXH30N60B3D1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Hersteller:
LITTELFUSE Hersteller-Teilenummer: IXXH30N60B3D1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
175 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IXXH60N65B4H1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Hersteller:
LITTELFUSE Hersteller-Teilenummer: IXXH60N65B4H1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
LITTELFUSE Hersteller-Teilenummer: IXXH60N65B4H1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
90 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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DGTD65T15H2TF
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
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Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DGTD65T15H2TF Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: FS35R12W1T4BOMA1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGWT40HP65FB STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube; STGWT40HP65FB;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGWT40HP65FB Präzisionsgehäuse: TO-3P |
Externes Lager:
2040 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGF10M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGF10M65DF2 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGF10M65DF2 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGF10H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGF10H60DF Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
10550 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGF10H60DF Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
10150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGF10H60DF Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGD7NC60HT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGD7NC60HT4 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGB20N45LZAG
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGB20N45LZAG Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGB20M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGB20M65DF2 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGB20M65DF2 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGB19NC60HDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGB19NC60HDT4 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGB18N40LZT4
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGB18N40LZT4 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
56000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGB15H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGB15H60DF Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGB15H60DF Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STGWA75H65DFB2
Tranzystor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3; Transistors - IGBTs - Single; STGW75H65DFB2-4;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGWA75H65DFB2 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
5010 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STGWA75H65DFB2 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
687 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-15
Anzahl der Stücke: 90
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-15
Anzahl der Stücke: 90
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SGT40N60FD2PT TO-3PN SILAN
IGBT TRANSISTOR
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IKW08N120CS7
IGBT Trench Field Stop 1200 V 21 A 106 W Through Hole PG-TO247-3 IKW08N120CS7XKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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15T65
Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C; SL15T65FF; 15T65SD; MSG15T65FL;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IKWH100N65EH
Transistor IGBT; 160; 650V; 20V; 199nC; 140A; 427W; -40°C~175°C;
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650V | 20V | 140A | 400A | 427W | 199nC | TO247 | THT | INFINEON | -40°C ~ 175°C | |||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IKWH40N65EH7
Transistor IGBT; 650V; 20V; 81nC; 80A; 208W; -40°C~175°C;
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650V | 20V | 80A | 160A | 208W | 81nC | TO247 | THT | INFINEON | -40°C ~ 175°C | |||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IKWH75N65EH7
Transistor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
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650V | 20V | 80A | 300A | 341W | 150nC | TO247 | THT | INFINEON | -55°C ~ 150°C | |||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SL15T65FF SLKOR
Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
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650V | 20V | 30A | 60A | 48W | 4,5V ~ 6,5V | 61nC | TO220iso | THT | SLKOR | -40°C ~ 175°C | ||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SL50T120FZ SLKOR
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
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1200V | 20V | 100A | 200A | 535W | 4,5V ~ 6,5V | 311nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IGBT-Transistoren
In unserem Sortiment finden Sie viele verschiedene Transistoren, einschließlich der als IGBT bezeichneten Typen. Diese Transistoren sind eine spezielle Variante der bipolaren Transistoren und verfügen über ein isoliertes Gate. Der vollständige Name des IGBT lautet – Insulated Gate Bipolar Transistor. Man kann sagen, dass IGBT-Transistoren eine Kombination aus MOSFET-Transistoren (Eingang) und bipolaren Transistoren (Ausgang) darstellen. Interessanterweise sind IGBT-Transistoren in vielen Anwendungen eine kostengünstigere Alternative zu traditionellen Modellen, da sie eine niedrigere Einschaltspannung haben. Dies ist insbesondere im Vergleich zu MOSFET-Transistoren mit ähnlichen Spannungsbereichen und vergleichbaren Größen der Fall.
Was zeichnet IGBT-Transistoren aus?
IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen bipolaren Strom aus, der mit dem Fluss von Löchern und Elektronen verbunden ist. Die Injektion von Lochträgern aus dem p+-Bereich in den n--Bereich reduziert signifikant den effektiven Widerstand im Driftbereich. Dadurch wird die Leitfähigkeit erhöht, was wiederum die Kollektor-Emitter-Spannung im leitenden Zustand reduziert. Dieser Faktor wird als der Hauptvorteil der IGBT-Transistoren im Vergleich zu traditionellen MOSFET-Transistoren angesehen. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der IGBT-Leistungstransistor eine niedrigere Spannung aufweist, die auf Kosten einer reduzierten Schaltgeschwindigkeit, insbesondere der Ausschaltgeschwindigkeit, erreicht wird.
Stärken und Schwächen des IGBT-Transistors
Der IGBT-Transistor eignet sich hervorragend für den Einsatz bei höheren Spannungen. Gleichzeitig sollte jedoch beachtet werden, dass IGBT-Transistoren in der Regel nicht parallel geschaltet werden können. Geräte dieser Kategorie, die Sie in unserem Angebot finden, werden hauptsächlich in Frequenzumrichtern verwendet, die Leistungen von bis zu mehreren hundert Watt erreichen können. Durch den Einsatz eines IGBT-Transistors können Sie die Energieverluste um bis zu 60% reduzieren. Zudem erhalten Sie einen breiteren Regelbereich für Geräte und bessere Parameter. Wenn Sie sich nicht sicher sind, welche IGBT-Transistoren am besten für Ihre Geräte und Projekte geeignet sind, kontaktieren Sie unsere Mitarbeiter, die Ihnen bei der Auswahl des richtigen Modells helfen werden. Wir führen auch eine Reihe anderer Transistoren – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Wir laden Sie ein, unser vollständiges Angebot zu erkunden.
IGBT - Transistoren in unserem Angebot
In unserem Shop finden Sie verschiedene Modelle von IGBT-Transistoren von führenden Herstellern. Die einzelnen Modelle dieser Geräte können sich unter anderem in folgenden Punkten unterscheiden:
- Kollektor-Emitter-Spannung,
- Gate-Emitter-Spannung,
- maximalem Kollektorstrom,
- maximalem Impuls-Kollektorstrom,
- maximaler Verlustleistung,
- Durchlassspannung,
- Gate-Ladung,
- Gehäuse,
- Marke,
- Temperaturbereich, in dem sie betrieben werden können.
Jeder IGBT-Transistor, der in unserem Angebot erhältlich ist, ist ein Produkt von höchster Qualität, das mit größter Sorgfalt entwickelt und hergestellt wurde. Daher können Sie beim Einkauf in unserem Shop sicher sein, dass die erhaltenen Transistoren ihre Funktion einwandfrei erfüllen werden.