Transistoren IGBT (Ergebnisse: 333)

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IKW50N65SS5XKSA1 INDUSTRY 14
IKW50N65SS5XKSA1 || IKW50N65SS5XKSA1  
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Infineon
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IKW50N65SS5XKSA1
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IKW75N65SS5XKSA1 INDUSTRY 14
IKW75N65SS5XKSA1 || IKW75N65SS5XKSA1  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IKW75N65SS5XKSA1
Präzisionsgehäuse:
 
 
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240
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IKWH30N65WR6 IGBT TRENCH IKWH30N65WR6XKSA1
IKWH30N65WR6XKSA1 || IKWH30N65WR6  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IKWH30N65WR6XKSA1
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STGWA25M120DF3 STMicroelectronics Tranzystor IGBT Chip N-CH 1,2kV; 25A; 375W; TO247-3;
STGWA25M120DF3 || STGWA25M120DF3 STMicroelectronics TO247
Hersteller:
ST
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STGWA25M120DF3
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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ST
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STGWA25M120DF3
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TO247
 
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Hersteller:
ST
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STGWA25M120DF3
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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DGTD120T25S1PT Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
DGTD120T25S1PT || DGTD120T25S1PT TO247
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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DGTD120T25S1PT
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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450
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IXXH110N65C4 Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXXH110N65C4 || IXXH110N65C4  
Hersteller:
LITTELFUSE
Hersteller-Teilenummer:
IXXH110N65C4
Präzisionsgehäuse:
 
 
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IXXH30N60B3D1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXXH30N60B3D1 || IXXH30N60B3D1  
Hersteller:
LITTELFUSE
Hersteller-Teilenummer:
IXXH30N60B3D1
Präzisionsgehäuse:
 
 
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IXXH60N65B4H1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXXH60N65B4H1 || IXXH60N65B4H1  
Hersteller:
LITTELFUSE
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IXXH60N65B4H1
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Hersteller:
LITTELFUSE
Hersteller-Teilenummer:
IXXH60N65B4H1
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DGTD65T15H2TF Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
DGTD65T15H2TF || DGTD65T15H2TF  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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DGTD65T15H2TF
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FS35R12W1T4BOMA1 || FS35R12W1T4BOMA1  
Hersteller:
Infineon
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FS35R12W1T4BOMA1
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STGWT40HP65FB STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube; STGWT40HP65FB;
STGWT40HP65FB || STGWT40HP65FB STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
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STGWT40HP65FB
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TO-3P
 
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Anzahl der Stücke 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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STGF10M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STGF10M65DF2 || STGF10M65DF2  
Hersteller:
ST
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STGF10M65DF2
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1150 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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ST
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STGF10M65DF2
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STGF10H60DF Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STGF10H60DF || STGF10H60DF  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STGF10H60DF
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10550 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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ST
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STGF10H60DF
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Hersteller:
ST
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STGF10H60DF
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STGD7NC60HT4 Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
STGD7NC60HT4 || STGD7NC60HT4  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STGD7NC60HT4
Präzisionsgehäuse:
 
 
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2500 Stk.
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2500
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STGB20N45LZAG Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB20N45LZAG || STGB20N45LZAG  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STGB20N45LZAG
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STGB20M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB20M65DF2 || STGB20M65DF2  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STGB20M65DF2
Präzisionsgehäuse:
 
 
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ST
Hersteller-Teilenummer:
STGB20M65DF2
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STGB19NC60HDT4 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB19NC60HDT4 || STGB19NC60HDT4  
Hersteller:
ST
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STGB19NC60HDT4
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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STGB18N40LZT4 Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB18N40LZT4 || STGB18N40LZT4  
Hersteller:
ST
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STGB18N40LZT4
Präzisionsgehäuse:
 
 
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56000 Stk.
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STGB15H60DF Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB15H60DF || STGB15H60DF  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STGB15H60DF
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8437
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1000
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STGB15H60DF
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8745
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1000
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STGWA75H65DFB2 Tranzystor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3; Transistors - IGBTs - Single; STGW75H65DFB2-4;
STGWA75H65DFB2 || STGWA75H65DFB2 TO247
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STGWA75H65DFB2
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
5010 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,3414
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STGWA75H65DFB2
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
687 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4300
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN TO 3P
                         
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-15
Anzahl der Stücke: 90
                     
SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN TO247
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-15
Anzahl der Stücke: 90
                     
SGT40N60FD2PT TO-3PN SILAN TO 3PN
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IKW08N120CS7 IGBT Trench Field Stop 1200 V 21 A 106 W Through Hole PG-TO247-3 IKW08N120CS7XKSA1
IKW08N120CS7 TO247
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
15T65 Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C; SL15T65FF; 15T65SD; MSG15T65FL;
15T65 TO220iso
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IKWH100N65EH Transistor IGBT; 160; 650V; 20V; 199nC; 140A; 427W; -40°C~175°C;
IKWH100N65EH TO247
  650V 20V 140A 400A 427W 199nC TO247 THT INFINEON -40°C ~ 175°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IKWH40N65EH7 Transistor IGBT; 650V; 20V; 81nC; 80A; 208W; -40°C~175°C;
IKWH40N65EH7 TO247
  650V 20V 80A 160A 208W 81nC TO247 THT INFINEON -40°C ~ 175°C
 
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IKWH75N65EH7 Transistor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
IKWH75N65EH7 TO247
  650V 20V 80A 300A 341W 150nC TO247 THT INFINEON -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
SL15T65FF SLKOR Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
SL15T65FF SLKOR TO220iso
  650V 20V 30A 60A 48W 4,5V ~ 6,5V 61nC TO220iso THT SLKOR -40°C ~ 175°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
SL50T120FZ SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
SL50T120FZ SLKOR TO264
  1200V 20V 100A 200A 535W 4,5V ~ 6,5V 311nC TO264 THT SLKOR -55°C ~ 175°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
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IGBT-Transistoren

In unserem Sortiment finden Sie viele verschiedene Transistoren, einschließlich der als IGBT bezeichneten Typen. Diese Transistoren sind eine spezielle Variante der bipolaren Transistoren und verfügen über ein isoliertes Gate. Der vollständige Name des IGBT lautet – Insulated Gate Bipolar Transistor. Man kann sagen, dass IGBT-Transistoren eine Kombination aus MOSFET-Transistoren (Eingang) und bipolaren Transistoren (Ausgang) darstellen. Interessanterweise sind IGBT-Transistoren in vielen Anwendungen eine kostengünstigere Alternative zu traditionellen Modellen, da sie eine niedrigere Einschaltspannung haben. Dies ist insbesondere im Vergleich zu MOSFET-Transistoren mit ähnlichen Spannungsbereichen und vergleichbaren Größen der Fall.

Was zeichnet IGBT-Transistoren aus?

IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen bipolaren Strom aus, der mit dem Fluss von Löchern und Elektronen verbunden ist. Die Injektion von Lochträgern aus dem p+-Bereich in den n--Bereich reduziert signifikant den effektiven Widerstand im Driftbereich. Dadurch wird die Leitfähigkeit erhöht, was wiederum die Kollektor-Emitter-Spannung im leitenden Zustand reduziert. Dieser Faktor wird als der Hauptvorteil der IGBT-Transistoren im Vergleich zu traditionellen MOSFET-Transistoren angesehen. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der IGBT-Leistungstransistor eine niedrigere Spannung aufweist, die auf Kosten einer reduzierten Schaltgeschwindigkeit, insbesondere der Ausschaltgeschwindigkeit, erreicht wird.

Stärken und Schwächen des IGBT-Transistors

Der IGBT-Transistor eignet sich hervorragend für den Einsatz bei höheren Spannungen. Gleichzeitig sollte jedoch beachtet werden, dass IGBT-Transistoren in der Regel nicht parallel geschaltet werden können. Geräte dieser Kategorie, die Sie in unserem Angebot finden, werden hauptsächlich in Frequenzumrichtern verwendet, die Leistungen von bis zu mehreren hundert Watt erreichen können. Durch den Einsatz eines IGBT-Transistors können Sie die Energieverluste um bis zu 60% reduzieren. Zudem erhalten Sie einen breiteren Regelbereich für Geräte und bessere Parameter. Wenn Sie sich nicht sicher sind, welche IGBT-Transistoren am besten für Ihre Geräte und Projekte geeignet sind, kontaktieren Sie unsere Mitarbeiter, die Ihnen bei der Auswahl des richtigen Modells helfen werden. Wir führen auch eine Reihe anderer Transistoren – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Wir laden Sie ein, unser vollständiges Angebot zu erkunden.

IGBT - Transistoren in unserem Angebot

In unserem Shop finden Sie verschiedene Modelle von IGBT-Transistoren von führenden Herstellern. Die einzelnen Modelle dieser Geräte können sich unter anderem in folgenden Punkten unterscheiden:

  • Kollektor-Emitter-Spannung,
  • Gate-Emitter-Spannung,
  • maximalem Kollektorstrom,
  • maximalem Impuls-Kollektorstrom,
  • maximaler Verlustleistung,
  • Durchlassspannung,
  • Gate-Ladung,
  • Gehäuse,
  • Marke,
  • Temperaturbereich, in dem sie betrieben werden können.

Jeder IGBT-Transistor, der in unserem Angebot erhältlich ist, ist ein Produkt von höchster Qualität, das mit größter Sorgfalt entwickelt und hergestellt wurde. Daher können Sie beim Einkauf in unserem Shop sicher sein, dass die erhaltenen Transistoren ihre Funktion einwandfrei erfüllen werden.