Transistoren IGBT (Ergebnisse: 337)
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Maximale Verlustleistung
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Gate-Ladung
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Gehäuse
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Montage
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Hersteller
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Betriebstemperatur (Bereich)
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IKWH75N65EH7
Transistor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
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650V | 20V | 80A | 300A | 341W | 150nC | TO247 | THT | INFINEON | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SL15T65FF SLKOR
Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
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650V | 20V | 30A | 60A | 48W | 4,5V ~ 6,5V | 61nC | TO220iso | THT | SLKOR | -40°C ~ 175°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SL50T120FZ SLKOR
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
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1200V | 20V | 100A | 200A | 535W | 4,5V ~ 6,5V | 311nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SL75T120FZ SLKOR
IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 115A; 230A; 625W; 4,5V~6,5V; 270nC; -55°C~150°C;
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1200V | 30V | 115A | 230A | 625W | 4,5V ~ 6,5V | 270nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGD3245G2-F085C
IGBT Modules 320 mJ, 450 V, N−Channel Ignition IGBT; 23A; 150W; 120Ohm; -55°C~175°C;
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480V | 14V | 23A | 150W | 1,3V ~ 2,2V | 23nC | DPAK-3 | SMD | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGH40N60SMDF
Trans IGBT Chip N-CH; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH40N60SMDF-F085 FGH40N60SMDF_F085;
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600V | 20V | 80A | 120A | 349W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AIKW50N60CT
IC DISCRETE 600V TO247-3 Automotive, AEC-Q101, TrenchStop -40+175°C AIKW50N60CTXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRG4PH50S International Rectifier
IGBT Chip N-CH 1.2KV 57A Automotive
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGA15N120ANTDTU_F109
Trans IGBT; 1200V; 20V; 30A; 45A; 186W; 4,5~8,5V; 180nC; -55°C~150°C; Äquivalent: FGA15N120ANTDTU-F109; FGA15N120ANTDTU_F109;
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1200V | 20V | 30A | 45A | 186W | 4,5V ~ 8,5V | 180nC | TO 3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGA25N120ANTDTU ONS(FAI)
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 90A; 312W; 3,5~7,5V; 200nC; -55°C~150°C; Auslaufmodell; Äquivalent: FGA25N120ANTDTU-F109
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1200V | 20V | 50A | 90A | 312W | 3,5V ~ 7,5V | 200nC | TO 3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGB20N60SF
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 208W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 40A | 60A | 208W | 4,0V ~ 6,5V | 65nC | TO263 (D2PAK) | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGH40N60SFTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGL40N120ANDTU
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 64A; 160A; 500W; 3,5~7,5V; 330nC; -55°C~150°C;
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1200V | 25V | 64A | 160A | 500W | 3,5V ~ 7,5V | 330nC | TO264 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGL60N100BNTD
Trans IGBT ; 1000V; 25V; 42A; 200A; 180W; 4,0~7,0V; 275nC; -55°C~150°C; Äquivalent: FGL60N100BNTDTU; FGL60N100BNTDFS;
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1000V | 25V | 42A | 200A | 180W | 4,0V ~ 7,0V | 275nC | TO264 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGT1S10N120BNS
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 35A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
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1200V | 20V | 35A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO263 (D2PAK) | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTG12N60C3D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 96A; 104W; 3.0V~6,0V; 71nC; -40°C~150°C;
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600V | 20V | 24A | 96A | 104W | 3,0V ~ 6,0V | 71nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTG20N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 70A | 280A | 290W | 4,5V ~ 7,0V | 210nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTG20N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 70A | 280A | 290W | 4,5V ~ 7,0V | 210nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTG20N60B3D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 165W; 3,0V~6,0V; 135nC; -40°C~150°C;
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600V | 20V | 40A | 160A | 165W | 3,0V ~ 6,0V | 135nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTG30N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 240A; 463W; 4,5V~7,0V; 360nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 75A | 240A | 463W | 4,5V ~ 7,0V | 360nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTG30N60B3D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 220A; 208W; 4,2V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 60A | 220A | 208W | 4,2V ~ 6,0V | 250nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTP12N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 54A | 96A | 167W | 5,6V | 120nC | TO220 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTP12N60C3D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 96A; 104W; 3.0V~6,0V; 71nC; -40°C~150°C;
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600V | 20V | 24A | 96A | 104W | 3,0V ~ 6,0V | 71nC | TO220 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTP20N60A4
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 70A | 280A | 290W | 4,5V ~ 7,0V | 210nC | TO220 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 150A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRG4BC20U
Trans IGBT ; 600V; 20V; 13A; 52A; 60W; 3,0V~6,0V; 41nC; -55°C~150°C; IRG4BC20UPBF;
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600V | 20V | 13A | 52A | 60W | 3,0V ~ 6,0V | 41nC | TO220 | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRG4BC30FD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
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600V | 20V | 31A | 120A | 100W | 3,0V ~ 6,0V | 77nC | TO220 | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRG4BC40U
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40UPBF;
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600V | 20V | 40A | 160A | 160W | 3,0V ~ 6,0V | 150nC | TO220 | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IGBT-Transistoren
In unserem Sortiment finden Sie viele verschiedene Transistoren, einschließlich der als IGBT bezeichneten Typen. Diese Transistoren sind eine spezielle Variante der bipolaren Transistoren und verfügen über ein isoliertes Gate. Der vollständige Name des IGBT lautet – Insulated Gate Bipolar Transistor. Man kann sagen, dass IGBT-Transistoren eine Kombination aus MOSFET-Transistoren (Eingang) und bipolaren Transistoren (Ausgang) darstellen. Interessanterweise sind IGBT-Transistoren in vielen Anwendungen eine kostengünstigere Alternative zu traditionellen Modellen, da sie eine niedrigere Einschaltspannung haben. Dies ist insbesondere im Vergleich zu MOSFET-Transistoren mit ähnlichen Spannungsbereichen und vergleichbaren Größen der Fall.
Was zeichnet IGBT-Transistoren aus?
IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen bipolaren Strom aus, der mit dem Fluss von Löchern und Elektronen verbunden ist. Die Injektion von Lochträgern aus dem p+-Bereich in den n--Bereich reduziert signifikant den effektiven Widerstand im Driftbereich. Dadurch wird die Leitfähigkeit erhöht, was wiederum die Kollektor-Emitter-Spannung im leitenden Zustand reduziert. Dieser Faktor wird als der Hauptvorteil der IGBT-Transistoren im Vergleich zu traditionellen MOSFET-Transistoren angesehen. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der IGBT-Leistungstransistor eine niedrigere Spannung aufweist, die auf Kosten einer reduzierten Schaltgeschwindigkeit, insbesondere der Ausschaltgeschwindigkeit, erreicht wird.
Stärken und Schwächen des IGBT-Transistors
Der IGBT-Transistor eignet sich hervorragend für den Einsatz bei höheren Spannungen. Gleichzeitig sollte jedoch beachtet werden, dass IGBT-Transistoren in der Regel nicht parallel geschaltet werden können. Geräte dieser Kategorie, die Sie in unserem Angebot finden, werden hauptsächlich in Frequenzumrichtern verwendet, die Leistungen von bis zu mehreren hundert Watt erreichen können. Durch den Einsatz eines IGBT-Transistors können Sie die Energieverluste um bis zu 60% reduzieren. Zudem erhalten Sie einen breiteren Regelbereich für Geräte und bessere Parameter. Wenn Sie sich nicht sicher sind, welche IGBT-Transistoren am besten für Ihre Geräte und Projekte geeignet sind, kontaktieren Sie unsere Mitarbeiter, die Ihnen bei der Auswahl des richtigen Modells helfen werden. Wir führen auch eine Reihe anderer Transistoren – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Wir laden Sie ein, unser vollständiges Angebot zu erkunden.
IGBT - Transistoren in unserem Angebot
In unserem Shop finden Sie verschiedene Modelle von IGBT-Transistoren von führenden Herstellern. Die einzelnen Modelle dieser Geräte können sich unter anderem in folgenden Punkten unterscheiden:
- Kollektor-Emitter-Spannung,
- Gate-Emitter-Spannung,
- maximalem Kollektorstrom,
- maximalem Impuls-Kollektorstrom,
- maximaler Verlustleistung,
- Durchlassspannung,
- Gate-Ladung,
- Gehäuse,
- Marke,
- Temperaturbereich, in dem sie betrieben werden können.
Jeder IGBT-Transistor, der in unserem Angebot erhältlich ist, ist ein Produkt von höchster Qualität, das mit größter Sorgfalt entwickelt und hergestellt wurde. Daher können Sie beim Einkauf in unserem Shop sicher sein, dass die erhaltenen Transistoren ihre Funktion einwandfrei erfüllen werden.