Transistoren IGBT (Ergebnisse: 337)

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IKWH75N65EH7 Transistor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
IKWH75N65EH7 TO247
  650V 20V 80A 300A 341W 150nC TO247 THT INFINEON -55°C ~ 150°C
 
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SL15T65FF SLKOR Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
SL15T65FF SLKOR TO220iso
  650V 20V 30A 60A 48W 4,5V ~ 6,5V 61nC TO220iso THT SLKOR -40°C ~ 175°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
SL50T120FZ SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
SL50T120FZ SLKOR TO264
  1200V 20V 100A 200A 535W 4,5V ~ 6,5V 311nC TO264 THT SLKOR -55°C ~ 175°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
SL75T120FZ SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 115A; 230A; 625W; 4,5V~6,5V; 270nC; -55°C~150°C;
SL75T120FZ SLKOR TO264
  1200V 30V 115A 230A 625W 4,5V ~ 6,5V 270nC TO264 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
 
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FGD3245G2-F085C IGBT Modules 320 mJ, 450 V, N−Channel Ignition IGBT; 23A; 150W; 120Ohm; -55°C~175°C;
FGD3245G2-F085C DPAK-3
  480V 14V 23A 150W 1,3V ~ 2,2V 23nC DPAK-3 SMD ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
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FGH40N60SMDF Trans IGBT Chip N-CH; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH40N60SMDF-F085 FGH40N60SMDF_F085;
FGH40N60SMDF TO247
  600V 20V 80A 120A 349W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
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AIKW50N60CT IC DISCRETE 600V TO247-3 Automotive, AEC-Q101, TrenchStop -40+175°C AIKW50N60CTXKSA1
AIKW50N60CT TO247
 
 
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AUIRG4PH50S International Rectifier IGBT Chip N-CH 1.2KV 57A Automotive
AUIRG4PH50S International Rectifier TO247AC
 
 
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FGA15N120ANTDTU_F109 Trans IGBT; 1200V; 20V; 30A; 45A; 186W; 4,5~8,5V; 180nC; -55°C~150°C; Äquivalent: FGA15N120ANTDTU-F109; FGA15N120ANTDTU_F109;
FGA15N120ANTDTU_F109 TO 3P
  1200V 20V 30A 45A 186W 4,5V ~ 8,5V 180nC TO 3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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FGA25N120ANTDTU ONS(FAI) Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 90A; 312W; 3,5~7,5V; 200nC; -55°C~150°C; Auslaufmodell; Äquivalent: FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU ONS(FAI) TO 3P
  1200V 20V 50A 90A 312W 3,5V ~ 7,5V 200nC TO 3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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FGB20N60SF Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 208W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
FGB20N60SF TO263 (D2PAK)
  600V 20V 40A 60A 208W 4,0V ~ 6,5V 65nC TO263 (D2PAK) THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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FGH40N60SFTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
FGH40N60SFTU TO247
  600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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FGL40N120ANDTU Trans IGBT ; 1200V; 25V; 64A; 160A; 500W; 3,5~7,5V; 330nC; -55°C~150°C;
FGL40N120ANDTU TO264
  1200V 25V 64A 160A 500W 3,5V ~ 7,5V 330nC TO264 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
FGL60N100BNTD Trans IGBT ; 1000V; 25V; 42A; 200A; 180W; 4,0~7,0V; 275nC; -55°C~150°C; Äquivalent: FGL60N100BNTDTU; FGL60N100BNTDFS;
FGL60N100BNTD TO264
  1000V 25V 42A 200A 180W 4,0V ~ 7,0V 275nC TO264 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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HGT1S10N120BNS Trans IGBT ; 1200V; 20V; 35A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
HGT1S10N120BNS TO263 (D2PAK)
  1200V 20V 35A 80A 298W 6,0V ~ 6,8V 150nC TO263 (D2PAK) THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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HGTG12N60C3D Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 96A; 104W; 3.0V~6,0V; 71nC; -40°C~150°C;
HGTG12N60C3D TO247
  600V 20V 24A 96A 104W 3,0V ~ 6,0V 71nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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HGTG20N60A4 Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
HGTG20N60A4 TO247
  600V 20V 70A 280A 290W 4,5V ~ 7,0V 210nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
HGTG20N60A4D Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
HGTG20N60A4D TO247
  600V 20V 70A 280A 290W 4,5V ~ 7,0V 210nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
HGTG20N60B3D Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 165W; 3,0V~6,0V; 135nC; -40°C~150°C;
HGTG20N60B3D TO247
  600V 20V 40A 160A 165W 3,0V ~ 6,0V 135nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
HGTG30N60A4D Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 240A; 463W; 4,5V~7,0V; 360nC; -55°C~150°C;
HGTG30N60A4D TO247
  600V 20V 75A 240A 463W 4,5V ~ 7,0V 360nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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HGTG30N60B3D Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 220A; 208W; 4,2V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C;
HGTG30N60B3D TO247
  600V 20V 60A 220A 208W 4,2V ~ 6,0V 250nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
HGTP12N60A4D Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
HGTP12N60A4D TO220
  600V 20V 54A 96A 167W 5,6V 120nC TO220 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
HGTP12N60C3D Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 96A; 104W; 3.0V~6,0V; 71nC; -40°C~150°C;
HGTP12N60C3D TO220
  600V 20V 24A 96A 104W 3,0V ~ 6,0V 71nC TO220 THT ON SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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HGTP20N60A4 IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
HGTP20N60A4 TO220
  600V 20V 70A 280A 290W 4,5V ~ 7,0V 210nC TO220 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies TO263 (D2PAK)
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies IGBT 1200V 150A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRG4BC20U Trans IGBT ; 600V; 20V; 13A; 52A; 60W; 3,0V~6,0V; 41nC; -55°C~150°C; IRG4BC20UPBF;
IRG4BC20U TO220
  600V 20V 13A 52A 60W 3,0V ~ 6,0V 41nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRG4BC30FD Trans IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
IRG4BC30FD TO220
  600V 20V 31A 120A 100W 3,0V ~ 6,0V 77nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRG4BC40U Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40UPBF;
IRG4BC40U TO220
  600V 20V 40A 160A 160W 3,0V ~ 6,0V 150nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
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IGBT-Transistoren

In unserem Sortiment finden Sie viele verschiedene Transistoren, einschließlich der als IGBT bezeichneten Typen. Diese Transistoren sind eine spezielle Variante der bipolaren Transistoren und verfügen über ein isoliertes Gate. Der vollständige Name des IGBT lautet – Insulated Gate Bipolar Transistor. Man kann sagen, dass IGBT-Transistoren eine Kombination aus MOSFET-Transistoren (Eingang) und bipolaren Transistoren (Ausgang) darstellen. Interessanterweise sind IGBT-Transistoren in vielen Anwendungen eine kostengünstigere Alternative zu traditionellen Modellen, da sie eine niedrigere Einschaltspannung haben. Dies ist insbesondere im Vergleich zu MOSFET-Transistoren mit ähnlichen Spannungsbereichen und vergleichbaren Größen der Fall.

Was zeichnet IGBT-Transistoren aus?

IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen bipolaren Strom aus, der mit dem Fluss von Löchern und Elektronen verbunden ist. Die Injektion von Lochträgern aus dem p+-Bereich in den n--Bereich reduziert signifikant den effektiven Widerstand im Driftbereich. Dadurch wird die Leitfähigkeit erhöht, was wiederum die Kollektor-Emitter-Spannung im leitenden Zustand reduziert. Dieser Faktor wird als der Hauptvorteil der IGBT-Transistoren im Vergleich zu traditionellen MOSFET-Transistoren angesehen. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der IGBT-Leistungstransistor eine niedrigere Spannung aufweist, die auf Kosten einer reduzierten Schaltgeschwindigkeit, insbesondere der Ausschaltgeschwindigkeit, erreicht wird.

Stärken und Schwächen des IGBT-Transistors

Der IGBT-Transistor eignet sich hervorragend für den Einsatz bei höheren Spannungen. Gleichzeitig sollte jedoch beachtet werden, dass IGBT-Transistoren in der Regel nicht parallel geschaltet werden können. Geräte dieser Kategorie, die Sie in unserem Angebot finden, werden hauptsächlich in Frequenzumrichtern verwendet, die Leistungen von bis zu mehreren hundert Watt erreichen können. Durch den Einsatz eines IGBT-Transistors können Sie die Energieverluste um bis zu 60% reduzieren. Zudem erhalten Sie einen breiteren Regelbereich für Geräte und bessere Parameter. Wenn Sie sich nicht sicher sind, welche IGBT-Transistoren am besten für Ihre Geräte und Projekte geeignet sind, kontaktieren Sie unsere Mitarbeiter, die Ihnen bei der Auswahl des richtigen Modells helfen werden. Wir führen auch eine Reihe anderer Transistoren – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Wir laden Sie ein, unser vollständiges Angebot zu erkunden.

IGBT - Transistoren in unserem Angebot

In unserem Shop finden Sie verschiedene Modelle von IGBT-Transistoren von führenden Herstellern. Die einzelnen Modelle dieser Geräte können sich unter anderem in folgenden Punkten unterscheiden:

  • Kollektor-Emitter-Spannung,
  • Gate-Emitter-Spannung,
  • maximalem Kollektorstrom,
  • maximalem Impuls-Kollektorstrom,
  • maximaler Verlustleistung,
  • Durchlassspannung,
  • Gate-Ladung,
  • Gehäuse,
  • Marke,
  • Temperaturbereich, in dem sie betrieben werden können.

Jeder IGBT-Transistor, der in unserem Angebot erhältlich ist, ist ein Produkt von höchster Qualität, das mit größter Sorgfalt entwickelt und hergestellt wurde. Daher können Sie beim Einkauf in unserem Shop sicher sein, dass die erhaltenen Transistoren ihre Funktion einwandfrei erfüllen werden.