Transistoren IGBT (Ergebnisse: 368)

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15T65SD JUXING IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
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15T65SD RoHS || 15T65SD JUXING TO220iso
Hersteller:
JUXING
Hersteller-Teilenummer:
15T65SD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1299 0,8292 0,6648 0,5708 0,5379
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
650V 20V 30A 60A 37,5W 4,5V ~ 6,5V 21,1nC TO220iso THT JUXING -40°C ~ 175°C
BGN40Q120SD BYD IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0 V ~ 7,0 V; 142 nC; -40°C~175°C;
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BGN40Q120 RoHS || BGN40Q120SD BYD TO247
Hersteller:
BYD
Hersteller-Teilenummer:
BGN40Q120 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,3567 2,9808 2,7577 2,6449 2,5815
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
1200V 20V 80A 160A 428W 5,0V ~ 7,0V 142nC TO247 THT BYD -40°C ~ 175°C
DGF30F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
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DGF30F65M2 RoHS || DGF30F65M2 DONGHAI TO220iso
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGF30F65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2450 0,8715 0,6976 0,6765 0,6554
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
650V 30V 60A 180A 60W 5,0V ~ 7,0V 48nC TO220iso THT Donghai -45°C ~ 175°C
DHG20T65D DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
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DHG20T65D RoHS || DHG20T65D DONGHAI TO220iso
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DHG20T65D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1299 0,7517 0,5802 0,5614 0,5379
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
650V 20V 40A 60A 96W 4,5V ~ 7,0V 59nC TO220iso THT Donghai -55°C ~ 150°C
DGN30F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
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DGN30F65M2 RoHS || DGN30F65M2 DONGHAI TO 3PN
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGN30F65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3PN
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Preis netto (EUR) 1,5127 1,0570 0,8691 0,8362 0,7963
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
650V 30V 60A 180A 230W 5,0V ~ 7,0V 48nC TO 3PN THT Donghai -45°C ~ 175°C
SL15T120FL SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
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SL15T120FL RoHS || SL15T120FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL15T120FL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7923 1,3295 1,1345 1,0688 1,0547
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
1200V 30V 30A 40A 125W 4,5V ~ 6,5V 70nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
SL25T120FL SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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SL25T120FL RoHS || SL25T120FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL25T120FL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4288 1,9285 1,7100 1,6349 1,6184
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
1200V 20V 50A 60A 350W 4,5V ~ 6,5V 120nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
SL40T120FL SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
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SL40T120FL RoHS || SL40T120FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL40T120FL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,9573 2,4359 2,2174 2,1352 2,1117
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
1200V 20V 80A 160A 718W 4,5V ~ 6,5V 165nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 175°C
SL40T65FL SLKOR IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
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SL40T65FL RoHS || SL40T65FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL40T65FL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,2174 1,7594 1,5621 1,4916 1,4775
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
650V 20V 80A 160A 375W 4,0V ~ 6,0V 219nC TO247 THT SLKOR -40°C ~ 175°C
SL50T120FZ SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
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SL50T120FZ RoHS || SL50T120FZ SLKOR TO264
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL50T120FZ RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO264
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,4788 3,0912 2,8610 2,7459 2,6755
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
1200V 20V 100A 200A 535W 4,5V ~ 6,5V 311nC TO264 THT SLKOR -55°C ~ 175°C
SL75T120FZ SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 115A; 230A; 625W; 4,5V~6,5V; 270nC; -55°C~150°C;
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SL75T120FZ RoHS || SL75T120FZ SLKOR TO264
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL75T120FZ RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO264
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 5,1560 4,7496 4,5006 4,3738 4,2963
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
1200V 30V 115A 230A 625W 4,5V ~ 6,5V 270nC TO264 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
IM393M6FXKLA1 IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
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IM393M6FXKLA1 RoHS || IM393M6FXKLA1 SIP22
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IM393M6FXKLA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SIP22
Datenblatt
Auf Lager:
1 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 10,3965 9,2854 8,4962 7,7892 7,2700
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
600V 5V 10A 15A 20W 13,5V ~ 16,5V SIP22 THT Infineon Technologies -40°C ~ 125°C
AOT10B60D IGBT-Transistor; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
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AOT10B60D RoHS || AOT10B60D TO220
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AOT10B60D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Auf Lager:
13 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3577 1,0359 0,8574 0,7517 0,7141
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
600V 20V 10A 40A 163W 5,6V 17,4nC TO220 THT ALPHA&OMEGA -55°C ~ 175°C
AOT15B60D IGBT-Transistor; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
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AOT15B60D RoHS || AOT15B60D TO220
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AOT15B60D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7570 1,4023 1,2003 1,0782 1,0335
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
600V 20V 30A 60A 167W 5,6V 25,4nC TO220 THT ALPHA&OMEGA -55°C ~ 175°C
FGA60N60UFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C;
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FGA60N60UFDTU RoHS || FGA60N60UFDTU TO 3P
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGA60N60UFDTU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
 
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 6,5630 6,0439 5,7268 5,5670 5,4684
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
600V 20V 120A 180A 298W 4,0V ~ 6,5V 188nC TO-3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGA60N65SMD Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
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FGA60N65SMD RoHS || FGA60N65SMD TO 3P
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGA60N65SMD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
 
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 180+
Preis netto (EUR) 4,4184 3,7959 3,5117 3,4553 3,3989
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
650V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO 3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-03-07
Anzahl der Stücke: 150
                     
FGAF40N60SMD Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;
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FGAF40N60SMD RoHS || FGAF40N60SMD || FGAF40N60SMD TO 3Piso
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGAF40N60SMD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3Piso
Datenblatt
Auf Lager:
22 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,4801 4,6087 4,0848 3,8241 3,6785
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
600V 20V 80A 120A 115W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO-3Piso THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGAF40N60SMD
Präzisionsgehäuse:
TO 3Piso
 
Externes Lager:
330 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,6785
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Standard-Verpackung:
360
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 80A 120A 115W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO-3Piso THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 165W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
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FGH20N60SFDTU RoHS || FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH20N60SFDTU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
52 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,6198 3,0443 2,6990 2,5251 2,4288
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
600V 20V 40A 60A 165W 4,0V ~ 6,5V 65nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N60SFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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rufen Sie an: +48785054437
FGH40N60SFDTU RoHS || FGH40N60SFDTU || FGH40N60SFDTU TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40N60SFDTU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 90+ 180+
Preis netto (EUR) 4,0097 3,4459 3,1852 3,1124 3,0842
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Standard-Verpackung:
30/90
Menge (mehrere 1)
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40N60SFDTU
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
360 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,0842
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40N60SFDTU
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
120 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,0842
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N60UFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder
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FGH40N60UFDTU RoHS || FGH40N60UFDTU || FGH40N60UFDTU TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40N60UFDTU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 4,2422 3,7677 3,4835 3,3426 3,2627
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40N60UFDTU
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,2627
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40N60UFDTU
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
720 Stk.
Anzahl der Stücke 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,2627
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Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N65UFDTU Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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FGH40N65UFDTU RoHS || FGH40N65UFDTU TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40N65UFDTU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 60+
Preis netto (EUR) 7,7563 7,2700 6,9647 6,8073 6,7439
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
650V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40T120SMD TO-247-3L Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
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FGH40T120SMD RoHS || FGH40T120SMD || FGH40T120SMD TO-247-3L TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40T120SMD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 7,8033 7,3288 7,0304 6,8754 6,7862
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40T120SMD
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
420 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,7862
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40T120SMD
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
390 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,7862
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH40T120SMD
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
3778 Stk.
Anzahl der Stücke 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,7862
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Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH60N60SMD Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
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FGH60N60SMD RoHS || FGH60N60SMD || FGH60N60SMD TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH60N60SMD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
22 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,6070 5,1630 4,8905 4,7520 4,6721
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
600V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH60N60SMD
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,6721
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH75T65UPD TO247AB Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Ähnlich zu: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
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FGH75T65UPD RoHS || FGH75T65UPD || FGH75T65UPD TO247AB TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH75T65UPD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,3533 4,9281 4,6674 4,5358 4,4607
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
650V 20V 150A 225A 375W 4,0V ~ 7,5V 578nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH75T65UPD
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
420 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,4607
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
650V 20V 150A 225A 375W 4,0V ~ 7,5V 578nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FGH75T65UPD
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
2250 Stk.
Anzahl der Stücke 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,4607
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Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
650V 20V 150A 225A 375W 4,0V ~ 7,5V 578nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
HGTG11N120CND IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
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HGTG11N120CND RoHS || HGTG11N120CND TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
HGTG11N120CND RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 4,0895 3,6338 3,3590 3,2228 3,1453
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
1200V 20V 43A 80A 298W 6,0V ~ 6,8V 150nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTG12N60A4D IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
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HGTG12N60A4D RoHS || HGTG12N60A4D TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
HGTG12N60A4D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,2123 4,7989 4,5452 4,4160 4,3432
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
600V 20V 54A 96A 167W 5,6V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
HGTG12N60A4D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
1 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 9+ 30+ 93+
Preis netto (EUR) 6,3845 5,4144 4,8600 4,5194 4,3432
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Standard-Verpackung:
3
Menge (mehrere 1)
600V 20V 54A 96A 167W 5,6V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
IHW30N160R5 Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IHW30N160R5XKSA1;
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IHW30N160R5XKSA1 RoHS || IHW30N160R5 TO247
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IHW30N160R5XKSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 6,7908 5,7597 5,1254 4,8036 4,6204
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
1600V 20V 60A 90A 263W 4,5V ~ 5,8V 205nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
HGTG40N60A4 Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
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HGTG40N60A4 RoHS || HGTG40N60A4 || HGTG40N60A4 TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
HGTG40N60A4 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Auf Lager:
19 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 10,7348 9,2244 8,2824 7,7915 7,5073
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
600V 20V 75A 300A 625W 4,5V ~ 7,0V 520nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
HGTG40N60A4
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 7,5073
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 75A 300A 625W 4,5V ~ 7,0V 520nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
HGTG40N60A4
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 7,5073
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 75A 300A 625W 4,5V ~ 7,0V 520nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTP20N60A4 IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder
rufen Sie an: +48785054437
HGTP20N60A4 RoHS || HGTP20N60A4 TO220
Hersteller:
Fairchild
Hersteller-Teilenummer:
HGTP20N60A4 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Auf Lager:
19 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,7271 2,3560 2,1376 1,9990 1,9473
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
600V 20V 70A 280A 290W 4,5V ~ 7,0V 210nC TO220 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGB10N60T;
Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder
rufen Sie an: +48785054437
IGB10N60TATMA1 RoHS || IGB10N60TATMA1 || IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IGB10N60TATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
37 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4235 0,9960 0,8480 0,7752 0,7493
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
600V 20V 24A 30A 110W 4,1V ~ 5,7V 62nC TO263 (D2PAK) Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IGB10N60TATMA1
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
Externes Lager:
2290 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9211
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Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
600V 20V 24A 30A 110W 4,1V ~ 5,7V 62nC TO263 (D2PAK) Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
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IGBT-Transistoren

In unserem Sortiment finden Sie viele verschiedene Transistoren, einschließlich der als IGBT bezeichneten Typen. Diese Transistoren sind eine spezielle Variante der bipolaren Transistoren und verfügen über ein isoliertes Gate. Der vollständige Name des IGBT lautet – Insulated Gate Bipolar Transistor. Man kann sagen, dass IGBT-Transistoren eine Kombination aus MOSFET-Transistoren (Eingang) und bipolaren Transistoren (Ausgang) darstellen. Interessanterweise sind IGBT-Transistoren in vielen Anwendungen eine kostengünstigere Alternative zu traditionellen Modellen, da sie eine niedrigere Einschaltspannung haben. Dies ist insbesondere im Vergleich zu MOSFET-Transistoren mit ähnlichen Spannungsbereichen und vergleichbaren Größen der Fall.

Was zeichnet IGBT-Transistoren aus?

IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen bipolaren Strom aus, der mit dem Fluss von Löchern und Elektronen verbunden ist. Die Injektion von Lochträgern aus dem p+-Bereich in den n--Bereich reduziert signifikant den effektiven Widerstand im Driftbereich. Dadurch wird die Leitfähigkeit erhöht, was wiederum die Kollektor-Emitter-Spannung im leitenden Zustand reduziert. Dieser Faktor wird als der Hauptvorteil der IGBT-Transistoren im Vergleich zu traditionellen MOSFET-Transistoren angesehen. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der IGBT-Leistungstransistor eine niedrigere Spannung aufweist, die auf Kosten einer reduzierten Schaltgeschwindigkeit, insbesondere der Ausschaltgeschwindigkeit, erreicht wird.

Stärken und Schwächen des IGBT-Transistors

Der IGBT-Transistor eignet sich hervorragend für den Einsatz bei höheren Spannungen. Gleichzeitig sollte jedoch beachtet werden, dass IGBT-Transistoren in der Regel nicht parallel geschaltet werden können. Geräte dieser Kategorie, die Sie in unserem Angebot finden, werden hauptsächlich in Frequenzumrichtern verwendet, die Leistungen von bis zu mehreren hundert Watt erreichen können. Durch den Einsatz eines IGBT-Transistors können Sie die Energieverluste um bis zu 60% reduzieren. Zudem erhalten Sie einen breiteren Regelbereich für Geräte und bessere Parameter. Wenn Sie sich nicht sicher sind, welche IGBT-Transistoren am besten für Ihre Geräte und Projekte geeignet sind, kontaktieren Sie unsere Mitarbeiter, die Ihnen bei der Auswahl des richtigen Modells helfen werden. Wir führen auch eine Reihe anderer Transistoren – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Wir laden Sie ein, unser vollständiges Angebot zu erkunden.

IGBT - Transistoren in unserem Angebot

In unserem Shop finden Sie verschiedene Modelle von IGBT-Transistoren von führenden Herstellern. Die einzelnen Modelle dieser Geräte können sich unter anderem in folgenden Punkten unterscheiden:

  • Kollektor-Emitter-Spannung,
  • Gate-Emitter-Spannung,
  • maximalem Kollektorstrom,
  • maximalem Impuls-Kollektorstrom,
  • maximaler Verlustleistung,
  • Durchlassspannung,
  • Gate-Ladung,
  • Gehäuse,
  • Marke,
  • Temperaturbereich, in dem sie betrieben werden können.

Jeder IGBT-Transistor, der in unserem Angebot erhältlich ist, ist ein Produkt von höchster Qualität, das mit größter Sorgfalt entwickelt und hergestellt wurde. Daher können Sie beim Einkauf in unserem Shop sicher sein, dass die erhaltenen Transistoren ihre Funktion einwandfrei erfüllen werden.