Transistoren IGBT (Ergebnisse: 368)
Produkt | Warenkorb |
Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Maximale Verlustleistung
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Gate-Ladung
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Gehäuse
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Montage
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Hersteller
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Betriebstemperatur (Bereich)
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15T65SD JUXING
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
650V | 20V | 30A | 60A | 37,5W | 4,5V ~ 6,5V | 21,1nC | TO220iso | THT | JUXING | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
BGN40Q120SD BYD
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0 V ~ 7,0 V; 142 nC; -40°C~175°C;
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 428W | 5,0V ~ 7,0V | 142nC | TO247 | THT | BYD | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
DGF30F65M2 DONGHAI
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
650V | 30V | 60A | 180A | 60W | 5,0V ~ 7,0V | 48nC | TO220iso | THT | Donghai | -45°C ~ 175°C | ||||||||||||
DHG20T65D DONGHAI
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
650V | 20V | 40A | 60A | 96W | 4,5V ~ 7,0V | 59nC | TO220iso | THT | Donghai | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DGN30F65M2 DONGHAI
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
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Auf Lager:
60 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30/60 Menge (mehrere 1) |
650V | 30V | 60A | 180A | 230W | 5,0V ~ 7,0V | 48nC | TO 3PN | THT | Donghai | -45°C ~ 175°C | ||||||||||||
SL15T120FL SLKOR
IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
1200V | 30V | 30A | 40A | 125W | 4,5V ~ 6,5V | 70nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SL25T120FL SLKOR
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
1200V | 20V | 50A | 60A | 350W | 4,5V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SL40T120FL SLKOR
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
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Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Menge (mehrere 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 718W | 4,5V ~ 6,5V | 165nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
SL40T65FL SLKOR
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
650V | 20V | 80A | 160A | 375W | 4,0V ~ 6,0V | 219nC | TO247 | THT | SLKOR | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
SL50T120FZ SLKOR
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
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Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
1200V | 20V | 100A | 200A | 535W | 4,5V ~ 6,5V | 311nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
SL75T120FZ SLKOR
IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 115A; 230A; 625W; 4,5V~6,5V; 270nC; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
1200V | 30V | 115A | 230A | 625W | 4,5V ~ 6,5V | 270nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IM393M6FXKLA1
IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
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Auf Lager:
1 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2 Menge (mehrere 1) |
600V | 5V | 10A | 15A | 20W | 13,5V ~ 16,5V | SIP22 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||
AOT10B60D
IGBT-Transistor; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT10B60D RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
13 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 10A | 40A | 163W | 5,6V | 17,4nC | TO220 | THT | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
AOT15B60D
IGBT-Transistor; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT15B60D RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 30A | 60A | 167W | 5,6V | 25,4nC | TO220 | THT | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGA60N60UFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N60UFDTU RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 298W | 4,0V ~ 6,5V | 188nC | TO-3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGA60N65SMD
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30/60 Menge (mehrere 1) |
650V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO 3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-03-07
Anzahl der Stücke: 150
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FGAF40N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
22 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 115W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO-3Piso | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGAF40N60SMD Präzisionsgehäuse: TO 3Piso |
Externes Lager:
330 Stk. |
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Standard-Verpackung: 360 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 80A | 120A | 115W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO-3Piso | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 165W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH20N60SFDTU RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
52 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 40A | 60A | 165W | 4,0V ~ 6,5V | 65nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N60SFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SFDTU RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
60 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30/90 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SFDTU Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
360 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SFDTU Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
120 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N60UFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60UFDTU RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
28 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60UFDTU Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60UFDTU Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
720 Stk. |
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Standard-Verpackung: 450 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N65UFDTU
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
45 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30/60 Menge (mehrere 1) |
650V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40T120SMD TO-247-3L
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
420 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
390 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
3778 Stk. |
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Standard-Verpackung: 450 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH60N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH60N60SMD RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
22 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH60N60SMD Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH75T65UPD TO247AB
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Ähnlich zu: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
420 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
2250 Stk. |
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Standard-Verpackung: 450 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
HGTG11N120CND
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG11N120CND RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
28 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
1200V | 20V | 43A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTG12N60A4D
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 54A | 96A | 167W | 5,6V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
1 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 54A | 96A | 167W | 5,6V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IHW30N160R5
Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IHW30N160R5XKSA1;
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Auf Lager:
12 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
HGTG40N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG40N60A4 RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
19 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 75A | 300A | 625W | 4,5V ~ 7,0V | 520nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG40N60A4 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 75A | 300A | 625W | 4,5V ~ 7,0V | 520nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG40N60A4 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
60 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 75A | 300A | 625W | 4,5V ~ 7,0V | 520nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTP20N60A4
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: HGTP20N60A4 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
19 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 70A | 280A | 290W | 4,5V ~ 7,0V | 210nC | TO220 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGB10N60T;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
37 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
600V | 20V | 24A | 30A | 110W | 4,1V ~ 5,7V | 62nC | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1 Präzisionsgehäuse: TO263 (D2PAK) |
Externes Lager:
2290 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
600V | 20V | 24A | 30A | 110W | 4,1V ~ 5,7V | 62nC | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C |
IGBT-Transistoren
In unserem Sortiment finden Sie viele verschiedene Transistoren, einschließlich der als IGBT bezeichneten Typen. Diese Transistoren sind eine spezielle Variante der bipolaren Transistoren und verfügen über ein isoliertes Gate. Der vollständige Name des IGBT lautet – Insulated Gate Bipolar Transistor. Man kann sagen, dass IGBT-Transistoren eine Kombination aus MOSFET-Transistoren (Eingang) und bipolaren Transistoren (Ausgang) darstellen. Interessanterweise sind IGBT-Transistoren in vielen Anwendungen eine kostengünstigere Alternative zu traditionellen Modellen, da sie eine niedrigere Einschaltspannung haben. Dies ist insbesondere im Vergleich zu MOSFET-Transistoren mit ähnlichen Spannungsbereichen und vergleichbaren Größen der Fall.
Was zeichnet IGBT-Transistoren aus?
IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen bipolaren Strom aus, der mit dem Fluss von Löchern und Elektronen verbunden ist. Die Injektion von Lochträgern aus dem p+-Bereich in den n--Bereich reduziert signifikant den effektiven Widerstand im Driftbereich. Dadurch wird die Leitfähigkeit erhöht, was wiederum die Kollektor-Emitter-Spannung im leitenden Zustand reduziert. Dieser Faktor wird als der Hauptvorteil der IGBT-Transistoren im Vergleich zu traditionellen MOSFET-Transistoren angesehen. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der IGBT-Leistungstransistor eine niedrigere Spannung aufweist, die auf Kosten einer reduzierten Schaltgeschwindigkeit, insbesondere der Ausschaltgeschwindigkeit, erreicht wird.
Stärken und Schwächen des IGBT-Transistors
Der IGBT-Transistor eignet sich hervorragend für den Einsatz bei höheren Spannungen. Gleichzeitig sollte jedoch beachtet werden, dass IGBT-Transistoren in der Regel nicht parallel geschaltet werden können. Geräte dieser Kategorie, die Sie in unserem Angebot finden, werden hauptsächlich in Frequenzumrichtern verwendet, die Leistungen von bis zu mehreren hundert Watt erreichen können. Durch den Einsatz eines IGBT-Transistors können Sie die Energieverluste um bis zu 60% reduzieren. Zudem erhalten Sie einen breiteren Regelbereich für Geräte und bessere Parameter. Wenn Sie sich nicht sicher sind, welche IGBT-Transistoren am besten für Ihre Geräte und Projekte geeignet sind, kontaktieren Sie unsere Mitarbeiter, die Ihnen bei der Auswahl des richtigen Modells helfen werden. Wir führen auch eine Reihe anderer Transistoren – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Wir laden Sie ein, unser vollständiges Angebot zu erkunden.
IGBT - Transistoren in unserem Angebot
In unserem Shop finden Sie verschiedene Modelle von IGBT-Transistoren von führenden Herstellern. Die einzelnen Modelle dieser Geräte können sich unter anderem in folgenden Punkten unterscheiden:
- Kollektor-Emitter-Spannung,
- Gate-Emitter-Spannung,
- maximalem Kollektorstrom,
- maximalem Impuls-Kollektorstrom,
- maximaler Verlustleistung,
- Durchlassspannung,
- Gate-Ladung,
- Gehäuse,
- Marke,
- Temperaturbereich, in dem sie betrieben werden können.
Jeder IGBT-Transistor, der in unserem Angebot erhältlich ist, ist ein Produkt von höchster Qualität, das mit größter Sorgfalt entwickelt und hergestellt wurde. Daher können Sie beim Einkauf in unserem Shop sicher sein, dass die erhaltenen Transistoren ihre Funktion einwandfrei erfüllen werden.