Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)

1    58  59  60  61  62  63  64  65  66    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 70mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 150°C; TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RSJ250P10TL LPTS RoHS || RSJ250P10TL Rohm Semiconductor D2PAK
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
RSJ250P10TL LPTS RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 40+ 120+
cena netto (PLN) 8,2800 6,9200 6,1400 5,6900 5,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
120
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 70mOhm 25A 50W SMD -55°C ~ 150°C D2PAK ROHM
JMTG030P02A JIEJIE Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 5,7mOhm; 85A; 33W; -55°C ~ 150°C;
JMTG030P02A RoHS || JMTG030P02A JIEJIE PDFN08(6x5)
Producent:
Jiejie Microelectronics
Symbol Producenta:
JMTG030P02A RoHS
Obudowa dokładna:
PDFN08(6x5)
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4500 2,0400 1,8100 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 5,7mOhm 85A 33W SMD -55°C ~ 150°C PDFN08(6x5) Jiangsu JieJie Microelectronics
SCT2450KEC Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 22V; 585mOhm; 10A; 85W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT2450KEC: Rohm;
SCT2450KEC RoHS || SCT2450KEC TO247
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SCT2450KEC RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
cena netto (PLN) 41,6100 39,6800 38,3100 37,0800 36,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 1200V 22V 585mOhm 10A 85W THT -55°C ~ 175°C TO247 ROHM
SCT3060ALGC11 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 22V; 78mOhm; 39A; 165W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3060ALGC11: Rohm;
SCT3060ALGC11 RoHS || SCT3060ALGC11 TO247
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SCT3060ALGC11 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
cena netto (PLN) 65,2500 63,0900 61,5200 60,0800 59,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 22V 78mOhm 39A 165W THT -55°C ~ 175°C TO247 ROHM
SCT3080ALGC11 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 22V; 104mOhm; 30A; 134W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3080ALGC11: Rohm;
SCT3080ALGC11 RoHS || SCT3080ALGC11 TO247
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SCT3080ALGC11 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
cena netto (PLN) 53,1100 51,0100 49,5000 48,1300 47,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 22V 104mOhm 30A 134W THT -55°C ~ 175°C TO247 ROHM
SCT3080KLGC11 Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 22V; 104mOhm; 31A; 165W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3080KLGC11: Rohm;
SCT3080KLGC11 RoHS || SCT3080KLGC11 TO247
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SCT3080KLGC11 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
cena netto (PLN) 64,9800 62,8300 61,2600 59,8200 59,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 1200V 22V 104mOhm 31A 165W THT -55°C ~ 175°C TO247 ROHM
SCT3160KLGC11 Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 22V; 208mOhm; 17A; 103W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3160KLGC11: Rohm;
SCT3160KLGC11 RoHS || SCT3160KLGC11 TO247
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SCT3160KLGC11 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
cena netto (PLN) 45,3900 43,6000 42,3100 41,1300 40,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 1200V 22V 208mOhm 17A 103W THT -55°C ~ 175°C TO247 ROHM
SDI2085 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 15V; 12V; 45mOhm; 8,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
SDI2085 RoHS || SDI2085 SHIKUES DFN06(2x2)
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SDI2085 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN06(2x2)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2800 0,6820 0,5300 0,4800 0,4640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 15V 12V 45mOhm 8,5A 3,3W SMD -55°C ~ 150°C DFN06(2x2) SHIKUES
SDI3068 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 6,8A; 2,01W; -55°C ~ 150°C;
SDI3068 RoHS || SDI3068 SHIKUES DFN06(2x2)
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SDI3068 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN06(2x2)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5760 0,3780 0,3410 0,3010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 50mOhm 6,8A 2,01W SMD -55°C ~ 150°C DFN06(2x2) SHIKUES
SDV3078 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 7,8A; 2,01W; -55°C ~ 150°C;
SDV3078 RoHS || SDV3078 SHIKUES DFN06(2x2)
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SDV3078 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN06(2x2)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5760 0,3780 0,3410 0,3010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 30mOhm 7,8A 2,01W SMD -55°C ~ 150°C DFN06(2x2) SHIKUES
SDW2065 SHIKUES Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1,78W; -55°C ~ 150°C;
SDW2065 RoHS || SDW2065 SHIKUES DFN06(2x2)
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SDW2065 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN06(2x2)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
120 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1300 0,6190 0,4060 0,3660 0,3230
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 45mOhm 6,5A 1,78W SMD -55°C ~ 150°C DFN06(2x2) SHIKUES
SDW3045 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 4,5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
SDW3045 RoHS || SDW3045 SHIKUES DFN06(2x2)
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SDW3045 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN06(2x2)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5760 0,3780 0,3410 0,3010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 65mOhm 4,5A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C DFN06(2x2) SHIKUES
SH8JB5 Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JB5TB1;
SH8JB5TB1 RoHS || SH8JB5 SOP08
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SH8JB5TB1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 11,3600 9,2500 8,0200 7,4400 7,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 16V 15,3mOhm 8,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ROHM
SH8JC5TB1 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JC5TB1;
SH8JC5TB1 RoHS || SH8JC5TB1 SOP08
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SH8JC5TB1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 13,6400 11,2800 9,8800 9,2000 8,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 32mOhm 7,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ROHM
SI1012R-T1-GE3 Tranzystor N-MOSFET; 20V; 6V; 1,25Ohm; 500mA; 150mW; -55°C ~ 150°C;
SI1012R-T1-GE3 RoHS || SI1012R-T1-GE3 SC75-3 (SOT416)
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI1012R-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SC75-3 (SOT416)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
420 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0100 1,2100 0,9250 0,8330 0,8040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 6V 1,25Ohm 500mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SC75-3 (SOT416) VISHAY
SI1022R-T1-GE3 VISHAY Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
SI1022R-T1-GE3 RoHS || SI1022R-T1-GE3 || SI1022R-T1-GE3 VISHAY SC75-3 (SOT416)
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI1022R-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SC75-3 (SOT416)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,0800 0,8530 0,8050 0,7790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 330mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SC75-3 (SOT416) VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI1022R-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SC75-3 (SOT416)
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 330mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SC75-3 (SOT416) VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI1022R-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SC75-3 (SOT416)
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 330mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SC75-3 (SOT416) VISHAY
SI1555DL SC70-6 Tranzystor N/P-MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 630mOhm/1,2Ohm; 660mA/570mA; 270mW; -55°C ~ 150°C;
SI1555DL-T1-GE3 RoHS || SI1555DL SC70-6 SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI1555DL-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SC70-6
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,7220 0,5680 0,5260 0,5040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 1,2Ohm 660mA 270mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 VISHAY
KSI2300DS-T1-GE3 KUU Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; -55°C ~ 150°C;
KSI2300DS-T1-GE3 RoHS || KSI2300DS-T1-GE3 KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
KSI2300DS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9180 0,4600 0,2740 0,2270 0,2040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2301 JUXING Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
2301 0.485MM RoHS || SI2301 JUXING SOT23
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
2301 0.485MM RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3580 0,1410 0,0823 0,0602 0,0550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 2,3A 400mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 JUXING
SL2301 SLKOR Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
SL2301 RoHS || SL2301 SLKOR SOT23
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL2301 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4500 0,2060 0,1120 0,0840 0,0750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 142mOhm 2,8A 400mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
SI2301 SOT23-3 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
SI2301 RoHS || SI2301 SOT23-3 BORN SOT23
Producent:
BORN
Symbol Producenta:
SI2301 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9080 0,4280 0,2380 0,1910 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 140mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 BORN
SI2301 SOT23 HOTTECH Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
SI2301 RoHS || SI2301 SOT23 HOTTECH SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
SI2301 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16200 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4150 0,1630 0,0955 0,0698 0,0638
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 8V 150mOhm 2,3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
SI2301 3A KUU Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
SI2301 3A RoHS || SI2301 3A KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
SI2301 3A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
400 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6270 0,2980 0,1680 0,1250 0,1140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 140mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2301 YFW2301B;
YFW2301B RoHS || SI2301 SOT23t/r
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW2301B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4460 0,1760 0,1030 0,0751 0,0686
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 12V 64mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YFW
SI2301BDS Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3;
SI2301BDS-T1-E3 RoHS L1.. || SI2301BDS SOT23
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI2301BDS-T1-E3 RoHS L1..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 650+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8550 0,5970 0,5170 0,4890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
650
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 150mOhm 2,2A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 115mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7920 0,3760 0,2120 0,1580 0,1440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 115mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2301S SOT23 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 210mOhm; 2,3A; 1W; -50°C ~ 150°C;
SI2301S RoHS || SI2301S SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN
Symbol Producenta:
SI2301S RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6380 0,2550 0,1480 0,1240 0,1160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 210mOhm 2,3A 1W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
AS2302 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; Odpowiednik : SI2302;
AS2302 RoHS || AS2302 SOT23
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
AS2302 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4940 0,2270 0,1230 0,0922 0,0823
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 60mOhm 3,5A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
SI2302 SOT23 BORN Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
SI2302 RoHS || SI2302 SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN
Symbol Producenta:
SI2302 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 996+ 4980+
cena netto (PLN) 0,7760 0,3100 0,1800 0,1500 0,1410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
996
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 59mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 BORN
SI2302 2.9A SOT23 KUU Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C;
SI2302 2.9A RoHS || SI2302 2.9A SOT23 KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
SI2302 2.9A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6270 0,2980 0,1680 0,1250 0,1140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 59mOhm 2,9A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
1    58  59  60  61  62  63  64  65  66    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.