Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLZ44PBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: CDZ44; IRLZ44PBF; IRLZ44;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLZ44PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLZ44PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLZ44N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44PBF; IRLZ44PBF-BE3; IRLZ44NPBF; SP001568772;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRLZ44NPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLZ44N;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 10V | 22mOhm | 47A | 3,8W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRLZ44NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 10V | 22mOhm | 47A | 3,8W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3440 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 10V | 22mOhm | 47A | 3,8W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||||||||||
IRLZ44NSTRLPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44NSTRPBF; IRLZ44NSPBF; IRLZ44NSTRLPBF; IRLZ44NSPBF-GURT; IRLZ44NS SMD;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NSTRL RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1080 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
JMGK088V10A JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 12,7mOhm; 80A; 127W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMGK088V10A RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12,7mOhm | 80A | 127W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
JMSH0803AC-U JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 80V; 20V; 3mOhm; 194A; 192W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JJM Symbol Producenta: JMSH0803AC-U RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 3mOhm | 194A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
JMSH0805AE-13 JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 85V; 20V; 5mOhm; 121A; 130W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMSH0805AE-13 RoHS Obudowa dokładna: TO263/3 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 85V | 20V | 5mOhm | 121A | 130W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
JMTP170C04D JIEJIE
Tranzystor N/P-MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm/62mOhm; 10A; 7,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMTP170C04D RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 62mOhm | 10A | 7,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
LGE2300
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2300-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 12V | 32mOhm | 4A | 1,25W | SMD | -50°C ~ 155°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
LGE2301
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LGE2301-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2630 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -20V | 12V | 140mOhm | -3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
LGE2302
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 ODPOWIEDNIK: LGE2302-LGE; TSM2302CX RFG; TSM2302CS RF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1875 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 8V | 2,1A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||||||||||||
LGE2305
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -20V | 8V | 75mOhm | -4,1A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
Stan magazynowy:
2975 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2975 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -20V | 8V | 75mOhm | -4,1A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
LGE2312
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2312-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 10V | 10V | 31mOhm | 4,9A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||||||||||
MMBF0201NLT1G
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 1,4Ohm; 300mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 20V | 1,4Ohm | 300mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF0201NLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 20V | 1,4Ohm | 300mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF0201NLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 20V | 1,4Ohm | 300mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
MMBF170 ONS
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8179 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/33000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF170LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF170LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
78000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF170 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
168000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
MMBF170 China
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 500mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
938 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2058 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5,3Ohm | 500mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
MMBF4391LT1G
Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 30Ohm; 150mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2555 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 30Ohm | 150mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4391LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 30Ohm | 150mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4391LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 30Ohm | 150mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4391LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 30Ohm | 150mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
MMBF4392LT1G
Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 60Ohm; 50mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2980 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 60Ohm | 50mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4392LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
156000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 60Ohm | 50mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4392LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 60Ohm | 50mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4392LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1017000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 60Ohm | 50mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
MMBF5103
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 40V; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5103 RoHS 66A... Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
155 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 40V | 40V | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
MMBFJ111
Tranzystor N-JFET; 35V; 35V; 30Ohm; 20mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBFJ111;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1475 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 35V | 35V | 30Ohm | 20mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ111 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 35V | 35V | 30Ohm | 20mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
MMBFJ177LT1G
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ177LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1657 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-JFET | 30V | 30V | 300Ohm | 20mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ177LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
261000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-JFET | 30V | 30V | 300Ohm | 20mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ177LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-JFET | 30V | 30V | 300Ohm | 20mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
MMBFJ201
Tranzystor N-JFET; 40V; 40V; 1mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2930 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 40V | 40V | 1mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ201 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 1mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ201 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 1mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ201 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 1mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
MMBFJ310
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 60mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBFJ310LT1G; MMBFJ310LT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ310LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
7240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 25V | 25V | 60mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ310LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 25V | 25V | 60mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
MMBT7002K DIOTEC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT7002K-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
251 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1251 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT7002K Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: MMBT7002K Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2160 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
MMFTN138
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 50V ; 0,22A ; 0,36W ; SOT23 MMFTN138-DIO
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3,5Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMFTN138 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3,5Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: MMFTN138 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3,5Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
MMFTN170
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 5Ohm; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MMFTN170-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | ||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMFTN170 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | ||||||||||||
MUN5214DW1T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xNPN | 100mA | 256mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5214DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xNPN | 100mA | 256mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5214DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xNPN | 100mA | 256mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5214DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
819000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xNPN | 100mA | 256mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ONSEMI | ||||||||||||||||
MUN5333DW1T1G
Tranzystor PNP/NPN; Bipolarny; 50V; 10V; 4,7kOhm; 100mA; 187mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN/PNP | 50V | 10V | 10V | 4,7kOhm | 100mA | 187mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 t/r | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5333DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN/PNP | 50V | 10V | 10V | 4,7kOhm | 100mA | 187mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 t/r | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5333DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN/PNP | 50V | 10V | 10V | 4,7kOhm | 100mA | 187mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 t/r | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
NCE3080K NCE POWER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 10mOhm | 83A | 83W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | NCE POWER | |||||||||||||
NCE4080K NCE POWER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 7mOhm; 80A; 80W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 7mOhm | 80A | 80W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | NCE POWER |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.