Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)

1    54  55  56  57  58  59  60  61  62    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRLZ44PBF Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: CDZ44; IRLZ44PBF; IRLZ44;
IRLZ44PBF RoHS || IRLZ44PBF || IRLZ44PBF TO220
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
IRLZ44PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
990 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,6500 5,0800 4,2000 3,6800 3,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 35mOhm 47A 110W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
IRLZ44PBF
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 55V 16V 35mOhm 47A 110W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
IRLZ44N UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44PBF; IRLZ44PBF-BE3; IRLZ44NPBF; SP001568772;
IRLZ44N RoHS || IRLZ44N UMW TO220
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLZ44N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7300 1,3700 1,2500 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 35mOhm 47A 110W THT -55°C ~ 175°C TO220 UMW
IRLZ44NPBF Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLZ44N;
IRLZ44NPBF RoHS || IRLZ44NPBF || IRLZ44NPBF TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLZ44NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1900 1,7200 1,5700 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 10V 22mOhm 47A 3,8W THT -55°C ~ 175°C TO220 INFINEON
 
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRLZ44NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
700 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1900 1,7200 1,5700 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 10V 22mOhm 47A 3,8W THT -55°C ~ 175°C TO220 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLZ44NPBF
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
3440 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5767
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 55V 10V 22mOhm 47A 3,8W THT -55°C ~ 175°C TO220 INFINEON
IRLZ44NSTRLPBF Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44NSTRPBF; IRLZ44NSPBF; IRLZ44NSTRLPBF; IRLZ44NSPBF-GURT; IRLZ44NS SMD;
IRLZ44NSTRL RoHS || IRLZ44NSTRLPBF || IRLZ44NSTRLPBF TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLZ44NSTRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,1300 3,5900 3,0500 2,7900 2,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 35mOhm 47A 110W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLZ44NSTRLPBF
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
1080 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 55V 16V 35mOhm 47A 110W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLZ44NSTRLPBF
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 55V 16V 35mOhm 47A 110W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
JMGK088V10A JIEJIE Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 12,7mOhm; 80A; 127W; -55°C ~ 175°C;
JMGK088V10A RoHS || JMGK088V10A JIEJIE TO252
Producent:
Jiejie Microelectronics
Symbol Producenta:
JMGK088V10A RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,0000 3,3100 2,6400 2,4200 2,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 12,7mOhm 80A 127W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Jiangsu JieJie Microelectronics
JMSH0803AC-U JIEJIE Tranzystor N-MOSFET; 80V; 20V; 3mOhm; 194A; 192W; -55°C ~ 150°C;
JMSH0803AC-U RoHS || JMSH0803AC-U JIEJIE TO220
Producent:
JJM
Symbol Producenta:
JMSH0803AC-U RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,1600 6,0500 5,1600 4,8600 4,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 20V 3mOhm 194A 192W THT -55°C ~ 150°C TO220 Jiangsu JieJie Microelectronics
JMSH0805AE-13 JIEJIE Tranzystor N-MOSFET; 85V; 20V; 5mOhm; 121A; 130W; -55°C ~ 150°C;
JMSH0805AE-13 RoHS || JMSH0805AE-13 JIEJIE TO263
Producent:
Jiejie Microelectronics
Symbol Producenta:
JMSH0805AE-13 RoHS
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,2300 3,6500 3,0000 2,7900 2,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 85V 20V 5mOhm 121A 130W SMD -55°C ~ 150°C TO263 Jiangsu JieJie Microelectronics
JMTP170C04D JIEJIE Tranzystor N/P-MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm/62mOhm; 10A; 7,5W; -55°C ~ 150°C;
JMTP170C04D RoHS || JMTP170C04D JIEJIE SOP08
Producent:
Jiejie Microelectronics
Symbol Producenta:
JMTP170C04D RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7400 0,9600 0,7550 0,6990 0,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 40V 20V 62mOhm 10A 7,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Jiangsu JieJie Microelectronics
LGE2300 Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2300-LGE;
LGE2300 RoHS || LGE2300 SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE2300 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5560 0,2640 0,1480 0,1130 0,1010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 20V 12V 32mOhm 4A 1,25W SMD -50°C ~ 155°C SOT23 LGE
LGE2301 Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LGE2301-LGE;
LGE2301 RoHS || LGE2301 SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE2301 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2630 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5560 0,2640 0,1480 0,1130 0,1010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET -20V 12V 140mOhm -3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
LGE2302 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 ODPOWIEDNIK: LGE2302-LGE; TSM2302CX RFG; TSM2302CS RF;
LGE2302 RoHS || LGE2302 SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE2302 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1875 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5720 0,2630 0,1430 0,1070 0,0954
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 20V 8V 2,1A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
LGE2305 Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
LGE2305 RoHS || SI2305 RoHS || LGE2305 SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE2305 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8140 0,3870 0,2180 0,1650 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -20V 8V 75mOhm -4,1A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
 
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
SI2305 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2975 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2975+
cena netto (PLN) 0,8140 0,3870 0,2180 0,1650 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2975
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -20V 8V 75mOhm -4,1A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
LGE2312 Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2312-LGE;
LGE2312 RoHS || LGE2312 SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE2312 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8420 0,4000 0,2250 0,1710 0,1530
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 20V 10V 10V 31mOhm 4,9A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
MMBF0201NLT1G Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 1,4Ohm; 300mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23
MMBF0201NLT1G RoHS || MMBF0201NLT1G || MMBF0201NLT1G SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF0201NLT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9420 0,5210 0,3460 0,2890 0,2690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 20V 1,4Ohm 300mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF0201NLT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 20V 1,4Ohm 300mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF0201NLT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 20V 1,4Ohm 300mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
MMBF170 ONS Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
MMBF170LT1G RoHS || MMBF170LT1G || MMBF170 || MMBF170 ONS SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF170LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8179 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8510 0,4310 0,2610 0,2070 0,1890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/33000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF170LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF170LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
78000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF170
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
168000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBF170 China Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 500mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
MMBF170 RoHS || MMBF170 China SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
MMBF170 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
938 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2058+
cena netto (PLN) 0,5960 0,2730 0,1480 0,1100 0,0994
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2058
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5,3Ohm 500mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
MMBF4391LT1G Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 30Ohm; 150mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
MMBF4391LT1G RoHS || MMBF4391LT1G || MMBF4391LT1G SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF4391LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2555 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6080 0,4720 0,4350 0,4170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 30V 30V 30V 30Ohm 150mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF4391LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 30V 30V 30V 30Ohm 150mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF4391LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 30V 30V 30V 30Ohm 150mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF4391LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 30V 30V 30V 30Ohm 150mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
MMBF4392LT1G Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 60Ohm; 50mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
MMBF4392LT1G RoHS || MMBF4392LT1G || MMBF4392LT1G SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF4392LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6550 0,5080 0,4690 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 30V 30V 30V 60Ohm 50mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF4392LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
156000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 30V 30V 30V 60Ohm 50mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF4392LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 30V 30V 30V 60Ohm 50mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF4392LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
1017000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 30V 30V 30V 60Ohm 50mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
MMBF5103 Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 40V; 350mW; -55°C ~ 150°C;
MMBF5103 RoHS 66A... || MMBF5103 SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF5103 RoHS 66A...
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
 
Stan magazynowy:
155 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,7090 0,4970 0,4320 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 40V 40V 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ111 Tranzystor N-JFET; 35V; 35V; 30Ohm; 20mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBFJ111;
MMBFJ111 RoHS || MMBFJ111 || MMBFJ111 SOT23
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
MMBFJ111 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1475 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8910 0,4520 0,2740 0,2170 0,1980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 35V 35V 30Ohm 20mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ111
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3869
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 35V 35V 30Ohm 20mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ177LT1G Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215;
MMBFJ177LT1G RoHS || MMBFJ177LT1G || MMBFJ177LT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ177LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
1657 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5300 0,8450 0,6640 0,6150 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-JFET 30V 30V 300Ohm 20mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ177LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
261000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-JFET 30V 30V 300Ohm 20mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ177LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-JFET 30V 30V 300Ohm 20mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ201 Tranzystor N-JFET; 40V; 40V; 1mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
MMBFJ201 RoHS || MMBFJ201 || MMBFJ201 SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ201 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2930 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,7230 0,5690 0,5270 0,5050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 40V 40V 1mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ201
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 40V 40V 1mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ201
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 40V 40V 1mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ201
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 40V 40V 1mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ310 Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 60mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBFJ310LT1G; MMBFJ310LT3G;
MMBFJ310LT1G RoHS || MMBFJ310LT1G || MMBFJ310 SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ310LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
7240 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3900 0,7680 0,6040 0,5590 0,5360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 25V 25V 60mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ310LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 25V 25V 60mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBT7002K DIOTEC Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT7002K-DIO;
MMBT7002K RoHS  K72 || MMBT7002K || MMBT7002K DIOTEC SOT23
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
MMBT7002K RoHS K72
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
251 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 250+ 1251+ 6255+
cena netto (PLN) 0,4320 0,1720 0,0955 0,0731 0,0665
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1251
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
MMBT7002K
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0665
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
MMBT7002K
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2160 szt.
Ilość szt. 20+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0829
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
MMFTN138 Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 50V ; 0,22A ; 0,36W ; SOT23 MMFTN138-DIO
MMFTN138 RoHS || MMFTN138 || MMFTN138 SOT23
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
MMFTN138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 20V 3,5Ohm 220mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
MMFTN138
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 50V 20V 3,5Ohm 220mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
MMFTN138
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1991
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 50V 20V 3,5Ohm 220mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
MMFTN170 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 5Ohm; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MMFTN170-DIO;
MMFTN170 RoHS || MMFTN170 || MMFTN170 SOT23
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
MMFTN170 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7150 0,3400 0,1910 0,1450 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
MMFTN170
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
MUN5214DW1T1G Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
MUN5214DW1T1G RoHS || MUN5214DW1T1G || MUN5214DW1T1G SC-88 t/r
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5214DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6330 0,3000 0,1690 0,1280 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xNPN 100mA 256mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ONSEMI
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5214DW1T1G
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
 
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xNPN 100mA 256mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ONSEMI
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5214DW1T1G
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
 
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xNPN 100mA 256mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ONSEMI
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5214DW1T1G
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
 
Magazyn zewnetrzny:
819000 szt.
Ilość szt. 4879+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xNPN 100mA 256mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ONSEMI
MUN5333DW1T1G Tranzystor PNP/NPN; Bipolarny; 50V; 10V; 4,7kOhm; 100mA; 187mW; -55°C ~ 150°C;
MUN5333DW1T1G RoHS || MUN5333DW1T1G || MUN5333DW1T1G SC-88 t/r
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5333DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8360 0,3970 0,2230 0,1700 0,1520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
NPN/PNP 50V 10V 10V 4,7kOhm 100mA 187mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5333DW1T1G
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
 
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
NPN/PNP 50V 10V 10V 4,7kOhm 100mA 187mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5333DW1T1G
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
 
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
NPN/PNP 50V 10V 10V 4,7kOhm 100mA 187mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR
NCE3080K NCE POWER Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C;
NCE3080K RoHS || NCE3080K NCE POWER TO252 (DPACK)
Producent:
NCE Power Semiconductor
Symbol Producenta:
NCE3080K RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 600+
cena netto (PLN) 1,7900 1,1700 0,8330 0,7270 0,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 10mOhm 83A 83W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) NCE POWER
NCE4080K NCE POWER Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 7mOhm; 80A; 80W; -55°C ~ 175°C;
NCE4080K RoHS || NCE4080K NCE POWER TO252 (DPACK)
Producent:
NCE Power Semiconductor
Symbol Producenta:
NCE4080K RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7400 1,1400 0,8170 0,7150 0,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 7mOhm 80A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) NCE POWER
1    54  55  56  57  58  59  60  61  62    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.