Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTR4101PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 2,4A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4101PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 2,4A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4101PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
195000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 2,4A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4171PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4171PT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 150mOhm | 2,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4171PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 150mOhm | 2,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4171PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
252000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 150mOhm | 2,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4171PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 150mOhm | 2,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4501NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4501NT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 105mOhm | 3,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 105mOhm | 3,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 105mOhm | 3,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4502PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 350mOhm; 1,13A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4502PT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 350mOhm | 1,13A | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4502PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
855000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 350mOhm | 1,13A | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4502PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 350mOhm | 1,13A | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4502PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 350mOhm | 1,13A | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4503NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4503NT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 140mOhm | 2A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4503NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 140mOhm | 2A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4503NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 140mOhm | 2A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR5103NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 3Ohm; 260mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2261 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 3Ohm | 260mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR5103NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 3Ohm | 260mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR5103NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 3Ohm | 260mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR5103NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
210000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 3Ohm | 260mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTS4001NT1G
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 270mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 270mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4001NT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 270mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4001NT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
648000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 270mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTS4101PT1G
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 160mOhm; 1,37A; 329mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2950 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 160mOhm | 1,37A | 329mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTS4409NT1G
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 8V; 400mOhm; 700mA; 280mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 8V | 400mOhm | 700mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4409NT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 8V | 400mOhm | 700mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4409NT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 8V | 400mOhm | 700mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NVF2955T1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 185mOhm | 2,6A | 2,3W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NVF2955T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
71000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 185mOhm | 2,6A | 2,3W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NVF2955T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 185mOhm | 2,6A | 2,3W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NVMFS4C03NT1G
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 2,4mOhm; 159A; 77W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,4mOhm | 159A | 77W | SMD | -55°C ~ 175°C | DFN5 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NVR5124PLT1G
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 365mOhm; 1,1A; 470mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 365mOhm | 1,1A | 470mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NVR5124PLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 365mOhm | 1,1A | 470mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NVR5124PLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 365mOhm | 1,1A | 470mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NX2301P,215
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 270mOhm; 2A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX2301P,215; NX2301P.215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8540 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 270mOhm | 2A | 710mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 950 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 270mOhm | 2A | 710mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 270mOhm | 2A | 710mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX2301P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 270mOhm | 2A | 710mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX2301P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
138000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 270mOhm | 2A | 710mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX2301P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
159000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 270mOhm | 2A | 710mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
NX3008CBKS
Tranzystor N/P-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm/7,8Ohm; 350mA/200mA; 445mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008CBKS.115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 8V | 7,8Ohm | 350mA | 445mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3008CBKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 8V | 7,8Ohm | 350mA | 445mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3008CBKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 8V | 7,8Ohm | 350mA | 445mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3008CBKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 8V | 7,8Ohm | 350mA | 445mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
NX3008CBKV SOT666
Tranzystor N/P-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm/7,8Ohm; 400mA/220mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008CBKV,115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 8V | 7,8Ohm | 400mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT666 | NXP | |||||||||||||
NX3008NBK
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm; 400mA; 420mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 8V | 2,8Ohm | 400mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
NX3008NBKT NXP
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm; 350mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008NBKT,115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 8V | 2,8Ohm | 350mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC75-3 (SOT416) | NXP | |||||||||||||
NX3008NBKW NXP
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm; 350mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008NBKW,115; NX3008NBKW.115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 8V | 2,8Ohm | 350mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 8V | 2,8Ohm | 350mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3008NBKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 2,8Ohm | 350mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3008NBKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 2,8Ohm | 350mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3008NBKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 2,8Ohm | 350mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
NX3020NAK NXP
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 200mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3020NAK,215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 310 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 200mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3020NAK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 200mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3020NAK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 200mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3020NAK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 200mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
NX3020NAKW
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3020NAKW,115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 180mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3020NAKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 180mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX3020NAKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 180mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
NX7002AK NXP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX7002AK,215; NX7002AK.215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5745 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,2Ohm | 190mA | 325mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX7002AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
234000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,2Ohm | 190mA | 325mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX7002AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,2Ohm | 190mA | 325mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NX7002AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
174000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,2Ohm | 190mA | 325mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
NXV90EPR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 470mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 210mOhm | 1,5A | 470mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TO236-3 AB =>SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
P1010AT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 800mOhm; 69A; 115W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 25V | 800mOhm | 69A | 115W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | NIKO SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; -20V; 12V; 180mOhm; -2A; 0,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -20V | 12V | 180mOhm | -2A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | PJSEMI | |||||||||||||
PMF170XP SOT323
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 1A; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
135 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 1A | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMF170XP,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
102300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 1A | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMF170XP,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 1A | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMF170XP,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
555000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 1A | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
PMGD280UN NEXPERIA
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,55A; 400mW; SOT363; PMGD280UN,115; PMGD280UN.115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 20V | 8V | 340mOhm | 550mA | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMGD280UN,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 20V | 20V | 8V | 340mOhm | 550mA | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMGD280UN,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 20V | 20V | 8V | 340mOhm | 550mA | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
PMGD400UN SOT363
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 30V; 8V; 830mOhm; 710mA; 410mW; -55°C ~ 150°C; Obsolete
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: PMGD400UN RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
504 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 30V | 8V | 830mOhm | 710mA | 410mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
PMV160UP
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 380mOhm; 1,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV160UP.215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 95 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV160UP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV160UP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV160UP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV20ENR
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6A; 1,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV20ENR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV20ENR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV20ENR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV213SN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 30V; 575mOhm; 1,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV213SN,215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1585 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 30V | 575mOhm | 1,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV213SN,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 30V | 575mOhm | 1,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV213SN,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 30V | 575mOhm | 1,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.