Tranzystory polowe (wyszukane: 2120)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4286DY
Tranzystor 2xN-MOSFET; 40V; 20V; 40mOhm; 7A; 2,9W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4286DY-T1-GE3; SI4286DY-T1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4286DY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 40mOhm | 7A | 2,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4401BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4401BDY-T1-E3; SI4401BDY-E3; SI4401BDY-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4401BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
47 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 21mOhm | 8,7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4403BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4403BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 32mOhm | 7,3A | 1,35W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4403BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 32mOhm | 7,3A | 1,35W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4420BDY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4420BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 9,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4425BDY-T1-E3
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 8,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4425BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 19mOhm | 8,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 49mOhm; 9A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4431CDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 49mOhm | 9A | 4,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4442DY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 7,5mOhm; 15A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4442DY-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 7,5mOhm | 15A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4459ADY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4463CDY-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 14mOhm; 18,6A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4463CDY-E3; SI4463CDY-T1-E3; SI4463CDY-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463CDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 14mOhm | 18,6A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4470EY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 9A; 1,85W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4470EY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13mOhm | 9A | 1,85W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4564DY-T1-GE3
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 30A | 5,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VBsemi | ||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 30A | 5,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VBsemi | ||||||||||||
SI4686DY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 18,2A; 5,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4686DY-T1-E3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4686DY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 45 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 14mOhm | 18,2A | 5,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4800BDY-e3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 6,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4800BDY-T1-E3; SI4800BDY-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4800BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 225 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 25V | 30mOhm | 6,5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4816BDY-T1-GE3TR
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 22,5mOhm/16mOhm; 5,8A/8,2A; 1W/1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4816BDY-T1-E3TR;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4816BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
54 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 22,5mOhm | 8,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4835DDY SMD
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 13A; 5,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4835DDY-T1-GE3; SI4835DDY-T1-E3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4835DDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 30mOhm | 13A | 5,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4840BDY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4840BDY-T1-E3; SI4840BDY-E3; SI4840BDY-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4840BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 19A | 6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4909DY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 27mOhm | 8A | 3,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBsemi | ||||||||||||
SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 5,8A; 2,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4936CDY-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 5,8A | 2,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI4948BEY-T1-E3 Vishay
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,4A; 1,4W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
210 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOIC08 | VISHAY | ||||||||||||
SI6968BEDQ
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 5,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI6968BEDQ RoHS Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r |
Stan magazynowy:
64 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 5,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 t/r | VISHAY | ||||||||||||
SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 186mOhm; 10,8A; 27,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI7113ADN-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 186mOhm | 10,8A | 27,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | ||||||||||||
SI7461DP-T1-E3 VISHAY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 8,6A; 1,9W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7461DP; SI7461DP-T1-E3; SI7461DP-GE3; SI7461DP-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI7461DP-GE3 RoHS Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 8,6A | 1,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | ||||||||||||
SI9407BDY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
14 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI9430DY
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 20V; 90mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9430DY Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
540 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 20V | 90mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI9433BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 60mOhm | 4,5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI9435BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 4,1A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9435BDY-E3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9435BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 4,1A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI9933CDY
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9933CDY-T1-GE3; SI9933CDY-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1163 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 94mOhm | 4A | 3,1W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SI9945BDY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9945BDY-T1-GE3; SI9945BDY-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 72mOhm | 5,3A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SIHG20N50C-E3
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 250W; -55°C ~ 150°C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kanałem N THT
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SIHG20N50C-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 270mOhm | 20A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | ||||||||||||
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 110 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 38A | 17W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.