Tranzystory polowe (wyszukane: 2120)

1    59  60  61  62  63  64  65  66  67    71
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SI4286DY Tranzystor 2xN-MOSFET; 40V; 20V; 40mOhm; 7A; 2,9W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4286DY-T1-GE3; SI4286DY-T1;
SI4286DY-T1-GE3 RoHS || SI4286DY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4286DY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,7000 4,3500 3,6000 3,1600 3,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 40V 20V 40mOhm 7A 2,9W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4401BDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4401BDY-T1-E3; SI4401BDY-E3; SI4401BDY-T1-GE3;
SI4401BDY RoHS || SI4401BDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4401BDY RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
47 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,5600 3,3400 2,6800 2,3000 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 21mOhm 8,7A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4403BDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C;
SI4403BDY RoHS || SI4403BDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4403BDY RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,5100 1,1600 1,0500 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 32mOhm 7,3A 1,35W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4403BDY RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4400 1,5300 1,2700 1,1300 1,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 32mOhm 7,3A 1,35W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4420BDY Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
SI4420BDY RoHS || SI4420BDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4420BDY RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8800 1,5600 1,3900 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 11mOhm 9,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4425BDY-T1-E3 Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 8,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
SI4425BDY-T1-E3 RoHS || SI4425BDY-T1-E3 SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4425BDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 19mOhm 8,8A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 49mOhm; 9A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
SI4431CDY-T1-GE3 RoHS || SI4431CDY-T1-GE3 Vishay SOIC08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4431CDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
 
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,8500 1,8100 1,4300 1,3000 1,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 49mOhm 9A 4,2W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 VISHAY
SI4442DY Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 7,5mOhm; 15A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
SI4442DY-E3 RoHS || SI4442DY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4442DY-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5300 1,6000 1,2600 1,1500 1,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 7,5mOhm 15A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4459ADY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9700 3,2700 3,0400 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 7,7mOhm 29A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4463CDY-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 14mOhm; 18,6A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4463CDY-E3; SI4463CDY-T1-E3; SI4463CDY-GE3;
SI4463CDY-T1-GE3 RoHS || SI4463CDY-T1-GE3 SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4463CDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,9000 3,4300 2,9200 2,6700 2,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 14mOhm 18,6A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4470EY Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 9A; 1,85W; -55°C ~ 175°C;
SI4470EY-T1-E3 RoHS || SI4470EY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4470EY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 2,9200 2,1700 1,6000 1,3700 1,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 13mOhm 9A 1,85W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 VISHAY
SI4564DY-T1-GE3 Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB;
SI4564DY RoHS || SI4564DY-VB RoHS || SI4564DY-T1-GE3 SOIC08
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
SI4564DY RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,4600 4,5200 3,8400 3,5200 3,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 40V 20V 22mOhm 30A 5,2W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 VBsemi
 
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
SI4564DY-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,4600 4,5200 3,8400 3,5200 3,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 40V 20V 22mOhm 30A 5,2W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 VBsemi
SI4686DY Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 18,2A; 5,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4686DY-T1-E3;
SI4686DY RoHS || SI4686DY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4686DY RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 2+ 5+ 15+ 45+
cena netto (PLN) 2,4800 1,7100 1,2300 0,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
45
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 14mOhm 18,2A 5,2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4800BDY-e3 Tranzystor N-MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 6,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4800BDY-T1-E3; SI4800BDY-T1-GE3;
SI4800BDY-T1-E3 RoHS || SI4800BDY-e3 SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4800BDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 225+ 1125+
cena netto (PLN) 2,4300 1,4700 1,1300 1,0200 0,9720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
225
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 25V 30mOhm 6,5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4816BDY-T1-GE3TR Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 22,5mOhm/16mOhm; 5,8A/8,2A; 1W/1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4816BDY-T1-E3TR;
SI4816BDY-T1-GE3 RoHS || SI4816BDY-T1-GE3TR SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4816BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
54 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,0400 3,3500 2,7700 2,5000 2,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 22,5mOhm 8,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4835DDY SMD Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 13A; 5,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4835DDY-T1-GE3; SI4835DDY-T1-E3;
SI4835DDY-T1-E3 RoHS || SI4835DDY SMD SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4835DDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,1000 2,7200 2,2500 2,0300 1,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 30mOhm 13A 5,6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4840BDY Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4840BDY-T1-E3; SI4840BDY-E3; SI4840BDY-GE3;
SI4840BDY RoHS || SI4840BDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4840BDY RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,6800 6,4400 5,7300 5,2800 5,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 12mOhm 19A 6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4909DY Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3;
SI4909DY-VB RoHS || SI4909DY SOP08
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
SI4909DY-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8900 2,5800 2,1400 1,9300 1,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 27mOhm 8A 3,2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VBsemi
SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 5,8A; 2,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4936CDY-GE3;
SI4936CDY-GE3 RoHS || SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY SOP08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI4936CDY-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,5800 1,6200 1,3400 1,2000 1,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 50mOhm 5,8A 2,3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4948BEY-T1-E3 Vishay Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,4A; 1,4W; -55°C ~ 175°C;
SI4948BEY-T1-E3 RoHS || SI4948BEY-T1-E3 Vishay SOIC08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI4948BEY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
210 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 250+
cena netto (PLN) 3,7000 2,4400 2,0100 1,8100 1,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
250
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 60V 20V 150mOhm 2,4A 1,4W SMD -55°C ~ 175°C SOIC08 VISHAY
SI6968BEDQ Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 5,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
SI6968BEDQ RoHS || SI6968BEDQ TSSOP08 t/r
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI6968BEDQ RoHS
Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
 
Stan magazynowy:
64 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4700 2,1800 1,8100 1,6100 1,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 30mOhm 5,2A 1W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 t/r VISHAY
SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 186mOhm; 10,8A; 27,8W; -55°C ~ 150°C;
SI7113ADN-T1-GE3 RoHS || SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY PPAK-SO8
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI7113ADN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Stan magazynowy:
3 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,8200 4,9600 4,0600 3,7100 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 186mOhm 10,8A 27,8W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 VISHAY
SI7461DP-T1-E3 VISHAY Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 8,6A; 1,9W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7461DP; SI7461DP-T1-E3; SI7461DP-GE3; SI7461DP-T1-GE3;
SI7461DP-GE3 RoHS || SI7461DP-T1-E3 VISHAY PPAK-SO8
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI7461DP-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,7700 6,1700 5,5200 5,2700 5,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 19mOhm 8,6A 1,9W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 VISHAY
SI9407BDY Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY SOP08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5200 2,2100 1,8300 1,6300 1,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
3 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5200 2,2100 1,8300 1,6300 1,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9430DY Tranzystor P-MOSFET; 20V; 20V; 90mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
SI9430DY || SI9430DY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI9430DY
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
540 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6770 0,4490 0,3740 0,3500
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 20V 90mOhm 5,8A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9433BDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,0600 4,6300 3,8300 3,3600 3,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 60mOhm 4,5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9435BDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 4,1A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9435BDY-E3;
SI9435BDY RoHS || SI9435BDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI9435BDY RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 70mOhm 4,1A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9933CDY Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9933CDY-T1-GE3; SI9933CDY-GE3;
SI9933CDY-T1-GE3 RoHS || SI9933CDY SOP08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI9933CDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1163 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,4700 1,1300 1,0200 0,9690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 20V 12V 94mOhm 4A 3,1W SMD -50°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9945BDY Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9945BDY-T1-GE3; SI9945BDY-GE3;
SI9945BDY-T1-GE3 RoHS || SI9945BDY SOP08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI9945BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8200 2,4000 1,9900 1,7700 1,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 72mOhm 5,3A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SIHG20N50C-E3 Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 250W; -55°C ~ 150°C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kanałem N THT
SIHG20N50C-E3 RoHS || SIHG20N50C-E3 TO247
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SIHG20N50C-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 10,4700 8,2900 7,4000 7,2000 6,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 30V 270mOhm 20A 250W THT -55°C ~ 150°C TO247 VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS || SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 110+ 550+
cena netto (PLN) 4,3100 2,8700 2,3700 2,1300 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 12mOhm 38A 17W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 VISHAY
1    59  60  61  62  63  64  65  66  67    71

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.