Tranzystory polowe (wyszukane: 5472)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML2502 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
2590 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML2502
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
524 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
10868 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2996 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2996 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
642000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
222000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
244000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML2502
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW3416; IRLML2502; SKML2502; IRLML2502TRPBF-ES; S2 IRLML2502; IRLML2502TRPBF; C-CDM2502; BM2300;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: IRLML2502 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1395 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
IRLML2502 SOT23-3 HUA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
239 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 239 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 70mOhm | 3,6A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Huashuo Semiconductor | |||||||||||||
Stan magazynowy:
1101 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1101 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 70mOhm | 3,6A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Huashuo Semiconductor | |||||||||||||
IRLML2502TRPBF LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336; C-CDM2502;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: IRLML2502 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
IRLML2803TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803GTRPBF; IRLML2803TRPBF; SP001550482; SP001572964; SP001558316;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
440 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML5103TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5103TRPBF; IRLML5103GTRPBF; SP001572946; SP001568594;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 1Ohm | 760mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML5103
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5103TRPBF; IRLML5103PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML5103TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
693 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 1Ohm | 760mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML5103TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 1Ohm | 760mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML5103TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
88900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 1Ohm | 760mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML5103TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 1Ohm | 760mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML5203TRPBF
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML5203PBF; IRLML5203TR; IRLML5203;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML5203TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4285 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 165mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML5203TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
714000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 165mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML5203TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
166800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 165mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML5203TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
153000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 165mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML5203TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2750 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 90mOhm | 4,2A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
KIRLML5203TRPBF KUU
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KIRLML5203TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
277 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 277 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 165mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KIRLML5203TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
23 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 23 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 165mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
IRLML6244TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 73mOhm; 6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; SP001558344;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 73mOhm | 6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML6244TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 31mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; SP001558344;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
320 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 810 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 31mOhm | 6,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
SL6244 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 46mOhm; 6,5A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; SP001558344;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 46mOhm | 6,5A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
IRLML6244TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; IRLML6244PBF; IRLML6244; IRLML6244TR; IRLML6244TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6244TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
903 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6244TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
243000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML6246
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 66mOhm; 4,1A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6246TRPBF; IRLML6246PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6246TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2285 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 66mOhm | 4,1A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6246TR T... RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 66mOhm | 4,1A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 66mOhm | 4,1A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 66mOhm | 4,1A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Magazyn zewnetrzny:
7100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 66mOhm | 4,1A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML6302TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6302TRPBF; IRLML6302GTRPBF; SP001574060; SP001550492;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 110mOhm | 780mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML6302
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 900mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRLML6302PBF; IRLML6302TRPBF; IRLML6302GTRPBF; SP001574060;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6302TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
22000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 900mOhm | 780mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML6344TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 37mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML6344TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; IRLML6344PBF; SP001574050; MA005540618; IRLML6344; IRLML6344TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6344TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
17333 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 37mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6344TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2724000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 37mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6344TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 37mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6344TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 37mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML6346
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6346TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6568 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 80mOhm | 3,4A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6346TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
828000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 80mOhm | 3,4A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6346TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
19400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 80mOhm | 3,4A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
IRLML6401 China
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW2311B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 16V | 8V | 50mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | KEXIN | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
IRLML6401
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1805 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1805 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HUASHUO | |||||||||||||
Stan magazynowy:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 815 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HUASHUO | |||||||||||||
IRLML6401 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
990 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 85mOhm | 5A | 1,31W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML6401TRPBF JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 110mOhm | 3,3A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT23 | JGSEMI | |||||||||||||
IRLML6401
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KEXIN | |||||||||||||
KIRLML6401
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF; KIRLML6401TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
IRLML6401 MLCCBASE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 110mOhm | 3,5A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MLCCBASE | |||||||||||||
IRLML6401
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
IRLML6401
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2201 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.