Tranzystory polowe (wyszukane: 5478)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFU4105Z
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 24,5mOhm; 30A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU4105ZPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 24,5mOhm | 30A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFU420
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU420PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFU420 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,4A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU420PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
34750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,4A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU420PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,4A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFU420PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
35475 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,4A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFU420A
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 3Ohm; 3,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU420APBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFU420A RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 3Ohm | 3,3A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFU4510PBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 13,9mOhm; 63A; 143W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 13,9mOhm | 63A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU4510PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 13,9mOhm | 63A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU4510PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
225 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 13,9mOhm | 63A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFU4615
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 33A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU4615PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
71 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 42mOhm | 33A | 144W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU4615PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 42mOhm | 33A | 144W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFU5305
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU5305PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU5305PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
6745 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU5305PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFU5505PBF
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU5505PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 110mOhm | 18A | 57W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFU6215
Tranzystor P-MOSFET; 150V; 20V; 580mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU6215PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFU6215PBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 150V | 20V | 580mOhm | 13A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFU7440PBF INFINEON
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 2,8mOhm; 180A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,8mOhm | 180A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFU9014
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 5,1A; 25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 5,1A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU9014PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 5,1A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFU9024PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFU9024N RoHS IRFU9024 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/525 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 8,8A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU9024PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
13500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 8,8A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU9024PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 8,8A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFU9024N RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 8,8A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFU9024PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 8,8A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFU9310
Tranzystor P-MOSFET; 400V; 20V; 7Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU9310PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 400V | 20V | 7Ohm | 1,8A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU9310PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1281 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 400V | 20V | 7Ohm | 1,8A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFUC20
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 7Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFUC20PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 7Ohm | 2A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFUC20PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3916 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 7Ohm | 2A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFZ14
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 10A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ14PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFZ14 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 10A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFZ14PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 10A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFZ24N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 70mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ24PBF; IRFZ24NPBF; IRFZ24NTRPBF; IRFZ24NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
76 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 70mOhm | 17A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ24NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 70mOhm | 17A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFZ24PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 70mOhm | 17A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ24NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6044 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 70mOhm | 17A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
DHZ24 DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 15A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ24PBF; IRFZ24NPBF; SP001565128;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 15A | 50W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Donghai | |||||||||||||
IRFZ34N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 29A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ34N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 29A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
71386 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 29A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 29A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1630 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 29A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFZ44E
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 48A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44EPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 23mOhm | 48A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 23mOhm | 48A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFZ44NPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFZ44PBF; IRFZ44PBF-BE3; IRFZ44NPBF; SP001565354;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6mOhm | 110A | 358W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRFZ44N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFZ44PBF; IRFZ44PBF-BE3; IRFZ44NPBF; SP001565354;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 21mOhm | 50A | 105W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRFZ44N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44NPBF; IRFZ 44 NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7998 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 17,5mOhm | 49A | 94W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4020 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 17,5mOhm | 49A | 94W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFZ44NS UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFZ44NSPBF; IRFZ44NSTRLPBF; IRFZ44NSTRRPBF; SP001560684; SP001578598; SP001567882;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
53 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 21mOhm | 50A | 105W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | UMW | |||||||||||||
IRFZ44NS smd
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44NSPBF; IRFZ44NSTRLPBF; IRFZ44NSTRRPBF; IRFZ44NSPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44NSTRL RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 17,5mOhm | 49A | 94W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
880 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 17,5mOhm | 49A | 94W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFZ44PBF VISHAY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFZ44 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFZ44PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFZ44PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1684 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFZ44PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFZ44V
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 16,5mOhm; 55A; 115W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44VPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 16,5mOhm | 55A | 115W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFZ46NPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ46NPBF; IRFZ 46 N PBF; IRFZ46N;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 16,5mOhm | 53A | 107W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ46NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
8400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 16,5mOhm | 53A | 107W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ46NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 16,5mOhm | 53A | 107W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFZ 46 N PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 16,5mOhm | 53A | 107W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFZ48
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 190W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48PBF; IRFB3806PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFZ48 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 50A | 190W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFZ48N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48NPBF; IRFZ 48 N PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
490 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/700 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 14mOhm | 64A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ48NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
25806 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 14mOhm | 64A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ48NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 14mOhm | 64A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFZ 48 N PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 14mOhm | 64A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFZ48NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48NSPBF-GURT; IRFZ48NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 14mOhm | 64A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ48NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 14mOhm | 64A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ48NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
36390 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 14mOhm | 64A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ48NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
7200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 14mOhm | 64A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRL1004
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 16V; 9mOhm; 130A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL1004PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL1004 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 16V | 9mOhm | 130A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL1004PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 16V | 9mOhm | 130A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL1004PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 16V | 9mOhm | 130A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.