Tranzystory polowe (wyszukane: 5472)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLD024
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 140mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLD024PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRLD024 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04 |
Stan magazynowy:
23 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 85 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 10V | 140mOhm | 2,5A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLD024PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 10V | 140mOhm | 2,5A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
IRLD120
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 10V; 380mOhm; 1,3A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLD120PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRLD120 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 10V | 380mOhm | 1,3A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
IRLHM630TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 4,5mOhm; 21A; 2,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 4,5mOhm | 21A | 2,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN33 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLI3705N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 52A; 58W; -55°C ~ 175°C; Opowiednik: IRLI3705NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 18mOhm | 52A | 58W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLL014TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
850 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 10V | 280mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLL014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 10V | 280mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRLL014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 10V | 280mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
IRLL014N smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL014NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
391 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 280mOhm | 2,8A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
1200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 280mOhm | 2,8A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
325000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 280mOhm | 2,8A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 280mOhm | 2,8A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
19800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 280mOhm | 2,8A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLL014NTRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLL014PBF; IRLL014TRPBF; IRLL014TRPBF-BE3; IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; SP001550472; SP001578654;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 110mOhm | 5A | 1,79W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT223 | JGSEMI | |||||||||||||
IRLL014NTR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL014PBF; IRLL014TRPBF; IRLL014TRPBF-BE3; IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; SP001550472; SP001578654;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 280mOhm | 2,8A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | UMW | |||||||||||||
IRLL024N smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL024NPBF-GURT; IRLL024NTRPBF; IRLL024N-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL024NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
2030 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 100mOhm | 4,4A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL024NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
209000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 100mOhm | 4,4A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL024NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 100mOhm | 4,4A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLL024Z
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 57,5mOhm; 5,1A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL024ZPBF; IRLL024ZTRPBF 2.5K/RL;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL024ZTRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
470 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 57,5mOhm | 5,1A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL024ZTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
85000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 57,5mOhm | 5,1A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL024ZTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 57,5mOhm | 5,1A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLL110TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 76mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 10V | 76mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | UMW | |||||||||||||
IRLL110
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 760mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRLL110TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 10V | 760mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRLL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
27500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 10V | 760mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 10V | 760mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 10V | 760mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 10V | 760mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
IRLL2703
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 70mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL2703TRPBF; IRLL2703PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
69 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 16V | 70mOhm | 5,5A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML0030TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; SP001568604;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2750 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML0030TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 125°C Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; SP001568604;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT23 | JGSEMI | |||||||||||||
IRLML0030TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; SP001568604;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 5,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML0040TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 52mOhm; 5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0040TRPBF; SP001572982;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
825 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 12V | 52mOhm | 5A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML0040TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 33mOhm; 5,3A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0040TRPBF; SP001572982;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 33mOhm | 5,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML0040TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 16V; 78mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0040TRPBF; IRLML0040PBF; IRLML0040;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0040TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3833 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 16V | 78mOhm | 3,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0040TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1092000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 16V | 78mOhm | 3,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0040TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 16V | 78mOhm | 3,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0040TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
16100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 16V | 78mOhm | 3,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML0060TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 115mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 115mOhm | 3A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML0060TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TR; IRLML0060TRPBF; IRLML0060PBF; SP001568948; IRLML0060;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0060TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 116mOhm | 2,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0060TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
8930 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 116mOhm | 2,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1346900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 116mOhm | 2,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
439000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 116mOhm | 2,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
20200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 116mOhm | 2,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML0100
IRLML0100TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
KEXIN Symbol Producenta: IRLML0100 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1920 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 220mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | KEXIN | |||||||||||||
IRLML2060TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 99mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2060TRPBF; SP001578644;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 99mOhm | 1,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML2060
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 640mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2060TR; IRLML2060TRPBF; IRLML2060PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2060TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
19910 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 640mOhm | 1,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
630000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 640mOhm | 1,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 640mOhm | 1,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 640mOhm | 1,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML2246TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2246TRPBF; SP001552690;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML2402TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 350mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML2502TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML2502TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 4A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT23 | JGSEMI | |||||||||||||
IRLML2502TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 90mOhm | 4,5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
IRLML2502 MLCCBASE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MLCCBASE |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.