Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)

1    61  62  63  64  65  66  67  68  69    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SI9945AEY SOP8 TECH PUBLIC Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 26mOhm; 6A; 2W; -55°C~150°C;
SI9945AEY RoHS || SI9945AEY SOP8 TECH PUBLIC SOP08
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
SI9945AEY RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 3,3600 2,1000 1,6800 1,5100 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 10V 20V 26mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TECH PUBLIC
SI9945BDY Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9945BDY-T1-GE3; SI9945BDY-GE3;
SI9945BDY-T1-GE3 || SI9945BDY-T1-GE3 RoHS || SI9945BDY SOP08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI9945BDY-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
11600 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 60V 20V 72mOhm 5,3A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI9945BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3000 1,9100 1,7000 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 72mOhm 5,3A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SIHG20N50C-E3 Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 250W; -55°C ~ 150°C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT
SIHG20N50C-E3 RoHS || SIHG20N50C-E3 TO247
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SIHG20N50C-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,4700 8,3100 7,4300 7,1100 6,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 30V 270mOhm 20A 250W THT -55°C ~ 150°C TO247 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHG20N50C-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,4700 8,3100 7,4300 7,1100 6,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 30V 270mOhm 20A 250W THT -55°C ~ 150°C TO247 VISHAY
SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C;
SIHK045N60E-T1-GE3 RoHS || SIHK045N60E-T1-GE3 || SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SIHK045N60E-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 24,7800 22,8300 21,6300 21,0200 20,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 49mOhm 48A 278W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 Siliconix
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK045N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 20,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 30V 49mOhm 48A 278W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 Siliconix
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS || SIRA28BDP-T1-GE3 || SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 110+ 550+
cena netto (PLN) 4,3100 2,8700 2,3700 2,1300 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 12mOhm 38A 17W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRA28BDP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 12mOhm 38A 17W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 VISHAY
SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
SISH110DN-T1-GE3 RoHS || SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK1212
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISH110DN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK1212
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,0400 4,2300 3,6000 3,2900 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
650
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 20V 7,8mOhm 13,5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C PPAK1212 Vishay
SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5mOhm; 90,6A; 65,7W; -55°C ~ 150°C;
SISS22DN-T1-GE3 RoHS || SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS22DN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,9600 6,3000 5,3700 4,9300 4,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5mOhm 90,6A 65,7W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 VISHAY
SIZ240DT-T1-GE3 Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C;
SIZ240DT-T1-GE3 RoHS || SIZ240DT-T1-GE3 POWERPAIR08(3.3x3.3)
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIZ240DT-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
POWERPAIR08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,7900 6,1800 5,5900 5,2800 5,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 40V 20V 13mOhm 48A 33W SMD -55°C ~ 150°C POWERPAIR08(3.3x3.3) VISHAY
SK3402 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 65mOhm; 4,2A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3402;
SK3402 RoHS || SK3402 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SK3402 RoHS
Obudowa dokładna:
SC59
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8580 0,4080 0,2290 0,1740 0,1560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 65mOhm 4,2A SMD -50°C ~ 150°C SC59 SHIKUES
SK3407 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,1A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407;
SK3407 RoHS || SK3407 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SK3407 RoHS
Obudowa dokładna:
SC-59 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8860 0,4190 0,2350 0,1770 0,1610
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 100mOhm 4,1A SMD 25°C ~ 150°C SC59 SHIKUES
SK3414 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3414;
SK3414 RoHS || SK3414 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SK3414 RoHS
Obudowa dokładna:
SC-59 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
270 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,4660 0,2610 0,1970 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 60mOhm 4,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SC59 SHIKUES
SKML2502 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
SKML2502 RoHS || SKML2502 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SKML2502 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2480 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9300 0,4420 0,2480 0,1890 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 55mOhm 4,5A SMD -50°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
SKML6401 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
SKML6401 RoHS || SKML6401 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SKML6401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
750 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3300 0,1920 0,1600 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 16V 8V 140mOhm 3A SMD 25°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
SKQ55P02AD SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 15mOhm; 55A; 38W; -55°C ~ 150°C;
SKQ55P02AD RoHS || SKQ55P02AD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SKQ55P02AD RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,7370 0,5170 0,4490 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 15mOhm 55A 38W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(3.3x3.3) SHIKUES
SMP5116 Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
SMP5116 RoHS || SMP5116 SOT23
Producent:
INTERFET
Symbol Producenta:
SMP5116 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 110+
cena netto (PLN) 13,5100 12,0200 11,1200 10,6700 10,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET -15V 30V -25mA SMD SOT23 InterFET
SPA11N80C3 Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
SPA11N80C3XKSA1 RoHS || SPA11N80C3XKSA1 || SPA11N80C3XKSA2 || SPA11N80C3 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 18,5800 15,7300 14,0100 12,9000 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA2
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
492 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA2
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
SPB17N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPB17N80C3ATMA1;
SPB17N80C3 RoHS || SPB17N80C3ATMA1 || SPB17N80C3 TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPB17N80C3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 13,7800 11,8500 11,0900 10,6900 10,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 670mOhm 17A 227W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPB17N80C3ATMA1
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 670mOhm 17A 227W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPB17N80C3ATMA1
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 670mOhm 17A 227W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Infineon Technologies
SPD06N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
SPD06N80C3ATMA1 RoHS || SPD06N80C3ATMA1 || SPD06N80C3 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD06N80C3ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,3800 13,7900 12,2300 11,4600 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD06N80C3ATMA1
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD07N60C3 Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1;
SPD07N60C3 RoHS || SPD07N60C3ATMA1 || SPD07N60C3 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD07N60C3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,2400 3,6700 3,1200 2,8500 2,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 1,46Ohm 7,3A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD07N60C3ATMA1
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 1,46Ohm 7,3A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD09P06PL G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD09P06PLGBTMA1;
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS || SPD09P06PL G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 400mOhm 9,7A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 400mOhm 9,7A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD15P10PL G Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD15P10PLGBTMA1;
SPD15P10PLGBTMA1 RoHS || SPD15P10PLGBTMA1 || SPD15P10PL G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,9100 5,8600 5,1300 4,7600 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 270mOhm 15A 128W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 100V 20V 270mOhm 15A 128W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 100V 20V 270mOhm 15A 128W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD18P06P G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD18P06PGBTMA1;
SPD18P06PG RoHS || SPD18P06PGBTMA1 || SPD18P06P G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD18P06PG RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
31 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8300 3,5400 2,8400 2,4400 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,6A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD18P06PGBTMA1
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,6A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD18P06PGBTMA1
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,6A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD30P06P G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD30P06PGBTMA1;
SPD30P06PGBTMA1 RoHS || SPD30P06P G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD30P06PGBTMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,5700 4,2500 3,5200 3,0800 2,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 75mOhm 30A 125W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD50P03L G Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD50P03LGBTMA1;
SPD50P03LGBTMA1 RoHS || SPD50P03L G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD50P03LGBTMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 9+ 27+ 81+
cena netto (PLN) 8,1400 6,4400 5,5300 5,0500 4,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
9
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 12,5mOhm 50A 150W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPP04N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP04N80C3XKSA1;
SPP04N80C3XKSA1 RoHS || SPP04N80C3XKSA1 || SPP04N80C3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP04N80C3XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6800 4,3400 3,5900 3,1500 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 3Ohm 4A 63W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP04N80C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
2993 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 3Ohm 4A 63W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP06N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP06N80C3XKSA1;
SPP06N80C3 RoHS || SPP06N80C3XKSA1 || SPP06N80C3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP06N80C3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4300 5,1300 4,3900 3,9400 3,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP06N80C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
152 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7731
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP08N80C3 Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,5Ohm; 8A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP02N80C3XKSA1;
SPP08N80C3 RoHS || SPP08N80C3XKSA1 || SPP08N80C3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP08N80C3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
48 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 9,3100 7,6200 6,6500 6,0400 5,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 1,5Ohm 8A 104W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP08N80C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1082 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 1,5Ohm 8A 104W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP11N80C3XKSA1 Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 156W; -55°C ~ 150°C;
SPP11N80C3XKSA1 RoHS || SPP11N80C3XKSA1 || SPP11N80C3XKSA1 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP11N80C3XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
54 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 15,9000 13,4600 11,9900 11,0400 10,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 156W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP11N80C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
2042 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 156W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP18P06P Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,7A; 81,1W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPP18P06PH; SPP18P06PHXKSA1;
SPP18P06PHXKSA1 RoHS || SPP18P06PHXKSA1 || SPP18P06P TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP18P06PHXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,9700 2,9100 2,3400 2,0000 1,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,7A 81,1W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP18P06PHXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1715
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,7A 81,1W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP18P06PHXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
2497 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2143
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,7A 81,1W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP18P06PHXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
256 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6413
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,7A 81,1W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
SPP20N60S5 Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 430mOhm; 20A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60S5HKSA1; SPP20N60S5XKSA1;
SPP20N60S5XKSA1 RoHS || SPP20N60S5XKSA1 || SPP20N60S5 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP20N60S5XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
39 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 31,6100 26,8300 23,9000 21,9600 21,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 430mOhm 20A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP20N60S5XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
4350 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 21,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 20V 430mOhm 20A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP20N60S5XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
335 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 21,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 20V 430mOhm 20A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
1    61  62  63  64  65  66  67  68  69    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.