Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI9945AEY SOP8 TECH PUBLIC
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 26mOhm; 6A; 2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 26mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
SI9945BDY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9945BDY-T1-GE3; SI9945BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9945BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
11600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 72mOhm | 5,3A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9945BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 72mOhm | 5,3A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SIHG20N50C-E3
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 250W; -55°C ~ 150°C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SIHG20N50C-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
12 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 270mOhm | 20A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 270mOhm | 20A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 49mOhm | 48A | 278W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | Siliconix | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK045N60E-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 49mOhm | 48A | 278W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | Siliconix | |||||||||||||
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 110 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 38A | 17W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIRA28BDP-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 38A | 17W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISH110DN-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 650 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 20V | 7,8mOhm | 13,5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | Vishay | |||||||||||||
SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5mOhm; 90,6A; 65,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5mOhm | 90,6A | 65,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 13mOhm | 48A | 33W | SMD | -55°C ~ 150°C | POWERPAIR08(3.3x3.3) | VISHAY | |||||||||||||
SK3402 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 65mOhm; 4,2A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3402;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 65mOhm | 4,2A | SMD | -50°C ~ 150°C | SC59 | SHIKUES | ||||||||||||||
SK3407 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,1A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 100mOhm | 4,1A | SMD | 25°C ~ 150°C | SC59 | SHIKUES | ||||||||||||||
SK3414 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3414;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
270 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 60mOhm | 4,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SC59 | SHIKUES | |||||||||||||
SKML2502 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2480 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 4,5A | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | ||||||||||||||
SKML6401 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 16V | 8V | 140mOhm | 3A | SMD | 25°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | ||||||||||||||
SKQ55P02AD SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 15mOhm; 55A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 10V | 15mOhm | 55A | 38W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3.3x3.3) | SHIKUES | |||||||||||||
SMP5116
Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 110 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -15V | 30V | -25mA | SMD | SOT23 | InterFET | ||||||||||||||||
SPA11N80C3
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,05Ohm | 11A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA11N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,05Ohm | 11A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA11N80C3XKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
492 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,05Ohm | 11A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA11N80C3XKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,05Ohm | 11A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPB17N80C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPB17N80C3ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 670mOhm | 17A | 227W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB17N80C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 670mOhm | 17A | 227W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB17N80C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 670mOhm | 17A | 227W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPD06N80C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 2,1Ohm | 6A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD06N80C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 2,1Ohm | 6A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPD07N60C3
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 1,46Ohm | 7,3A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD07N60C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 1,46Ohm | 7,3A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPD09P06PL G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD09P06PLGBTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 400mOhm | 9,7A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 400mOhm | 9,7A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPD15P10PL G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD15P10PLGBTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 15A | 128W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD15P10PLGBTMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 15A | 128W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD15P10PLGBTMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 15A | 128W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPD18P06P G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD18P06PGBTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
31 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 18,6A | 80W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD18P06PGBTMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 18,6A | 80W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD18P06PGBTMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 18,6A | 80W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPD30P06P G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD30P06PGBTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 75mOhm | 30A | 125W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPD50P03L G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD50P03LGBTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 9 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 12,5mOhm | 50A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPP04N80C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP04N80C3XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4A | 63W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP04N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2993 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4A | 63W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPP06N80C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP06N80C3XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 2,1Ohm | 6A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP06N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
152 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 2,1Ohm | 6A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPP08N80C3
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,5Ohm; 8A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP02N80C3XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
48 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,5Ohm | 8A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP08N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1082 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,5Ohm | 8A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPP11N80C3XKSA1
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 156W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
54 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,05Ohm | 11A | 156W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP11N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2042 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,05Ohm | 11A | 156W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPP18P06P
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,7A; 81,1W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPP18P06PH; SPP18P06PHXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 18,7A | 81,1W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP18P06PHXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 18,7A | 81,1W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP18P06PHXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2497 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 18,7A | 81,1W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP18P06PHXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
256 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 18,7A | 81,1W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
SPP20N60S5
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 430mOhm; 20A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60S5HKSA1; SPP20N60S5XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
39 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 430mOhm | 20A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60S5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 430mOhm | 20A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60S5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
335 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 430mOhm | 20A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.