Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD438STU iso
Tranzystor PNP; 140; 36W; 45V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD442; BD438STU;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD438 RoHS Obudowa dokładna: TO126iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 60 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 140 | 36W | 45V | 4A | 3MHz | TO126iso | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD438
Tranzystor PNP; 130; 36W; 45V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD438STU; BD438TG; BD438-ST;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 130 | 36W | 45V | 4A | 3MHz | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD438 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
25400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 130 | 36W | 45V | 4A | 3MHz | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD438 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 130 | 36W | 45V | 4A | 3MHz | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD438 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
37961 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 130 | 36W | 45V | 4A | 3MHz | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD440
Tranzystor PNP; 475; 1,25W; 60V; 4A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD440-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 475 | 1,25W | 60V | 4A | 3MHz | TO126 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD441
Tranzystor NPN; 25; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD441-CDI; BD441G;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BD441 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 25 | 1,25W | 80V | 4A | 3MHz | TO126 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD441G Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
943 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 25 | 1,25W | 80V | 4A | 3MHz | TO126 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD441G Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
5087 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 25 | 1,25W | 80V | 4A | 3MHz | TO126 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD441G Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 25 | 1,25W | 80V | 4A | 3MHz | TO126 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD442
Tranzystor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD436; BD438; BD442STU; BD442G; BD442-CDI; BD442-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: BD442 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
780 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 40 | 1,25W | 80V | 4A | 3MHz | TO126 | CDIL | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD649
Tranzystor NPN; 750; 62,5W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD649 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
889 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 62,5W | 100V | 8A | TO220 | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
BD650
Tranzystor PNP; 750; 62,5W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD650 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 750 | 62,5W | 100V | 8A | TO220 | CDIL | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-20
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||||
BD675
Tranzystor NPN; 750; 1,25W; 45V; 4A; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BD675 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
905 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 1,25W | 45V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD677
Tranzystor NPN; 750; 1,25W; 60V; 4A; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BD677 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
296 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 1,25W | 60V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD677 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 1,25W | 60V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD677 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
6150 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 1,25W | 60V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD677 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
54593 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 1,25W | 60V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD678 STMicroelectronics
Tranzystor PNP; 750; 40W; 60V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD678-ST;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD678 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
4023 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 750 | 40W | 60V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD678 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
58950 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 750 | 40W | 60V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD678 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
78792 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 750 | 40W | 60V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 750 | 40W | 60V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD679
Tranzystor NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C; BD 679;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD679 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD679 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
31415 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD679
Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: BD679 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD679A
Tranzystor NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BD679A RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
483 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD679A Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
27400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD679A Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
34950 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD679A Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
141296 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD679A JSMICRO
Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD679AS; BD679ASTU;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: BD679A RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
Darlington NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD680
Tranzystor PNP; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD680 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
25950 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD680 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
63272 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD680
Tranzystor Darlington PNP; Bipolar; 750; 80V; 5V; 1MHz; 4A; 40W; -55°C~150°C; BD680-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 750 | 40W | 80V | 4A | 1MHz | TO126 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD680 JSMICRO
Tranzystor Darlington PNP; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD680-ST; BD680G;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: BD680 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
Darlington PNP | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: BD680 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Darlington PNP | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD680A
Tranzystor NPN; Bipolar; 750; 80V; 5V; 4A; 40W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BD680A-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD681
Tranzystor NPN; 750; 1,25W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD683;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 1,25W | 100V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
2398 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 1,25W | 100V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
1900 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 1,25W | 100V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
850 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1900 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 1,25W | 100V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD681 JSMICRO
Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
65 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Darlington NPN | 750 | 40W | 100V | 4A | TO126 | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD681
Tranzystor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD683; BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
790 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 40W | 100V | 4A | 1MHz | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD681 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
43550 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 40W | 100V | 4A | 1MHz | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD681 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
159976 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 750 | 40W | 100V | 4A | 1MHz | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD682
Tranzystor PNP; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD682-CDI; TBD682; BD682-ST;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD682 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
173 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 750 | 40W | 100V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: BD682 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
470 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 750 | 40W | 100V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD682 SGS
Tranzystor PNP; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD682-ST;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 750 | 40W | 100V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD682 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 750 | 40W | 100V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD682 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
106200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 750 | 40W | 100V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD682 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
145685 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 750 | 40W | 100V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD683
Tranzystor NPN; 750; 40W; 120V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD681;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2270 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 40W | 120V | 4A | TO126 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD911
Tranzystor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; BD 911;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
710 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | CDIL | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||
BD911 sgs
Tranzystor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/650 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD911 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
14600 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD911 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
17650 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD911 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
27485 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD912 ARK
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD912 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1050 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD912 sgs
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
316 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD912 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD912 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
128550 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD912 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
63104 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 250 | 90W | 100V | 15A | 3MHz | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BDP947
Tranzystor NPN; 475; 5W; 45V; 3A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BDP947H; BDP947H6327; BDP947H6327XTSA1; BDP947H6327TR; BDP 947 H6327 TR;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 475 | 5W | 45V | 3A | 100MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Stan magazynowy:
38 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 475 | 5W | 45V | 3A | 100MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BDP947H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 475 | 5W | 45V | 3A | 100MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BDP947H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 475 | 5W | 45V | 3A | 100MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BDP947H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
11700 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 475 | 5W | 45V | 3A | 100MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BDP953H6327XTSA1
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R; Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BDP953H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 15 | 5W | 100V | 3A | 100MHz | SOT223 | INFINEON | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BDP953H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
7200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 15 | 5W | 100V | 3A | 100MHz | SOT223 | INFINEON | -55°C ~ 150°C |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!