Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP52,115
Tranzystor NPN; 2000; 1,25W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; BSP52.115; BSP52,115 SOT223 NXP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 2000 | 1,25W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Stan magazynowy:
744 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 744 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 2000 | 1,25W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP52,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 2000 | 1,25W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP52,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 2000 | 1,25W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSP60H6327XTSA1
Tranzystor PNP; 2000; 1,5W; 45V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP 60 H6327; BSP60.115; BSP60;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 2000 | 1,5W | 45V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP60H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 2000 | 1,5W | 45V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP60H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 2000 | 1,5W | 45V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP60H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
6400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 2000 | 1,5W | 45V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSP61 Nexperia
Tranzystor PNP; 2000; 1,25W; 60V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP61H6327XTSA1; BSP61.115;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
423 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 2000 | 1,25W | 60V | 1A | 200MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP61,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 2000 | 1,25W | 60V | 1A | 200MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSP61H6327XTSA1
Tranzystor PNP; 2000; 1,5W; 60V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP61,115;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 2000 | 1,5W | 60V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP61H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 2000 | 1,5W | 60V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSP62,115
Tranzystor PNP; 2000; 1,5W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP62,115; BSP62H6327XTSA1; BSP62.115; BSP62H6327TR; BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62H6327XTSA1; BSP62;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSP62,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP62,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP62,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSP62H6327HTSA1
Trans Darlington PNP 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62E6327HTSA1; BSP62H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
Darlington PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | INFINEON | -65°C ~ 125°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Darlington PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | INFINEON | -65°C ~ 125°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Darlington PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | INFINEON | -65°C ~ 125°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3800 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Darlington PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | INFINEON | -65°C ~ 125°C | |||||||||||||
BSR16
Tranzystor PNP; 300; 350mW; 60V; 800mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR16-FAI;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 300 | 350mW | 60V | 800mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSR16 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 350mW | 60V | 800mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BSR16 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 350mW | 60V | 800mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSR16 CDIL
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 250mW | 60V | 600mA | 200MHz | SOT23 | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSR16,215
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 60V; 600mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR16,215; BSR16215; BSR16.215;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 300 | 250mW | 60V | 600mA | 200MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSR16,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 250mW | 60V | 600mA | 200MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSR16,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
567000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 250mW | 60V | 600mA | 200MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSS63LT1G
Tranzystor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS63LT1G; BSS63;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 30 | 350mW | 100V | 200mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
252000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 30 | 350mW | 100V | 200mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 30 | 350mW | 100V | 200mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSS63,215
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSS63.215;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS63,215 RoHS BM. Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
168000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
BSS64LT1G
Tranzystor NPN; 20; 350mW; 80V; 200mA; 60MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS64LT1G; BSS64 ONS;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS64LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
14400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20 | 350mW | 80V | 200mA | 60MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS64LT1G AM.. RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 20 | 350mW | 80V | 200mA | 60MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS64LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20 | 350mW | 80V | 200mA | 60MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS64LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20 | 350mW | 80V | 200mA | 60MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BSS64 NXP
Tranzystor NPN; 80; 250mW; 80V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS64,215;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1620 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 80 | 250mW | 80V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BU208D
Tranzystor NPN; 150W; 700V; 8A; 7MHz; -65°C ~ 175°C; Dioda; Odpowiednik: BD208-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
U-import Symbol Producenta: BU208D RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 150W | 700V | 8A | 7MHz | TO 3 | -65°C ~ 175°C | |||||||||||||||
BU2508AF iso
Tranzystor NPN; 13; 45W; 700V; 8A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BU2508AF RoHS Obudowa dokładna: TO 3Piso (SOT199) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 13 | 45W | 700V | 8A | TO 3Piso (SOT199) | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
BU2520DX SOT399
Tranzystor NPN; 13; 45W; 800V; 10A; -55°C ~ 150°C; Dioda; Odpowiednik: BU2520DF
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: BU2520DX RoHS Obudowa dokładna: SOT399 |
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 13 | 45W | 800V | 10A | SOT399 | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
BU326
Tranzystor NPN; 75W; 375V; 6A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BU326-CDI; TBU326;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: BU326 PBf Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
22 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 75W | 375V | 6A | 4MHz | TO 3 | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||
BU407
Tranzystor NPN; 60W; 150V; 7A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
CYD Symbol Producenta: BU407 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
745 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 60W | 150V | 7A | 10MHz | TO220 | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
BU408
Tranzystor NPN; 60W; 200V; 7A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 60W | 200V | 7A | 10MHz | TO220 | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BU508AF iso
Tranzystor NPN; 30; 34W; 700V; 8A; 7MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BU508AF RoHS Obudowa dokładna: TO 3Piso (SOT199) |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 34W | 700V | 8A | 7MHz | TO 3Piso (SOT199) | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BUL128
Tranzystor NPN; 40; 70W; 400V; 4A; -65°C ~ 150°C; OBSOLETE
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 70W | 400V | 4A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BUL128D-B STMicroelectronics
Tranzystor NPN; 32; 70W; 400V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUL128D-B;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 32 | 70W | 400V | 4A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL128D-B Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 32 | 70W | 400V | 4A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BUL1603ED
Tranzystor NPN; 40; 80W; 650V; 3A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 80W | 650V | 3A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BUL381
Tranzystor NPN; 10; 70W; 400V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
66 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 10 | 70W | 400V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BUL38D
Tranzystor NPN; 60; 80W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 60 | 80W | 450V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
27800 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 80W | 450V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 80W | 450V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
225 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 80W | 450V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BUL53B
Tranzystor NPN; 50; 90W; 250V; 12A; 20MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: BUL53B RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 90W | 250V | 12A | 20MHz | TO220 | Semelab | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BUT11A ON SEMICONDUCTOR
Tranzystor NPN; 100W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 100W | 450V | 5A | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
145 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 100W | 450V | 5A | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
BUT11A
Tranzystor NPN; 35; 83W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTE2333; NTE2337;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
68 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 35 | 83W | 450V | 5A | TO220 | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
BUT12AF iso
Tranzystor NPN; 35; 23W; 450V; 8A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ISC Symbol Producenta: BUT12AF RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 35 | 23W | 450V | 8A | TO220iso | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BUT56A
Tranzystor NPN; 100W; 450V; 8A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
FSC Symbol Producenta: BUT56A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 100W | 450V | 8A | 10MHz | TO220 | -65°C ~ 150°C |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!