Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJD112
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MJD112 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 500 | 1W | 100V | 2A | 25MHz | TO-252 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD122 TO252 LGE
Tranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD122 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
123 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 12000 | 1,5W | 100V | 8A | TO252 (DPACK) | LGE | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-28
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||
MJD122T4 DPAK STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
535000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
470000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
650000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
985000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
62500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
MJD127
Tranzystor PNP; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127G; MJD127TF; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD127T4 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | 4MHz | TO252 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD127T4 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
320000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | 4MHz | TO252 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD127T4 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
980000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | 4MHz | TO252 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r (DPACK) |
Stan magazynowy:
2210 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | 4MHz | TO252 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 210 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | 4MHz | TO252 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r (DPACK) |
Stan magazynowy:
290 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 290 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | 4MHz | TO252 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MJD127T4G HXY MOSFET
Tranzystor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
Darlington PNP | 12000 | 1,5W | 100V | 8A | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MJD31C JSMICRO
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
260 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 15W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 (DPACK) | JSMICRO | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD31CT4G
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6820 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 1,56W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD31CT4G Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
55000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 50 | 1,56W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD31CT4G Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 50 | 1,56W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD31CT4G Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
122500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 50 | 1,56W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD31C YZPST
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
105 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 15W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 (DPACK) | YZPST | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Tranzystor NPN; 50; 1,6W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 1,6W | 100V | 3A | 3MHz | DPAK | Nexperia | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Tranzystor PNP; 50; 1,6W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 50 | 1,6W | 100V | 3A | 3MHz | DPAK | Nexperia | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD340
Tranzystor NPN; 240; 1,56W; 300V; 500mA; 10MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD340G; MJD340T4G; MJD340RLG; MJD340TF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
125 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/150 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 240 | 1,56W | 300V | 500mA | 10MHz | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD340T4 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
27500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 240 | 1,56W | 300V | 500mA | 10MHz | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD340T4 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
435000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 240 | 1,56W | 300V | 500mA | 10MHz | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD340T4 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 240 | 1,56W | 300V | 500mA | 10MHz | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD340T4 STMicroelectronics
Tranzystor NPN; 240; 1,56W; 300V; 500mA; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD340T4 RoHS Obudowa dokładna: DPAK |
Stan magazynowy:
109 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 184 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 240 | 1,56W | 300V | 500mA | 10MHz | DPAK | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD350
Tranzystor PNP; 240; 15W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD350T4G; MJD350TF; MJD350-13; MJD350T4;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2370 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 240 | 15W | 300V | 500mA | TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD350T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
77500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 240 | 15W | 300V | 500mA | TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD350T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
57500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 240 | 15W | 300V | 500mA | TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MJD45H11G
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
115 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 90MHz | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD45H11RLG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 90MHz | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD45H11G Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1918 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 90MHz | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD45H11RLG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 90MHz | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 80MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
47 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 80MHz | DPAK | Nexperia | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD45H11T4
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD45H11T4G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1280 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 90MHz | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD45H11T4G Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
47500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 90MHz | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD45H11T4G Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
457500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 90MHz | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD45H11T4 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
127500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 1,75W | 80V | 8A | 90MHz | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD47G
Tranzystor NPN; 150; 1,56W; 250V; 1A; 10MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD47T4; MJD47T4G; MJD47TF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 150 | 1,56W | 250V | 1A | 10MHz | DPAK t/r | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD47T4 Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 150 | 1,56W | 250V | 1A | 10MHz | DPAK t/r | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD47T4G Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 150 | 1,56W | 250V | 1A | 10MHz | DPAK t/r | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD47T4G Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 150 | 1,56W | 250V | 1A | 10MHz | DPAK t/r | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJE13003
Tranzystor NPN; 40; 1,4W; 400V; 1,5A; 10MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: ST13003-K; ST13003; YFW13003;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW13003 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
846 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/1500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 1,4W | 400V | 1,5A | 10MHz | TO126 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol Producenta: MJE13003 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 1,4W | 400V | 1,5A | 10MHz | TO126 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MJE13003 JSMICRO
Tranzystor NPN; 30; 30W; 400V; 2,3A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 30W | 400V | 2,3A | 5MHz | TO126 | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJE13003 OTOMO
Tranzystor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 2W | 400V | 1,5A | TO126 | OTOMO | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
SL13003 SLKOR
Tranzystor NPN; 30; 1,25W; 400V; 1A; 5MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 1,25W | 400V | 1A | 5MHz | TO126 | SLKOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJE13003L-C UTC
Tranzystor NPN; 32; 1,4W; 400V; 1,5A; 10MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13003L-B-T60-K; MJE13003L-P-C-T60-K; MJE13003L-P-B-T60-K;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
220 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 32 | 1,4W | 400V | 1,5A | 10MHz | TO126 | UTC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 32 | 1,4W | 400V | 1,5A | 10MHz | TO126 | UTC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJE13005
Tranzystor NPN; 32; 75W; 400V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: ST13005A; PHE13005=MJE13005=ST13005; TS13005CZC0;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 32 | 75W | 400V | 4A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MJE13005 JSMICRO
Tranzystor NPN; 30; 65W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 65W | 400V | 4A | 5MHz | TO220 | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJE13005 OTOMO
Tranzystor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
158 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 2W | 400V | 4A | 5MHz | TO220 | OTOMO | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJE13007
Tranzystor NPN; 30; 80W; 400V; 8A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13007G; ST13007; FJP13007TU; PHE13007,127; ST13007D; (ST13007A hFE:16~30); (ST13007B hFE:26~40);
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
309 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 80W | 400V | 8A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJE13007G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1265 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 30 | 80W | 400V | 8A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJE13007G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 30 | 80W | 400V | 8A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: ST13007 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 30 | 80W | 400V | 8A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MJE13007 JSMICRO
Tranzystor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 80W | 400V | 8A | 4MHz | TO220 | JSMICRO | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJE13007 OTOMO
Tranzystor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 2W | 400V | 8A | 4MHz | TO220 | OTOMO | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJE13009
Tranzystor NPN; 31; 100W; 400V; 12A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: ST13009; 13009L; 13009H; MJE 13009 = ST 13009;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
110 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 31 | 100W | 400V | 12A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: ST13009 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 31 | 100W | 400V | 12A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: ST13009 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
225 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 31 | 100W | 400V | 12A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MJE13009 TO220-3 CDIL/LGE
Tranzystor NPN; 30; 100W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: CDL13009; YFW13009AT;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW13009AT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
125 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/150 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 100W | 400V | 12A | 4MHz | TO220 | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW13009AT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 27 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 100W | 400V | 12A | 4MHz | TO220 | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW13009AT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
26 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 26 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 100W | 400V | 12A | 4MHz | TO220 | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW13009AT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
24 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 24 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 100W | 400V | 12A | 4MHz | TO220 | CDIL | -55°C ~ 150°C |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!