Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTA44
0.35W null NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT MMBTA44-YAN; MMBTA44_ R2_00001; MMBTA44 _R1_00001; MMBTA44-R1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: MMBTA44-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: MMBTA44 RoHS 3D. Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
MMBTA44
Tranzystor NPN; Bipolarny; 50; 400V; 50MHz; 300mA; 250mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBTA44-TP; TMMBTA44-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 250mW | 400V | 300mA | 50MHz | SOT23-3 | DIOTEC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA55
Tranzystor PNP; 100; 300mW; 60V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA55-7-F; MMBTA55LT1G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 100 | 300mW | 60V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA55LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 100 | 300mW | 60V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA55-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 100 | 300mW | 60V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA56
Tranzystor PNP; 100; 300mW; 80V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA56LT1G; MMBTA56LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 100 | 300mW | 80V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA92
Tranzystor PNP; Bipolar; 300V; 6V; 500mA; 50MHz; 350mW; 200; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBTA92-DIO; MMBTA92,215; MMBTA92-TP; MMBTA92.215;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 200 | 350mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | DIOTEC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBTA92 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 200 | 350mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | DIOTEC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBTA92,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 200 | 350mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | DIOTEC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBTA92,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 200 | 350mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | DIOTEC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA92
Tranzystor PNP; Bipolarny; 300V; 300V; 50Mhz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBTA92-LGE; MMBTA92-YAN; MMBTA92-R1; MMBTA92_R1_00001; CMBTA92 (TCMBTA92);
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | JSMSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MMBTA92 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
830 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 830 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | JSMSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: MMBTA92 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
270 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | JSMSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MMBTA92 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | JSMSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Tranzystor bipolarny MMBTA92 2D WEJ
Tranzystor NPN; 200; 350mW; 300V; 300mA; 50MHz SOT23; WEJ;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 200 | 350mW | 300V | 300mA | 50MHz | SOT23 | WEJ | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA92-7-F
Tranzystor PNP; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; MMBTA92-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA92-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA92-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA92-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
309000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA92 smd ONS
Tranzystor PNP; 250; 350mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBTA92LT1G; MMBTA92; MMBTA92,215; MMBTA92LT3G; MMBTA92-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 350mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA92LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 250 | 350mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA92LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 250 | 350mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA92LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
8445000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 250 | 350mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTH81
Tranzystor PNP; 60; 225mW; 20V; 50mA; 600MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTH81 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 60 | 225mW | 20V | 50mA | 600MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTH81 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
177000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 225mW | 20V | 50mA | 600MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: MMBTH81 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 225mW | 20V | 50mA | 600MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMDT2227
Tranzystor: NPN / PNP; bipolarny; 40/60V; 0,6A; 200mW; SOT363 MMDT2227-YAN
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
KEXIN Symbol Producenta: MMDT2227 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2900 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP+NPN | 85 | 200mW | 40V | 600mA | 300MHz | SOT363 | KEXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMDT2227 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP+NPN | 85 | 200mW | 40V | 600mA | 300MHz | SOT363 | KEXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMDT5401-7-F
Transistor PNP; Bipolar; 240; 6V; 320mW; 150V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 240 | 320mW | 150V | 200mA | 300MHz | SOT363 | DIODES | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMDT5551-7-F
Tranzystor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xNPN | 250 | 200mW | 160V | 200mA | 300MHz | SOT363 | DIODES | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMDT5551-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xNPN | 250 | 200mW | 160V | 200mA | 300MHz | SOT363 | DIODES | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMDT5551-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xNPN | 250 | 200mW | 160V | 200mA | 300MHz | SOT363 | DIODES | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMDT5551-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xNPN | 250 | 200mW | 160V | 200mA | 300MHz | SOT363 | DIODES | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMSS8550-L-TP
Tranzystor PNP; 350; 625mW; 25V; 1,5A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMSS8550-L-TP (Rank:120-200Hfe); MSS8550-H-TP (Rank:200-350Hfe); MMSS8550;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3040 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 350 | 625mW | 25V | 1,5A | 100MHz | SOT23 | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMST3904-TP
Tranzystor NPN; 400; 200mW; 40V; 200mA; 300NHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 400 | 200mW | 40V | 200mA | 300MHz | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMST3904-TP-HF
Tranzystor NPN; 300; 200mW; 40V; 200mA; 300NHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 300 | 200mW | 40V | 200mA | 300MHz | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMST5551-TP
Tranzystor NPN; 250; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 200mW | 160V | 200mA | 300MHz | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMUN2111LT1G
Tranzystor PNP; 60; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2111LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 60 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2111LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
255000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2111LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
168000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 60 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2112LT1G
Tranzystor PNP; 100; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 100 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2112LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 100 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2112LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 100 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2112LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 100 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2113LT1G
Tranzystor PNP; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2113LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2590 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2113LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2113LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2113LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2115LT1G
Tranzystor PNP; 250; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2115LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 250 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2132LT1G
Tranzystor PNP; 27; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 27 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2132LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 27 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2133LT1G
Tranzystor PNP; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2133LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2211LT1G
Tranzystor NPN; 60; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2211LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
205 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 60 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2211LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1007420 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2211LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2211LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2212LT1G
Tranzystor NPN; 100; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 100 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2212LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1260000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 100 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2212LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 100 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2212LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 100 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2213LT1G
Tranzystor NPN; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2213LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2213LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2214LT1G
Tranzystor NPN; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
33850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2214LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2214LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
858000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2215LT1G
Tranzystor NPN; 350; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 350 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2215LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 350 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2215LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 350 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2215LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
138000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 350 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2216LT1G
Tranzystor NPN; 350; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 90 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 350 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 350 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2216LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 350 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMUN2231LT1G
Tranzystor NPN; 15; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 15 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2231LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 15 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!