Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT3906TT1G
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 40V; 200mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3906T-13-F; MMBT3906T-7-F; MMBT3906T-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 300mW | 40V | 200mA | 250MHz | SOT416 =(SC-75-3) | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3906TT1G Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3) |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 300mW | 40V | 200mA | 250MHz | SOT416 =(SC-75-3) | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3906TT1G Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3) |
Magazyn zewnetrzny:
1203000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 300mW | 40V | 200mA | 250MHz | SOT416 =(SC-75-3) | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT3906WT1G
Tranzystor PNP; 300; 150mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 150mW | 40V | 200mA | 250MHz | SC70-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3906WT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
141000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 150mW | 40V | 200mA | 250MHz | SC70-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3906WT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 150mW | 40V | 200mA | 250MHz | SC70-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3906WT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 150mW | 40V | 200mA | 250MHz | SC70-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT4401
NPN 600mA 40V 225mW 250MHz MMBT4401-LGE
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MMBT4401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2800 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 100 | 350mW | 40V | 600mA | 250MHz | SOT-23 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT4403
PNP -600mA -40V 225mW 200MHz MMBT4403-LGE
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MMBT4403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1900 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 100 | 350mW | 40V | 600mA | 200MHz | SOT-23 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT4403LT1G
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 40V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT4403LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1595 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT4403LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT4403LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT4403LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT5401 smd
Tranzystor PNP; 240; 300mW; 150V; 500mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5401-7-F; MMBT5401; MMBT5401LT3G; MMBT5401LT1G; MMBT5401_D87Z; MMBT5401-TP; MMBT5401-FAI; MMBT5401-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT5401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 240 | 300mW | 150V | 500mA | 300MHz | SOT23 | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMBT5401
Tranzystor PNP; Bipolar; 300; -150V; -5V; 100MHz; -600mA; 350mW; -55°C~150°C; MMBT5401-LGE; MMBT5401-AU_R1_000A1; MMBT5401-YAN; MMBT5401-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 350mW | -150V | -600mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT5401LT1G
Tranzystor PNP; 240; 300mW; 150V; 500mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5401; MMBT5401-FAI; MMBT5401LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1248 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 240 | 300mW | 150V | 500mA | 300MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5401LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
642000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 240 | 300mW | 150V | 500mA | 300MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5401LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
190000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 240 | 300mW | 150V | 500mA | 300MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT5401
Tranzystor PNP; Bipolar; 160V; 6V; 300MHz; 600mA; 300mW; 300; -55°C~150°C; MMBT5401-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 300mW | 160V | 600mA | 300MHz | SOT23 | YY | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Tranzystor bipolarny MMBT5401H 2L WEJ
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 160V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 100 | 300mW | 160V | 600mA | 300MHz | SOT23 | WEJ | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT5500
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 140V; 600mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5550LT1G; MMBT5550LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 300mW | 140V | 600mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5550LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 300mW | 140V | 600mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5550LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
280000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 300mW | 140V | 600mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5550LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1470000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 300mW | 140V | 600mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300 | 600mW | 180V | 600mA | 300MHz | SOT23 | HOTTECH | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300mW | 180V | 600mA | 100MHz | SOT23 | AnBon | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Tranzystor bipolarny MMBT5551 G1 WEJ
Tranzystor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 30 | 200mW | 30V | 600mA | 300MHz | SOT23 | WEJ | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT5551LT1G
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 160V; 600mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551LT3G; MMBT5551LT1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5651 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 300mW | 160V | 600mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5551LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
287951 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 300mW | 160V | 600mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5551LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
378998 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 300mW | 160V | 600mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5551LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 300mW | 160V | 600mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMBT5551-7-F
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 250 | 300mW | 160V | 600mA | SOT23-3 | Diodes Incorporated | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT5551-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
706800 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 250 | 300mW | 160V | 600mA | SOT23-3 | Diodes Incorporated | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT5551-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
2796000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 250 | 300mW | 160V | 600mA | SOT23-3 | Diodes Incorporated | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT5551-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 250 | 300mW | 160V | 600mA | SOT23-3 | Diodes Incorporated | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMBT5551M3T5G
Tranzystor NPN; 250; 640mW; 160V; 60mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 640mW | 160V | 60mA | SOT723 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5551M3T5G Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
32000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 640mW | 160V | 60mA | SOT723 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMBT6427 smd
Tranzystor NPN; 200000; 300mW; 40V; 500mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT6427; MMBT6427-7-F; MMBT6427LT1G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 200000 | 300mW | 40V | 500mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6427LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 200000 | 300mW | 40V | 500mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6427LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 200000 | 300mW | 40V | 500mA | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
MMBT6517LT1G
Tranzystor NPN; 200; 300mW; 350V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT6517LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 200 | 300mW | 350V | 100mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA05
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 60V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA05-7-F; MMBTA05-TP; MMBTA05LT1G; MMBTA05LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 100 | 300mW | 60V | 500mA | 100MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA05-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 100 | 300mW | 60V | 500mA | 100MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA05LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 100 | 300mW | 60V | 500mA | 100MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA06LT1G
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4956 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 100 | 300mW | 80V | 500mA | 100MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA06LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2892000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 100 | 300mW | 80V | 500mA | 100MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA06LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 100 | 300mW | 80V | 500mA | 100MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA13
Tranzystor NPN Darlington; 10000; 30V; 1.2A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA13-LGE
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MMBTA13 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2995 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 10000 | 30V | 1,2A | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
MMBTA13-TP Micro Commercial Components
Tranzystor Darlington NPN; 10000; 225mW; 30V; 300mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 10000 | 225mW | 30V | 300mA | 125MHz | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA13LT1G ON Semiconductor
Tranzystor NPN Darlington; 10000; 300mW; 30V; 300mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA13LT1G; MMBTA13LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 10000 | 300mW | 30V | 300mA | 125MHz | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA13LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 10000 | 300mW | 30V | 300mA | 125MHz | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA14LT1G ON Semiconductor
Tranzystor NPN; 20000; 300mW; 30V; 300mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTE2404; MMBTA14-TP; MMBTA14-7-F; MMBTA14-LGE; MMBTA14;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
820 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 20000 | 300mW | 30V | 300mA | 125MHz | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA14LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20000 | 300mW | 30V | 300mA | 125MHz | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA14LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20000 | 300mW | 30V | 300mA | 125MHz | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA42
NPN 500mA 300V 225mW 50MHz MMBTA42-LGE
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MMBTA42 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 40 | 350mW | 300V | 200mA | 50MHz | SOT-23 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Tranzystor bipolarny MMBTA42 1D WEJ
Tranzystor PNP; 250; 225mW; 300V; 500mA; 100MHz SOT23; WEJ;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 225mW | 300V | 500mA | 100MHz | SOT23 | WEJ | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA42
Tranzystor NPN; 200; 250mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA42-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1330 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 200 | 250mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBTA42 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 200 | 250mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBTA42 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 200 | 250mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA42 Fairchild
Tranzystor NPN; 40; 240mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA42LT3G; MMBTA42-DIO; MMBTA42,215; MMBTA42-TP; MMBTA42-TP-HF; MMBTA42;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 240mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBTA42-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1104000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 240mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBTA42,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
141000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 240mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBTA42-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
696000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 240mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBTA42LT1G
Tranzystor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA42LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1176000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA42LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
240000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA42LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 300mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!