Tranzystory (wyszukane: 7771)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
9Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
10270 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2N7002
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
7Ohm | 280mA | 350mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
192000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7Ohm | 280mA | 350mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6160 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7Ohm | 280mA | 350mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7Ohm | 280mA | 350mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 VISHAY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 200mW | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 40V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
27mOhm | 6A | 1,5W | TSSOP08 | HXY MOSFET | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 2,6A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
380 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5A | 1,5W | SOT23 | TECH PUBLIC | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5A | 1,5W | SOT23 | VBS | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
STD26P3LLH6 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
18mOhm | 55A | 37,5W | TO252 (DPACK) | JSMICRO | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3418
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 RoHS AK... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
85mOhm | 3,8A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
85mOhm | 3,8A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3419
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
20870 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
168mOhm | 3,5A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
168mOhm | 3,5A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3420 SOT23-3L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 6A | 1,4W | SOT23 | HOTTECH | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3422
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 2A | 1,56W | SOT23 | MSK | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO4409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4409 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
12mOhm | 15A | 3,1W | SOP08 | ALPHA&OMEGA | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO4435
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4435 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
36mOhm | 14A | 3,1W | SOP08 | ALPHA&OMEGA | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO4455
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 17A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4455 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
9,5mOhm | 17A | 3,1W | SOP08 | ALPHA&OMEGA | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AON7520
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 3,1mOhm; 50A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON7520C RoHS Obudowa dokładna: DFN08(3.3x3.3) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
3,1mOhm | 50A | 83,3W | DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOT10N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT10N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
750mOhm | 10A | 250W | TO220 | ALPHA&OMEGA | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF16N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 370mOhm; 16A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
370mOhm | 16A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
370mOhm | 16A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF9N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,2Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 9A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 1,8A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15045 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 1,8A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
560 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 1,8A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTJD4401NT1G
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 445mOhm; 910mA; 550mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
445mOhm | 910mA | 550mW | SOT363 t/r | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4401NT1G Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
445mOhm | 910mA | 550mW | SOT363 t/r | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4401NT1G Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
445mOhm | 910mA | 550mW | SOT363 t/r | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTJD5121NT1G
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 295mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5Ohm | 295mA | 250mW | SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD5121NT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
54000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5Ohm | 295mA | 250mW | SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTMD6P02R2G
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 6,2A | 1,28W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMD6P02R2G Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50mOhm | 6,2A | 1,28W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMD6P02R2G Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50mOhm | 6,2A | 1,28W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTMFS4926NT1G
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 44A; 21,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 110 Ilość (wielokrotność 1) |
11,2mOhm | 44A | 21,6W | DFN5 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTP2955G
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 196mOhm; 12A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
196mOhm | 12A | 62,5W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
NTR0202PLT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 1,1Ohm; 400mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR0202PLT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
1,1Ohm | 400mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR0202PLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,1Ohm | 400mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4003NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4003NT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 500mA | 690mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 500mA | 690mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4003NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
282000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 500mA | 690mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4003NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3820 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 500mA | 690mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4101PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
210mOhm | 2,4A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4101PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2822 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
210mOhm | 2,4A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: NTR4101PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
605 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
210mOhm | 2,4A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4171PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4171PT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 2,2A | 480mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4171PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
150mOhm | 2,2A | 480mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4501NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4501NT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
105mOhm | 3,2A | 1,25W | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
105mOhm | 3,2A | 1,25W | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
105mOhm | 3,2A | 1,25W | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.