Tranzystory (wyszukane: 8564)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTMD6P02R2G
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 6,2A | 1,28W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMD6P02R2G Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50mOhm | 6,2A | 1,28W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMD6P02R2G Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50mOhm | 6,2A | 1,28W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR0202PLT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 1,1Ohm; 400mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR0202PLT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
1,1Ohm | 400mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR0202PLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,1Ohm | 400mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4003NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4003NT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 500mA | 690mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 500mA | 690mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4003NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
138000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 500mA | 690mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4101PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
210mOhm | 2,4A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4101PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
291000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
210mOhm | 2,4A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4171PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4171PT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 2,2A | 480mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4171PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
150mOhm | 2,2A | 480mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4171PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
150mOhm | 2,2A | 480mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4501NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4501NT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
105mOhm | 3,2A | 1,25W | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
105mOhm | 3,2A | 1,25W | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
105mOhm | 3,2A | 1,25W | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4502PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 350mOhm; 1,13A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4502PT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
350mOhm | 1,13A | 400mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4502PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
396000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
350mOhm | 1,13A | 400mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4502PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
350mOhm | 1,13A | 400mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4502PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
117000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
350mOhm | 1,13A | 400mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTR4503NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4503NT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | 2A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4503NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
91000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
140mOhm | 2A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4503NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
140mOhm | 2A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4503NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
330000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
140mOhm | 2A | 730mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NVF2955T1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
185mOhm | 2,6A | 2,3W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NVF2955T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
71000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
185mOhm | 2,6A | 2,3W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NVF2955T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
185mOhm | 2,6A | 2,3W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BS170
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
819 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
17000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
15311 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
BSP149
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
245000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | UMW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-03-31
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS123W
100V 200mA 3Ω@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: BSS123W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
3Ohm | 200mA | 150mW | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
BSS131 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
20Ohm | 110mA | 360mW | SOT23 | SLKOR | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
135 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 2xN-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
273000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 2xN-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 2xN-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IRF3805SPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF3805S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF3805S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF3805S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3805STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
41552 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
273000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
330 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/18000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 150mA | 357mW | SOT23 | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
7000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 150mA | 357mW | SOT23 | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
BSS84 SOT23 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: HSS2301C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 300mA | 350mW | SOT23 | HUASHUO | 60V | P-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84,215
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
125 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/90000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
115800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
540000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2253000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-25
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DH100P20 DONGHAI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 95mOhm; 20A; 70W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRF9540PBF, IRF9540NPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 20A | 70W | TO220 | Donghai | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
30H10K DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5.5mOhm; 100A; 60W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726PBF, IRLR8726TRPBF, IRLR8726TRLPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
182 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 352 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 100A | 60W | TO252 (DPACK) | Donghai | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
148 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 148 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 100A | 60W | TO252 (DPACK) | Donghai | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
10N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
630mOhm | 40A | TO220iso | LGE | 650V | MOSFET | 4V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 300
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2230U-7 Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
185 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
230mOhm | 2A | 600mW | SOT23-3 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
540mOhm | 12A | 33W | TO220iso | LGE | 650V | MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 200
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2059
Tranzystor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
EPC Symbol Producenta: EPC2059 RoHS Obudowa dokładna: DIE(2.8x1.4) |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 24A | EPC | 170V | GANFET | -40°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||||
FDC658AP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
75mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
75mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 2A | 1,56W | SOT23 | MSK | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.