Tranzystory (wyszukane: 8564)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    286
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Napięcie kolektor-emiter
Montaż
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Symbol Micros: TIRLR3410 MOS info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLR3410TRPBF-ML RoHS || IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER TO252 (DPACK)
Producent:
MOSLEADER Symbol Producenta:
IRLR3410TRPBF-ML RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
130 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2700 1,3800 1,0600 0,9550 0,9090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
120mOhm 15A 34,7W TO252 (DPACK) MOSLEADER 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IRLR3410TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Symbol Micros: TIRLR3410 UMW info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLR3410TR RoHS || IRLR3410TR UMW TO252 (DPACK)
Producent:
UMW Symbol Producenta:
IRLR3410TR RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2700 1,3700 1,0600 0,9520 0,9060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
155mOhm 17A 79W TO252 (DPACK) UMW 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-03-31
Ilość szt.: 500
                                               
IRLR3410 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Symbol Micros: TIRLR3410 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLR3410TRPBF RoHS || IRLR3410 RoHS IRLR3410TRPBF RoHS || IRLR3410TRPBF || IRLR3410 TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4700 1,9400 1,7700 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
700
Ilość (wielokrotność 1)
155mOhm 17A 79W TO252 (DPACK) International Rectifier 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
 
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
IRLR3410 RoHS IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
126 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3200 1,8300 1,6400 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
155mOhm 17A 79W TO252 (DPACK) International Rectifier 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
1542000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		155mOhm 17A 79W TO252 (DPACK) International Rectifier 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
190000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		155mOhm 17A 79W TO252 (DPACK) International Rectifier 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
4050 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		155mOhm 17A 79W TO252 (DPACK) International Rectifier 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-04
Ilość szt.: 600
                                               
IRLR3717 Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717PBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF;
Symbol Micros: TIRLR3717 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRLR3717 RoHS || IRLR3717 TO252 (DPACK)
Producent:
VBsemi Symbol Producenta:
IRLR3717 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 250+ 500+
cena netto (PLN) 4,2400 2,8200 2,2500 2,0500 2,0200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
250
Ilość (wielokrotność 1)
5,5mOhm 120A 89W TO252 (DPACK) Infineon (IRF) 20V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
DGC75F65M DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
Symbol Micros: TDGC75f65m info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
DGC75F65M RoHS || DGC75F65M DONGHAI TO247
Producent:
WXDH Symbol Producenta:
DGC75F65M RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 11,0500 9,5000 8,5800 8,1400 7,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Donghai 187nC 440W 150A 300A 4,5V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
IRLR8726TRPBF Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
Symbol Micros: TIRLR8726 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF || IRLR8726TRPBF TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
4000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9310 0,8400 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
8mOhm 86A 75W TO252 (DPACK) Infineon (IRF) 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
4600 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8493
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8mOhm 86A 75W TO252 (DPACK) Infineon (IRF) 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
26000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8mOhm 86A 75W TO252 (DPACK) Infineon (IRF) 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-15
Ilość szt.: 10000
                                               
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-01
Ilość szt.: 2000
                                               
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-12
Ilość szt.: 2000
                                               
MMBF5484 Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMMBF5484 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBF5484 RoHS || MMBF5484 SOT23
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,7000 2,3200 1,9300 1,7200 1,6100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
5mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 25V N-JFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
MMBFJ112 Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Symbol Micros: TMMBFJ112 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBFJ112 RoHS || MMBFJ112 || MMBFJ112 SOT23
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MMBFJ112 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1980 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6800 0,4520 0,3770 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
50Ohm SOT23 ONSEMI N-JEFT -55°C ~ 155°C -35V SMD
 
Producent:
Fairchild Symbol Producenta:
MMBFJ112 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		50Ohm SOT23 ONSEMI N-JEFT -55°C ~ 155°C -35V SMD
NTD5865NLT4G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TNTD5865nl info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5900 2,2500 1,8700 1,6700 1,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
19mOhm 46A 71W TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
DGCP120F65M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;
Symbol Micros: TDGC100f65m info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
DGCP120F65M2 RoHS || DGCP120F65M2 DONGHAI TO247Plus
Producent:
WXDH Symbol Producenta:
DGCP120F65M2 RoHS Obudowa dokładna:
TO247Plus
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 19,4900 17,3300 16,0300 15,3800 14,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TO247Plus-3L Donghai 300nC 500W 160A 360A 4,0V ~ 6,5V -55°C ~ 175°C 650V THT 30V
NTD5867N Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
Symbol Micros: TNTD5867n c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
NTD5867NLT4G RoHS || NTD5867N TO252
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
NTD5867NLT4G RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 3,1500 1,9700 1,5700 1,4100 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
33mOhm 20A 50W TO252 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
NTS4173PT1G Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TNTS4173pt1g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NTS4173PT1G RoHS || NTS4173PT1G || NTS4173PT1G SOT323
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
NTS4173PT1G RoHS Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2795 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7120 0,5520 0,5090 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
NTS4173PT1G Obudowa dokładna:
SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
NTS4173PT1G Obudowa dokładna:
SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
DGF30F65M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
Symbol Micros: TDGF25f65m info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
DGF30F65M2 RoHS || DGF30F65M2 DONGHAI TO220iso
Producent:
WXDH Symbol Producenta:
DGF30F65M2 RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,3000 3,7100 2,9700 2,8800 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
TO220iso Donghai 48nC 60W 60A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
SI2301CDS-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
Symbol Micros: TSI2301cds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS || SI2301CDS-T1-GE3 || SI2301CDS-T1-E3 || SI2301CDS-T1-GE3 SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2500 0,6930 0,4610 0,3840 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
534000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
- Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-E3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3951
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
SI2304DDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI2304dds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS || SI2304DDS-T1-GE3 || SI2304DDS SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3600 0,7270 0,5660 0,5120 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
- Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI2308BDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Symbol Micros: TSI2308bds c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
SI2308BDS RoHS E8. Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
cena netto (PLN) 1,2000 0,7650 0,5540 0,4740 0,4370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
105mOhm 3A 350mW SOT23 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AS3400 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TSI3400 ANB info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Producent:
AnBon Symbol Producenta:
AS3400 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7590 0,3610 0,2030 0,1540 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
51mOhm 5,6A 1,2W SOT23 AnBon 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI4435DDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
Symbol Micros: TSI4435ddy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY-T1-GE3 || SI4435DDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,3700 1,4900 1,2300 1,1000 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0725
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
DHG20T65D DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TDGF20f65m info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
DHG20T65D RoHS || DHG20T65D DONGHAI TO220iso
Producent:
WXDH Symbol Producenta:
DHG20T65D RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8100 3,2000 2,4700 2,3900 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
TO220iso Donghai 59nC 96W 40A 60A 4,5V ~ 7,0V -55°C ~ 150°C 650V THT 20V
SI4459ADY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI4459ady info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY-T1-GE3 || SI4459ADY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,6100 3,9200 3,2200 3,0000 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4459ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9407BDY Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Symbol Micros: TSI9407bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY-T1-GE3 || SI9407BDY-T1-E3 || SI9407BDY SOP08
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3100 2,0800 1,7300 1,5400 1,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
3 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1700 1,8000 1,6000 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-E3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9433BDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI9433bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,9300 4,5200 3,7400 3,2800 3,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 4,5A 1,3W SOP08 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI9926BDY Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Symbol Micros: TSI9926bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0400 1,9200 1,5200 1,3800 1,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 6,2A 1,14W SOP08 VISHAY 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SK3415 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
Symbol Micros: TSK3415 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SK3415 RoHS Obudowa dokładna:
SC59
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9990 0,5050 0,3050 0,2410 0,2220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
180mOhm 4,2A SC59 SHIKUES 25V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 12V SMD
SKML2402 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
Symbol Micros: TSKML2402 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKML2402 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8280 0,4190 0,2520 0,1990 0,1840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
80mOhm 2A 700mW SOT23 SHIKUES 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
DHG25T120 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TDGC25f120m2 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
DHG25T120D RoHS || DHG25T120 DONGHAI TO247
Producent:
WXDH Symbol Producenta:
DHG25T120D RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,3900 6,6600 5,9500 5,6900 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Donghai 141nC 278W 50A 75A 4,5V ~ 7,0V -55°C ~ 150°C 1200V THT 20V
SKQ50N03BD SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TSKQ50N03bd info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKQ50N03BD RoHS Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8790 0,6300 0,5510 0,5160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
8mOhm 50A 30W DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
STF14NM50N Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTF14NM50n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STF14NM50N RoHS || STF14NM50N || STF14NM50N TO220iso
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,7800 5,4100 4,6300 4,1600 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
420 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STN1HNK60 Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTN1HNK60 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 || STN1HNK60 SOT223
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN1HNK60 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,1100 1,2800 0,9840 0,8730 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN1HNK60 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
124000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
STN3NF06L Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTN3nf06l info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STN3NF06L RoHS || STN3NF06L || STN3NF06L SOT223
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN3NF06L RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6700 1,6700 1,3900 1,2400 1,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
120mOhm 4A 3,3W SOT223 STMicroelectronics 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 16V SMD
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN3NF06L Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		120mOhm 4A 3,3W SOT223 STMicroelectronics 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 16V SMD
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN3NF06L Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
64000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		120mOhm 4A 3,3W SOT223 STMicroelectronics 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 16V SMD
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    286

Tranzystory

Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje.  Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.

Czym jest i do czego służy tranzystor?

Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:

  • Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
  • Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
  • Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.

Tranzystory i ich rodzaje

Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:

  • tranzystory polowe,
  • tranzystory bipolarne
  • tranzystory igbt.

Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.

Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.

Tranzystory w naszej ofercie

Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt. 

Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.