Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Hersteller
10N65 N-Channel-MOSFET-Transistor; Unipolar; 650V; 10A; 0,63 Ohm; 27,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
10N65 RoHS || 10N65 TO220iso
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
10N65 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO-220F
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6962 0,4378 0,3423 0,3237 0,3027
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
MOSFET 650V 4V 30V 630mOhm 40A THT -55°C ~ 150°C TO220iso LGE
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-20
Anzahl der Stücke: 300
                     
12N65 N-Channel-MOSFET-Transistor; Unipolar; 650V; 12A; 0,54 Ohm; 33,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
12N65 RoHS || 12N65 TO220iso
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
12N65 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
37 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,9104 0,5705 0,4471 0,4215 0,3958
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
MOSFET 650V 10V 30V 540mOhm 12A 33W THT -55°C ~ 150°C TO220iso LGE
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-20
Anzahl der Stücke: 200
                     
2N6027 PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
2N6027G-T92-B RoHS || 2N6027 TO92
Hersteller:
UTC
Hersteller-Teilenummer:
2N6027G-T92-B RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3609 0,1993 0,1569 0,1453 0,1392
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
PUT 40V 150mA 300mW THT -50°C ~ 100°C TO92 UTC
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
2N7000BU RoHS || 2N7000TA || 2N7000-D26Z || 2N7000 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000BU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
 
Auf Lager:
350 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2492 0,1323 0,1025 0,0945 0,0906
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000TA
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
41000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0906
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2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000TA
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
72000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0906
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000-D26Z
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
16000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0906
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
2N7000 DIOTEC N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
2N7000 RoHS || 2N7000 || 2N7000 DIOTEC TO92
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
7200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Preis netto (EUR) 0,1756 0,0701 0,0407 0,0338 0,0319
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Standard-Verpackung:
4000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
38770 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1006
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7000
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0319
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE TO92ammoformed
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
 
Auf Lager:
6010 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1397 0,0559 0,0324 0,0270 0,0254
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Standard-Verpackung:
1000/10000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5,3Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92ammoformed
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1537 0,0608 0,0349 0,0291 0,0279
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 6Ohm 200mA 350mW THT -55°C ~ 150°C TO92 LGE
2N7002-7-F N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 210mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-13-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;
2N7002-7-F RoHS || 2N7002-7-F || 2N7002-TP || 2N7002-7-F SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
158920 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1041 0,0410 0,0240 0,0175 0,0160
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
2790000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0160
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
375000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0171
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-TP
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
1854000 Stk.
Anzahl der Stücke 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0160
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
2N7002 N-Channel (mit ESD) MOSFET 0,43 A 60 V 4000 m?
2N7002 RoHS || 2N7002 SOT23
Hersteller:
MIC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0524 0,0196 0,0105 0,0078 0,0072
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 60V 30V 5Ohm 300mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT-23 MIC
2N7002 N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
2N7002 RoHS || 2N7002 || 2N7002 SOT23
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
9885 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0876 0,0345 0,0202 0,0148 0,0135
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
549000 Stk.
Anzahl der Stücke 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0135
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
90000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0397
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
2N7002 GALAXY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3010 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0855 0,0338 0,0197 0,0144 0,0132
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 GALAXY
7002 SOT23 GAOGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 4Ohm; 340mA; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
7002 RoHS || 7002 SOT23 GAOGE SOT23
Hersteller:
GAOGE
Hersteller-Teilenummer:
7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5496 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0612 0,0229 0,0123 0,0092 0,0085
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 4Ohm 340mA SMA -55°C ~ 150°C SOT23 GAOGE
2N7002 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0745 0,0286 0,0140 0,0111 0,0106
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
2N7002 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 JSMICRO SOT23
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4350 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0857 0,0338 0,0197 0,0144 0,0132
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
2N7002 JUXING N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 JUXING SOT23
Hersteller:
JUXING
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0801 0,0317 0,0184 0,0135 0,0123
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JUXING
K2N7002-7-F KUU N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002; K2N7002T-7-F;
K2N7002-7-F RoHS || K2N7002-7-F KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
K2N7002-7-F RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1099 0,0505 0,0275 0,0201 0,0183
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Standard-Verpackung:
600
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 3mOhm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
2N7002 LGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7002-LGE
2N7002 RoHS || 2N7002 LGE SOT23
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2880 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0759 0,0293 0,0143 0,0114 0,0109
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
2N7002 MLCCBASE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225 mW; -50 °C ~ 150 °C;
2N7002 RoHS || 2N7002 MLCCBASE SOT23
Hersteller:
MLCCBASE
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0764 0,0300 0,0176 0,0129 0,0117
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 7Ohm 115mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MLCCBASE
2N7002LT1G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002LT3G (10.000 Stück/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
2N7002LT1G RoHS || 2N7002LT7G || 2N7002LT1G || 2N7002LT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002LT1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1767 0,0841 0,0473 0,0359 0,0321
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002LT7G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
7000 Stk.
Anzahl der Stücke 7000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0321
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Standard-Verpackung:
3500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
975000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0321
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
2N7002 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 12W RoHS || 2N7002 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 12W RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0682 0,0263 0,0129 0,0102 0,0098
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 430mA 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
2N7002 SLKOR N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 SLKOR SOT23
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8600 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0803 0,0317 0,0185 0,0135 0,0124
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
2N7002PS SOT363=TSSOP6 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2N7002PS M8.. RoHS || 2N7002PS SOT363=TSSOP6 SOT363
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PS M8.. RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1995 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2140 0,1015 0,0570 0,0433 0,0389
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
2N7002 UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
Preis netto (EUR) 0,0650 0,0249 0,0121 0,0096 0,0093
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 7Ohm 115mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 UMW
2N7002-T1-E3 VISHAY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 40V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-T1-GE3;
2N7002-T1-E3 RoHS || 2N7002-T1-E3 VISHAY SOT23
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-T1-E3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2203 0,1046 0,0589 0,0447 0,0401
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 40V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
2N7002-TP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2N7002-TP RoHS || 2N7002-TP SOT23-3
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
21000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1833 0,0871 0,0489 0,0373 0,0333
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 7,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 Micro Comercial Components Corp.
2N7002A-7 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 220mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2N7002A-7 RoHS || 2N7002A-7 || 2N7002A-7 SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A-7 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2450 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1895 0,0901 0,0508 0,0384 0,0345
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 6Ohm 220mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A-7
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0345
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 6Ohm 220mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
2N7002BK N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 350mA; 440 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;
2N7002BK,215 RoHS || 2N7002BK,215 || 2N7002BK SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1614 0,0766 0,0431 0,0328 0,0293
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 350mA 440mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
717000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0293
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 350mA 440mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
16000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0293
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 350mA 440mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
2154000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0293
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 350mA 440mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
2N7002BKS,115 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 300mA; 340 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKS,115;
2N7002BKS,115 RoHS || 2N7002BKS,115 || 2N7002BKS,115 SOT363
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKS,115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1720 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2398 0,1211 0,0733 0,0582 0,0531
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 300mA 340mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0531
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 300mA 340mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
84000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0531
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 300mA 340mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
411000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0531
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 300mA 340mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
2N7002BKW,115 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
2N7002BKW,115 RoHS || 2N7002BKW,115 || 2N7002BKW,115 SOT323
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKW,115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1690 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2280 0,1083 0,0610 0,0463 0,0414
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKW,115
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
69000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0414
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
2N7002DW 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002DW-7-F;
2N7002DW RoHS K72.. || 2N7002DW-7-F || 2N7002DW-TP || 2N7002DW SC70-6
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002DW RoHS K72..
Präzisionsgehäuse:
SC70-6 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
295 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2468 0,1362 0,0901 0,0750 0,0706
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002DW-7-F
Präzisionsgehäuse:
SC70-6
 
Externes Lager:
198000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0706
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2N7002DW-TP
Präzisionsgehäuse:
SC70-6
 
Externes Lager:
201000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0706
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002DW-7-F
Präzisionsgehäuse:
SC70-6
 
Externes Lager:
1326000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0706
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.