Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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10N65
N-Channel-MOSFET-Transistor; Unipolar; 650V; 10A; 0,63 Ohm; 27,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 650V | 4V | 30V | 630mOhm | 40A | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-20
Anzahl der Stücke: 300
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12N65
N-Channel-MOSFET-Transistor; Unipolar; 650V; 12A; 0,54 Ohm; 33,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
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Auf Lager:
37 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 650V | 10V | 30V | 540mOhm | 12A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | ||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-20
Anzahl der Stücke: 200
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2N6027
PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
PUT | 40V | 150mA | 300mW | THT | -50°C ~ 100°C | TO92 | UTC | |||||||||||||||
2N7000
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000BU RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
350 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/2000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000TA Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
41000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000TA Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
72000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000-D26Z Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
16000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7000 DIOTEC
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
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Auf Lager:
7200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
38770 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
6010 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/10000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5,3Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92ammoformed | |||||||||||||
2N7000
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
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Auf Lager:
1500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/2000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 6Ohm | 200mA | 350mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | LGE | ||||||||||||||
2N7002-7-F
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 210mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-13-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;
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Auf Lager:
158920 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002-7-F Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
2790000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002-7-F Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
375000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: 2N7002-TP Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1854000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
2N7002
N-Channel (mit ESD) MOSFET 0,43 A 60 V 4000 m?
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Hersteller:
MIC Hersteller-Teilenummer: 2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
15000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 30V | 5Ohm | 300mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT-23 | MIC | ||||||||||||
2N7002
N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
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Auf Lager:
9885 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
549000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
90000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
2N7002 GALAXY
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
3010 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | ||||||||||||
7002 SOT23 GAOGE
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 4Ohm; 340mA; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
5496 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 4Ohm | 340mA | SMA | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GAOGE | |||||||||||||||
2N7002 HXY MOSFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
2N7002 JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
4350 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | ||||||||||||
2N7002 JUXING
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
K2N7002-7-F KUU
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002; K2N7002T-7-F;
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Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: K2N7002-7-F RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 600 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 3mOhm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | ||||||||||||
2N7002 LGE
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7002-LGE
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Auf Lager:
2880 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 7,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
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2N7002 MLCCBASE
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225 mW; -50 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MLCCBASE | |||||||||||||
2N7002LT1G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002LT3G (10.000 Stück/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002LT7G Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
7000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002LT1G Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
975000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7002 SHIKUES
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
15000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 430mA | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||
2N7002 SLKOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
8600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
2N7002PS SOT363=TSSOP6
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
1995 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
2N7002 UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/6000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
2N7002-T1-E3 VISHAY
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 40V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-T1-GE3;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 40V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
2N7002-TP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
21000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
2N7002A-7
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 220mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 220mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002A-7 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 220mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
2N7002BK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 350mA; 440 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;
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Auf Lager:
5500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 350mA | 440mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
717000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 350mA | 440mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
16000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 350mA | 440mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
2154000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 350mA | 440mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
2N7002BKS,115
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 300mA; 340 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKS,115;
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Auf Lager:
1720 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 300mA | 340mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 300mA | 340mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
84000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 300mA | 340mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
411000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 300mA | 340mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
2N7002BKW,115
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
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Auf Lager:
1690 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
69000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
2N7002DW
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002DW-7-F;
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Auf Lager:
295 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002DW-7-F Präzisionsgehäuse: SC70-6 |
Externes Lager:
198000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: 2N7002DW-TP Präzisionsgehäuse: SC70-6 |
Externes Lager:
201000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002DW-7-F Präzisionsgehäuse: SC70-6 |
Externes Lager:
1326000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.