Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 2124)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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10N65
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 650V | 30V | 630mOhm | 40A | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | |||||||||||||
12N65
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
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Auf Lager:
97 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 650V | 30V | 540mOhm | 12A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | ||||||||||||
2N6027
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG
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Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Menge (mehrere 1) |
PUT | 300mW | THT | -50°C ~ 100°C | TO92 | UTC | ||||||||||||||||
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
PUT | 300mW | THT | -50°C ~ 100°C | TO92 | UTC | ||||||||||||||||
2N7000 FAIRCHILD
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk)
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000BU RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
700 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/2000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7000 DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO
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Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse: TO92ammoformed |
Auf Lager:
900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
6670 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/10000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,3Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92ammoformed | |||||||||||||
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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N-MOSFET | 60V | 6Ohm | 200mA | 350mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | LGE | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2024-10-30
Anzahl der Stücke: 2000
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2N7002-7-F DIODES
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA
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Auf Lager:
71307 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/15000/60000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
2N7002
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000mΩ
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2024-09-20
Anzahl der Stücke: 15000
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2N7002
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
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Auf Lager:
5950 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | ||||||||||||
2N7002 GALAXY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
3010 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | ||||||||||||
7002 SOT23 GAOGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 4Ohm; 340mA; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
2596 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 4Ohm | 340mA | SMA | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GAOGE | ||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2024-08-30
Anzahl der Stücke: 3000
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2N7002 HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | ||||||||||||
2N7002 JSMICRO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
4850 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | ||||||||||||
2N7002 JUXING
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | ||||||||||||
K2N7002-7-F KUU
N-MOSFET Transistor; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002; K2N7002T-7-F;
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Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: K2N7002-7-F RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 600 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3mOhm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | ||||||||||||
2N7002 LGE
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A
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Auf Lager:
3500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 7,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
2N7002 MLCCBASE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MLCCBASE | ||||||||||||
2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R)
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7002 SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
8910 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | ||||||||||||
2N7002PS SOT363=TSSOP6
2N-MOSFET 60V 320mA 420mW
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Auf Lager:
1995 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
2N7002 UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/6000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||||||||||
2N7002-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A
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Auf Lager:
6200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 40V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
2N7002 SOT23 YANGJIE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | ||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2024-10-10
Anzahl der Stücke: 9000
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2N7002-TP
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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Auf Lager:
21000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | ||||||||||||
2N7002A-7
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Auf Lager:
2450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 220mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
2N7002BK
Trans MOSFET N-CH 60V 0.350A
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Auf Lager:
5500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 350mA | 440mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
2N7002BKS,115
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115
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Auf Lager:
1720 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 300mA | 340mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
2N7002BKW,115
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
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Auf Lager:
1690 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | ||||||||||||
2N7002CK,215
N-MOSFET 60V 300mA 350mW
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.